ekc 半導體



  • 半導體元件封裝選擇電路裝置

    公告號:200300058 - 華邦電子股份有限公司 新竹科學工業園區新竹市研新三路四號

    1.1一種半導體元件封裝選擇電路裝置,包含:一系統電壓偵測電路,依序輸出至少一控制訊號;以及一封裝選擇閉鎖電路、,電性耦合至一正電壓源,用以接收該控制訊號與一接線墊之接線訊號,並依該控制訊號與該接線訊號輸出一邏輯訊號,以防止該封裝選擇閉鎖電路之電流消耗,其中該接線墊與該系統電壓偵測電路,電性耦合該封

  • 雷射照射方法、雷射照射裝置以及半導體裝置之製造方法

    公告號:200300057 - 半導體能源研究所股份有限公司 日本

    1.1一種雷射照射方法,包含以下步驟:相對於基底以掃描速度V掃描雷射光束:其中,當獲得掃描速度V所需要的加速度為g,且該基底一側的長度為b時,掃描速度V滿足(gb/5.477) 1/2 <V<2(gb/5.477) 1/2 。 2.2一種雷射照射方法,包含以下步驟:相對於基底以掃描速度v掃描雷射光束

  • 降低半導體材料與電極接觸層間介面能階之製造方法

    公告號:200300052 - 林瑞明 臺北縣新莊市中正路八九七號十六樓之一

    1.1.一種降低半導體材料與電極接觸層間介面能階之製造方法,該半導體元件在不離開磊晶系統或不破真空的狀態之下,直接於該半導體元件表面沈積上一電極金屬層之後,再拿出長晶室或破真空,再鍍上一適當厚度的電極金屬層,然後,再進行退火處理。 2.2.如申請專利範圍第1項所述之降低半導體材料與電極接觸層間介面能

  • 研磨劑、基板之研磨法及半導體裝置之製造法

    公告號:200300025 - 日立化成工業股份有限公司 日本

    1.1.一種研磨劑,其特徵係具有結晶粒場之氧化鈰之最大徑為3000nm以下者。 2.2.一種研磨劑,其特徵係具有結晶粒場之氧化鈰之最大徑為60Onm以下者。 3.3.如申請專利範圍第1項之研磨劑,其中,上述氧化鈰粒子之結晶子之最大徑為600nm以下者。 4.4.如申請專利範圍第1項之研磨劑,其中,前

  • 半導體發光裝置及其製造方法

    公告號:200300298 - 夏普股份有限公司 –株式會社 SHARP KABUSHIKI KAISHA ALSO TRADING AS SHARP CORPORATION 日本 澤木 宣彥 日本

    1.1.一種產生一半導體發光裝置的方法,包含下列步驟:在一矽基板的一表面上形成一具有複數個開口之光罩層;及利用氮化物半導體材料在各該複數個開口中形成一包含一發光層之類柱多層結構,其中該光罩層之複數個開口的兩相鄰開口之間的距離為10μm或更小 2.2.一種產生一半導體發光裝置的方法,包含下列步驟:在一

  • 半導體裝置

    公告號:200300296 - 半導體能源研究所股份有限公司 日本

    1.1、一種半導體裝置,包括:具有孔部分的第一介電膜,形成在孔部分中的半導體層,和塗敷第一層間介電膜和半導體層的第二介電膜。 2.2、如申請專利範圍第1項的半導體裝置,其中所述半導體裝置選自由個人電腦、視頻視頻照相機、可攜式電腦、護目鏡型顯示器、記錄介質、前部型投影儀、後部型投影儀、行動電話和顯示器

  • 具有低閘極電荷之溝槽金氧半導體場效電晶體

    公告號:200300295 - 通用半導體股份有限公司 美國

    1.1.一種溝槽金氧半導體場效電晶體裝置,包括:一第一導電型矽基底;一在該基底上方的該第一導電型矽磊晶層,該磊晶層具有比該基底低的多數載體濃度;一在該磊晶層的上部分中的第二導電型本體區域;一自該磊晶層的上表面延伸進入該磊晶層的溝槽,該溝槽延伸通過該本體區域,且該溝槽具有溝槽側壁與一溝槽底部;一襯填於

  • 半導體積體電路裝置

    公告號:200300294 - 日立製作所股份有限公司 株式會社日立製作所 日本

    1.1.一種半導體積體電路裝置,是針對在構成以PMOS電晶體及NMOS電晶體所形成之CMOS為主體而構成的主電路用之區域的一部份,以構成前述主電路之過程予以構成控制前述PMOS電晶體及NMOS電晶體之井偏壓用之控制電路的半導體積體電路裝置,其特徵為:前述控制電路,係具備:檢測具有構成在前述主電路中之

  • 具有溝槽式電容器之半導體記憶裝置及其製造方法

    公告號:200300289 - 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本

    1.1.一種具溝槽電容器之半導體記憶裝置,包括:一第一導電型的半導體基底,其具有一溝槽,是從半導體基底的上部表面形成到預設的深度;一電容器,其是在溝槽下部內以及在相鄰到溝槽下部的第一導電型半導體基底內形成;一第一導電層,其是在第一溝槽內且在第一電容器上形成,第一導電層是以電氣方式連接到第一電容器;一

  • 半導體封裝裝置及形成和測試方法

    公告號:200300283 - 摩托羅拉公司 MOTOROLA INC. 美國

    1.1.一種形成封裝裝置之方法,包括:提供一封裝基板,其具有沿著第一平面的第一表面與沿著第二平面之第二表面,其中該封裝基板在第一平面與第二平面之間具有一空腔;沿著第一平面將一膠帶黏附於封裝基板;將一第一積體電路放置於膠帶上與空腔中;在第一積體電路上面沈積封膠材料;移除該膠帶;放置一第二積體電路於空腔

  • 半導體封裝體及其製造方法

    公告號:200300282 - 新光電氣工業股份有限公司 日本

    1.1.一種半導體元件,裝有一電容器可抑止電源供應電壓的波動,其中該電容器係如下來構成;在一沿厚度方向貫穿一板的裝設孔中,有一導線可在一端連接於一半導體晶片的連接端子,一高介電常數材料會以一預定厚度來包覆該導線,及一導體層被設於該高介電常數材料的外周緣與該裝設孔的內壁之間,而以該導線為其中心來形成一

  • 半導體裝置及其製造方法

    公告號:200300281 - 半導體能源研究所股份有限公司 日本

    1.1.一種半導體裝置,其中,將一結合構件當成支撐體並且在與所述結合構件接觸的絕緣膜上形成一元件。 2.2.如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該元件選自由薄膜電晶體、具有OLED的發光元件、液晶元件、記憶元件、薄膜二極體、矽PIN接面的光電轉換元件以及矽電阻元件組成之群。 3.3.如申請專利範圍

  • 形成半導體鑲嵌結構之蝕刻製程

    公告號:200300280 - 聯華電子股份有限公司 新竹市新竹科學工業園區工業東三路三號

    1.1.一種溝槽結構的形成方法,該溝槽結構的形成方法包含下列步驟:提供一半導體底材;依序形成一碳矽化物層與一矽氧化物層於該半導體底材上;蝕刻該矽氧化物層直到暴露該碳矽化物層之部分表面為止,並形成一開口於該碳矽化物層上;進行一破除製程以去除殘留於該碳矽化物層與該矽氧化物層表面之聚合物殘餘物質與氧化物質

  • 使用低介電常數材料膜之半導體裝置及其製造方法

    公告號:200300279 - 小柳光正 日本

    1.1.一種半導體裝置,係具備;(a)基體,具有第1面及位於第1面相反側之第2面,並包含比介電常數較矽低的低介電常數材料膜;(b)第1半導體元件層,含有半導體元件,係直接或透過其他層形成於該基體的第1面;(c)第1配線層,係直接或透過其他層形成於該第1半導體元件層上;以及(d)電極,係形成於該基體的

  • 半導體裝置製造方法及半導體裝置

    公告號:200300277 - 新光電氣工業股份有限公司 日本

    1.1.一種半導體裝置製造方法,該方法係用以形成一繞行層於一半導體裝置之一主要表面上,其中一電極終端被設置於該半導體裝置之主要表面上,且該繞行層具有用以電氣地引導出該電極終端之一佈線以及一接合墊,該方法包含步驟如下:形成比該接合墊還薄的該佈線。 2.2.一種半導體裝置製造方法,該方法係用以形成一繞行