半導體發光裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
申請人· 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP


專利信息

專利名稱 半導體發光裝置及其製造方法
公告號 I517441
公告日 2016/01/11
證書號 I517441
申請號 2012/12/13
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 小島章弘 KOJIMA, AKIHIRO; 秋元陽介 AKIMOTO, YOSUKE; 富澤英之 TOMIZAWA, HIDEYUKI; 向田秀子 MUKAIDA, HIDEKO; 島田美代子 SHIMADA, MIYOKO; 杉崎吉昭 SUGIZAKI, YOSHIAKI; 古山英人 FURUYAMA, HIDETO
申請人 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2012-121062 20120528
參考文獻 TW200949944A; TW201214798A; US2008/0157235A1; US2010/0148198A1
審查人員 王敬雅

專利摘要

本發明係一種半導體發光裝置及其製造方法,其中,有關實施形態之半導體發光裝置係具備:具有第1的面,和其相反側之第2的面,和發光層之半導體層,和設置於在包含前述半導體層之前述發光層的範圍之前述第2的面之p側電極,和設置於在未包含前述半導體層之前述發光層的範圍之前述第2的面之n側電極。更且,具備設置於前述第2面側之第1絕緣膜,和設置於前述第1絕緣膜上,與前述p側電極加以電性連接之p側配線部,和與前述n側電極加以電性連接之n側配線部。並且,前述p側配線部係具有朝向前述n側配線部而突出之複數的凸部,前述n側配線部係具有延伸存在於前述p側配線部之前述複數之凸部之間的複數之部分。


專利範圍

1.一種半導體發光裝置,其特徵為:具備:具有第1面、第1面的相反側之第2面、與發光層之半導體層;設置於前述半導體層上之p側電極;設置於前述半導體層上之n側電極;與前述p側電極電性連接之p側配線部;及與前述n側電極電性連接且從前述p側配線部分離之n側配線部;其中,前述p側配線部包含被覆前述p側電極之至少一部分的p側配線層、及設置於p側配線層上之p側金屬柱;且前述n側配線部包含被覆前述n側電極之至少一部分的n側配線層、及設置於n側配線層上之n側金屬柱,前述n側金屬柱鄰接於前述p側金屬柱;前述p側配線層係具有朝向前述n側配線層而突出之複數的第1凸部;前述n側配線層係在前述p側配線層之前述複數之凸部之間具有複數之第2凸部;且前述複數的第1凸部及前述複數之第2凸部係設置於接觸前述p側金屬柱之p側配線層的第1部分與接觸前述n側金屬柱之n側配線層的第2部分之間。 2.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其中,前述第1凸部的各形狀係為方形。 3.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其中,前述第1凸部的各形狀係為三角形。 4.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其中,面向於前述前述n側配線層之第1凸部的表面之每一者係在前述p側配線層之平面中包含曲面。 5.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其進一步包含:第1絕緣膜,其係被覆前述p側電極、前述n側電極及前述第2面之側的前述半導體層,且具有與前述P側電極連通之第1開口及與前述n側電極連通之第2開口,其中,前述p側配線層係設置於前述第1絕緣膜上且透過前述第1開口而電連接於前述p側電極,前述n側配線層係設置於前述第1絕緣膜上且透過前述第2開口而電連接於前述n側電極,且前述n側配線層於前述第1絕緣膜上包含重疊部,該重疊部係較接觸前述n側電極之前述n側配線部之部分為寬。 6.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其中,前述p側配線部及前述n側配線部係包含選自銅,金,鎳及銀之至少1種金屬。 7.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其中,前述p側配線部及前述n側配線部之至少任一者係具有延伸存在於前述半導體層之外緣的部分。 8.如申請專利範圍第5項記載之半導體發光裝置,其中,更具備:設置於前述p側配線部與前述n側配線部之間的第2絕緣膜。 9.如申請專利範圍第8項記載之半導體發光裝置,其中,前述第2絕緣膜係含有環氧樹脂


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統