磊晶膜形成方法、濺鍍裝置、半導體發光元件之製造方法、半導體發光元件及照明裝置
申請人· 佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION 日本 JP


專利信息

專利名稱 磊晶膜形成方法、濺鍍裝置、半導體發光元件之製造方法、半導體發光元件及照明裝置
公告號 I517435
公告日 2016/01/11
證書號 I517435
申請號 2013/06/26
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 醍醐佳明 DAIGO, YOSHIAKI
申請人 佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2012-142819 20120626
參考文獻 TW200834670A; CN102047406A; US6214162B1
審查人員 陳瑩真

專利摘要

本發明係以提供藉由濺鍍法在α-Al2O3基板上磊晶生長高品質之III族氮化物半導體薄膜之磊晶膜形成方法為目的。與本發明之一實施型態有關之磊晶膜形成方法,係對被配置在濺鍍裝置(1)的具備加熱器電極(104)和偏壓電極(103)之基板保持器(111)上的α-Al2O3基板,形成III族氮化物半導體薄膜之磊晶膜之時,在藉由加熱器電極(104)將α-Al2O3基板保持在特定溫度之狀態下,對靶材電極(102)施加高頻電力,並且對偏壓電極(103)施加高頻偏壓電力,此時以不會產生高頻電力和高頻偏壓電力之頻率干涉之方式被施加。


專利範圍

1.一種磊晶膜形成方法,使用濺鍍法在基板上形成磊晶膜,該磊晶膜形成方法之特徵為包含:於配置有纖鋅礦構造之靶材及於成膜時用以形成纖鋅礦構造之膜的靶材之至少一方的容器內,配置上述基板;以抑制被施加之高頻電力和被施加之高頻偏壓電力之間頻率干涉之方式,施加上述高頻電力於安裝有上述靶材之靶材電極,和施加上述高頻偏壓電力於支撐上述基板之基板保持器;及利用藉由上述高頻電力所生成之電漿,濺鍍上述靶材,並在上述基板上形成上述磊晶膜,其中前述形成磊晶膜包括藉由施加前述高頻電力至前述靶材電極使得前述靶材放出前述靶材的分子,同時藉由施加前述高頻偏壓電力至前述基板保持器以產生電場,前述電場的分極配向成從朝向前述基板保持器所支撐之前述基板的前述分子之負電荷至正電荷。 2.如申請專利範圍第1項所記載之磊晶膜形成方法,其中藉由上述基板保持器將上述基板一面加熱至特定溫度一面進行成膜。 3.如申請專利範圍第1項所記載之磊晶膜形成方法,其中藉由使上述高頻電力之頻率和上述高頻偏壓電力之頻率不同,抑制上述頻率干涉而施加上述高頻電力和上述高頻偏壓電力。 4.如申請專利範圍第1項所記載之磊晶膜形成方法,其中藉由使上述高頻電力之頻率和上述高頻偏壓電力之頻率相同,並且使上述高頻電力和上述高頻偏壓電力之相位差成為略180°,抑制上述頻率干涉而施加上述高頻電力和上述高頻偏壓電力。 5.如申請專利範圍第1項所記載之磊晶膜形成方法,其中上述基板保持器具備偏壓電極,且該偏壓電極具有被施加第1極性之直流電壓的第1電極,和被施加與該第1極性不同的第2極性之直流電壓的第2電極,在藉由對上述第1電極及上述第2電極施加上述直流電壓,使上述基板靜電吸附於上述基板保持器,並且對上述第1電極及上述第2電極施加上述高頻偏壓電力之狀態下,在上述基板上形成上述磊晶膜。 6.如申請專利範圍第1項所記載之磊晶膜形成方法,其中上述高頻偏壓電力係於施加上述高頻電力之後,並且較上述基板之被成膜面被由纖鋅礦構造之半導體所構成之結晶層覆蓋之前被施加。 7.一種半導體發光元件之製造方法,其特徵為:具有藉由如申請專利範圍第1項所記載之磊晶膜形成方法形成半導體發光元件之緩衝層的工程。 8.一種半導體發光元件,在上述基板上至少依序被疊層著緩衝層、III族氮化物半導體中間層、n型III族氮化物半導體層、III族氮化物半導體活性層、p型III族氮化物半導體層、透光性電極,


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統