半導體結構 SEMICONDUCTOR STRUCTURE
申請人· 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹縣科學工業園區力行路16號 TW


專利信息

專利名稱 半導體結構
公告號 I517362
公告日 2016/01/11
證書號 I517362
申請號 2013/11/28
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 陳士弘 CHEN, SHIH HUNG
申請人 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹縣科學工業園區力行路16號 TW
代理人 祁明輝; 林素華
優先權
參考文獻 TW201133795A; CN101651144A; US2012/0273862A1
審查人員 林頎鵬

專利摘要

一種半導體結構,包括多個堆疊塊以及多個導電線。此些堆疊塊係平行且接續排列,各堆疊塊由相對的二個指狀垂直閘極結構組成。指狀垂直閘極結構包括階梯狀結構及多個位元線堆疊,階梯狀結構與位元線堆疊垂直,且相對的二個指狀垂直閘極結構的位元線堆疊交錯排列。導電線間隔排列於堆疊塊之上,且延伸方向與位元線堆疊垂直。導電線包括多條位元線及多條接地線,各堆疊塊上包括至少一條接地線。


專利範圍

1.一種半導體結構,包括:複數個堆疊塊(stacking blocks),該些堆疊塊係平行且接續排列,各該堆疊塊由相對的二個指狀垂直閘極結構組成,各該指狀垂直閘極結構包括一階梯狀結構及複數個位元線堆疊,該階梯狀結構與該些位元線堆疊垂直,相對的該二個指狀垂直閘極結構的該些位元線堆疊交錯排列;以及複數條導電線,間隔排列於該些堆疊塊之上,各該導電線的延伸方向與該些位元線堆疊平行;其中,該些導電線包括複數條位元線及複數條接地線,各該堆疊塊上包括至少一條該些接地線。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體結構,其中各該堆疊塊上該些導電線的總數量小於或等於128條。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體結構,其中相鄰之該些導電線的間距係相同。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體結構,其中該些導電線之間距與該些位元線堆疊之間距相同,且小於或等於75奈米。 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體結構,其中各該位元線堆疊尾端具有一源極接觸,該半導體結構更包括:複數條源極線,位於該些堆疊塊與該些導電線之間並平行於該階梯狀結構,該些源極線與該些源極接觸電性連接。 6.一種半導體結構,包括:一基板;複數個記憶單元,位於該基板上,該些記憶單元以行列方式配置,以及;複數條導電線,位於該些記憶單元之上,該些導電線係彼此平行且間隔相同之間距,其中,該些導電線係與該些記憶單元電性連接,且包括複數條位元線及複數條接地線。 7.如申請專利範圍第6項之半導體結構,其中該些位元線與該些接地線數量的比值小於或等於128。 8.如申請專利範圍第6項之半導體結構,其中相鄰之該些導電線具有相同之一間距,該間距小於或等於75奈米。 9.如申請專利範圍第6項之半導體結構,其中該些導電線的寬度相同。 10.如申請專利範圍第6項之半導體結構,其中該些接地線之間係間隔相同數量的該些位元線。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統