半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE
申請人· 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 半導體裝置
公告號 I517363
公告日 2016/01/11
證書號 I517363
申請號 2011/06/02
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 加藤清 KATO, KIYOSHI
申請人 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2010-129320 20100604
參考文獻 US2009/0050884A1
審查人員 徐欽民

專利摘要

本發明的目的之一是提供具有高度集成的新穎結構的半導體裝置。半導體裝置包含:具有通道形成區的半導體層;與通道形成區電連接的源極電極及汲極電極;與通道形成區重疊的閘極電極;以及在通道形成區與閘極電極之間的閘極絕緣層。當從平面方向觀看時,具有通道形成區的半導體層的側面的一部分和源極電極或汲極電極的側面的一部分彼此大致對準。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包括:第一電晶體,包括:第一通道形成區;該第一通道形成區上的第一閘極絕緣層;該第一閘極絕緣層上的第一閘極電極,該第一閘極電極與該第一通道形成區重疊;以及源極區及汲極區,該第一通道形成區夾於該源極區及該汲極區之間;以及第二電晶體,包括:包括第二通道形成區的半導體層;電連接到該第二通道形成區的源極電極及汲極電極;與該第二通道形成區重疊的第二閘極電極;以及該第二通道形成區和該第二閘極電極之間的第二閘極絕緣層,其中,該第一電晶體的該第一閘極電極電連接至該第二電晶體的該源極電極及該汲極電極的其中之一,其中,該第一通道形成區及該第二通道形成區包括不同的半導體材料作為各別的主成分,以及其中,該半導體層的側面和該源極電極或該汲極電極的側面彼此大致對準。 2.根據申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該半導體層的該側面平行於通道長度方向。 3.一種半導體裝置,包括:第一電晶體,包括:第一通道形成區;該第一通道形成區上的第一閘極絕緣層;該第一閘極絕緣層上的第一閘極電極,該第一閘極電極與該第一通道形成區重疊;以及源極區及汲極區,該第一通道形成區夾於該源極區及該汲極區之間;以及第二電晶體,包括:包括第二通道形成區的半導體層;電連接到該第二通道形成區的源極電極及汲極電極;與該第二通道形成區重疊的第二閘極電極;以及在該第二通道形成區和該第二閘極電極之間的第二閘極絕緣層,其中,該第一電晶體的該第一閘極電極電連接至該第二電晶體的該源極電極及該汲極電極的其中之一,其中,該第一通道形成區包含矽,其中,該第二通道形成區包含氧化物半導體,以及其中,該半導體層的側面及該源極電極或該汲極電極的側面彼此大致對準。 4.根據申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該第二通道形成區包括氧化物半導體。 5.根據申請專利範圍第1或3項之半導體裝置,其中該第二通道形成區的材料和該源極電極或該汲極電極的材料可由相同製程處理。 6.根據申請專利範圍第3項之半導體裝置,其中該半導體層的側面平行於通道長度方向。 7.一種半導體裝置,包括:第一電晶體,包括:第一通道形成區;該第一通道形成區上的第一閘極絕緣層;該第一閘極絕緣層上的第一閘極電極,該第一閘極電極與該第一通道形成區重疊;以及源極區及汲極區,該第一通道形成區夾於該源極區及該汲極區之間;以及第二電晶體,包括:包括第二通道形成區的半導體層;電連接到該第二通道形成區


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統