改善元件熱均性之冗置單元圖案 DUMMY CELL PATTERN FOR IMPROVING DEVICE THERMAL UNIFORMITY
申請人· 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW


專利信息

專利名稱 改善元件熱均性之冗置單元圖案
公告號 I517360
公告日 2016/01/11
證書號 I517360
申請號 2011/09/09
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 連萬益 LIEN, WAI YI; 蔣裕和 CHIANG, YU HO; 潘宗延 PAN, TSUNG YEN
申請人 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW
代理人 吳豐任; 戴俊彥
優先權
參考文獻 CN102169516A; US2010/0052065A1; US2011/0156149A1
審查人員 修宇鋒

專利摘要

一種改善元件熱均性之冗置單元圖案,包含有一冗置擴散圖案,設於一預定區域A內;一淺溝絕緣區域,設於該預定區域內,且包圍住該冗置擴散圖案;至少一第一冗置閘極圖案,設於該冗置擴散圖案上,其兩端延伸至該淺溝絕緣區域之上,且與該淺溝絕緣區域的重疊區域為C1與C2;以及一第二冗置閘極圖案,直接設於該淺溝絕緣區域之上,且該第二冗置閘極圖案與該淺溝絕緣區域的重疊區域為C,其中重疊區域C1與C2,加上重疊區域C佔該預定區域A的比例介於5%至20%之間。


專利範圍

1.一種改善元件熱均性之冗置單元圖案,包含有:一冗置擴散圖案,設於一預定區域A內;一淺溝絕緣區域,設於該預定區域A內,且包圍住該冗置擴散圖案;至少一第一冗置閘極圖案,設於該冗置擴散圖案上,其兩端延伸至該淺溝絕緣區域之上,且與該淺溝絕緣區域的重疊區域分別為C1與C2;以及一第二冗置閘極圖案,直接設於該淺溝絕緣區域之上,且該第二冗置閘極圖案與該淺溝絕緣區域的重疊區域為C,其中該重疊區域C1與C2,加上重疊區域C佔該預定區域A的比例介於5%至20%之間。 2.如申請專利範圍第1項所述之改善元件熱均性之冗置單元圖案,其中該預定區域A之形狀係選自以下群組:矩形、菱形、三角形以及多邊形。 3.如申請專利範圍第1項所述之改善元件熱均性之冗置單元圖案,其中該第一冗置閘極圖案與該第二冗置閘極圖案均為長條形。 4.如申請專利範圍第3項所述之改善元件熱均性之冗置單元圖案,其中該第一冗置閘極圖案與該第二冗置閘極圖案彼此互相平行排列。 5.如申請專利範圍第1項所述之改善元件熱均性之冗置單元圖案,其中該第一冗置閘極圖案與該第二冗置閘極圖案均為多晶矽圖案。 6.如申請專利範圍第1項所述之改善元件熱均性之冗置單元圖案,其中該第二冗置閘極圖案不與該冗置擴散圖案重疊。 7.如申請專利範圍第1項所述之改善元件熱均性之冗置單元圖案,其中預定區域A是一矩形區域,其長度L介於0.5μm至2μm之間,寬度W介於0.5μm至1.5μm。 8.如申請專利範圍第1項所述之改善元件熱均性之冗置單元圖案,其中另包含一第三冗置閘極圖案,設置於該第一冗置閘極圖案與該第二冗置閘極圖案之間。 9.如申請專利範圍第8項所述之改善元件熱均性之冗置單元圖案,其中該第三冗置閘極圖案設於該冗置擴散圖案上,其兩端延伸至該淺溝絕緣區域之上,且與該淺溝絕緣區域的重疊區域分別為C3與C4。 10.如申請專利範圍第9項所述之改善元件熱均性之冗置單元圖案,其中該重疊區域C1~C4,加上重疊區域C佔該預定區域A的比例約介於5%至20%。 11.一種冗置圖案,包含有:複數個如申請專利範圍第1項所述之冗置單元圖案,且該些冗置單元圖案係在與該第一冗置閘極圖案的兩端延伸方向垂直的方向上以交錯式陣列排列。 12.一種冗置圖案,包含有:複數個如申請專利範圍第8項所述之冗置單元圖案,且該些冗置單元圖案係以對齊式陣列排列。 13.一種晶片局部佈局,包含有:一電路元件配


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