將電壓浮接或施加於積體電路之井的方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR FLOATING OR APPLYING VOLTAGE TO A WELL OF AN INTEGRATED CIRCUIT
申請人· 希諾皮斯股份有限公司 SYNOPSYS, INC. 美國 US


專利信息

專利名稱 將電壓浮接或施加於積體電路之井的方法及裝置
公告號 I517361
公告日 2016/01/11
證書號 I517361
申請號 2012/10/30
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 莫羅茲 維特 MOROZ, VICTOR; 卡瓦 傑米爾 KAWA, JAMIL; 史普奇 詹姆士 SPROCH, JAMES D.; 雷佛茲 羅柏 LEFFERTS, ROBERT B.
申請人 希諾皮斯股份有限公司 SYNOPSYS, INC. 美國 US
代理人 林志剛
優先權 美國 61/555,864 20111104 美國 13/374,335 20111222
參考文獻 TW201034165A; US2003/0080782A1; US2007/0247213A1
審查人員 趙天生

專利摘要

在一種井偏壓配置中,井偏壓電壓未被施加至n-井,且井偏壓電壓未被施加至p-井。因為未施加外部的的井偏壓電壓,所以甚至在n-井及p-井中的裝置之操作期間,n-井及p-井為浮接的。在另一種井偏壓配置中,最低可用電壓(諸如,接地電壓,或施加至p-井中的n型電晶體之n+摻雜的源極區域之電壓)未被施加至p-井。這甚至發生在p-井中的n型電晶體之操作期間。在又另一種井偏壓配置中,最高可用電壓(諸如,供應電壓,或施加至n-井中的p型電晶體之p+摻雜的源極區域之電壓)未被施加至n-井。這甚至發生在n-井中的p型電晶體之操作期間。


專利範圍

1.一種積體電路,包含:基板;該基板之上部位中的n-井;該n-井中的裝置;該基板之上部位中的p-井;該p-井中的裝置;以及偏壓電路,提供該n-井中的該裝置及該p-井中的該裝置所需之所有的偏壓電壓,以供操作之用,其中,在該n-井中的該裝置及該p-井中的該裝置之操作期間:(i)該偏壓電路將偏壓電壓配置施加至該n-井中的該裝置及該p-井中的該裝置,(ii)該偏壓電路不會將井偏壓電壓施加至該n-井,及(iii)該偏壓電路不會將井偏壓電壓施加至該p-井。 2.如申請專利範圍第1項之電路,其中,該偏壓電路不會將井偏壓電壓施加至該n-井,而使得在該n-井中的該裝置之操作期間,該n-井浮接,且該偏壓電路不會將井偏壓電壓施加至該p-井,而使得在該p-井中的該裝置之操作期間,該p-井浮接。 3.如申請專利範圍第1項之電路,其中,該偏壓電路不會將井偏壓電壓施加至該n-井,而使得在該n-井中的該裝置之操作期間,該n-井浮接,且該偏壓電路不會將井偏壓電壓施加至該p-井,而使得在該p-井中的該裝置之操作期間,該p-井浮接,以及該電路包括不會接收該偏壓電路所施加的偏壓電壓之電氣連接,該電氣連接被該n-井及該p-井共用,而使得該n-井及該p-井浮接在一起。 4.如申請專利範圍第1項之電路,其中,該偏壓電路不會將井偏壓電壓施加至該n-井,而使得在該n-井中的該裝置之操作期間,該n-井浮接,且該偏壓電路不會將井偏壓電壓施加至該p-井,而使得在該p-井中的該裝置之操作期間,該p-井浮接,以及電氣連接不會被該n-井及該p-井共用,而使得該n-井及該p-井分開地浮接。 5.如申請專利範圍第1項之電路,其中,該電路包括被該n-井及該p-井共用的電氣互連,且該偏壓電路不會將井偏壓電壓施加至該電氣互連。 6.如申請專利範圍第1項之電路,其中,該n-井具有n-井接點,該p-井具有p-井接點,及該電路包括電氣連接至該n-井接點及該p-井接點的電氣互連,而使得該電氣互連被該n-井及該p-井共用,且該偏壓電路不會將井偏壓電壓施加至該電氣互連。 7.如申請專利範圍第1項之電路,其中,該n-井中的該裝置及該p-井中的該裝置具有接收來自該偏壓電路的該偏壓電壓配置之裝置接點,且該n-井及該p-井沒有井接點。 8.如申請專利範圍第1項之電路,其中,該電路包括(i)該偏壓電路與(ii)該n-井中的該裝置及該p-井中的該裝置之間的電氣


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統