參考電壓電路及電子裝置 REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE
申請人· 精工電子有限公司 日本


專利信息

專利名稱 參考電壓電路及電子裝置
公告號 200302411
公告日
證書號
申請號 2003/01/15
國際專利分類號
公報卷期 01-07
發明人 中下貴雄;福井厚夫
申請人 精工電子有限公司 日本
代理人 林志剛
優先權 日本 2002-020624 20020129 日本 2002-352220 20021204
參考文獻
審查人員

專利摘要

本案提供一參考電壓電路,其中施加至參考電壓電路的電壓差係被降低,使得個別輸出電壓的差變得很小。於兩ED型參考電壓電路中,空乏型MOS電晶體(3、6)係分別串聯連接至空乏型MOS電晶體(1、4)的汲極。串聯連接之空乏型MOS電晶體(3、6)之一的閘極係連接至另一MOS電晶體的源極,以及,另一MOS電晶體的閘極係連接至該一MOS電晶體的源極。因此,施加至個別ED型參考電壓電路的電壓差被降低,使得個別輸出電壓的差變得很小。


專利範圍

1.1.一種參考電壓電路,包含:一第一電壓端;一第二電壓端;一第一ED型參考電壓電路,連接於第一電壓端與第二電壓端之間;一第一空乏型MOS電晶體,連接於第一電壓端與第一ED型參考電壓電路之間;:一第二ED型參考電壓電路,連接於第一電壓端與第二電壓端之間;及一第二空乏MOS電晶體連接於第一電壓端與第二ED型參考電壓電路之間,其中第一空乏MOS電晶體的閘極端係連接至第二ED型參考電壓電路與第二空乏MOS電晶體間之電位,及第二空乏MOS電晶體的閘極係連接至第一ED型參考電壓電路與第一空乏MOS電晶體間之一電位。 2.2.如申請專利範圍第1項所述之參考電壓電路,其中第一及第二ED型參考電壓電路均包含一彼此串聯連接之一空乏MOS電晶體及一加強MOS電晶體;及該空乏MOS電晶體的閘極電極及加強MOS電晶體的閘極電極係為共接,及在空乏MOS電晶體及加強MOS電晶體之連接點處的電壓係被用作為輸出。 3.3.一種參考電壓電路,包含:n個(2≦n≦N)-ED型參考電壓電路,均包含一加強型MOS電晶體與一空乏型MOS電晶體,其源極係與該加強型MOS電晶體的汲極串聯連接,諸參考電路係連接於一第一電壓端與一第二電壓端之間,該加強型MOS電晶體的源極係連接至第二電壓端,該空乏型MOS電晶體的閘極係連接至其源極,該加強型MOS電晶體的閘極係連接至其汲極,該加強型MOS電晶體與空乏型MOS電晶體的連接端係被使用作為一輸出端;及N個空乏型MOS電晶體,其每一個均連接於每一ED型參考電壓電路與第一電壓端之間,其中一第一ED型參考電壓電路的一空乏型MOS電晶體的汲極係與第一空乏型MOS電晶體的源極串聯連接,一第二ED型參考電壓電路的一空乏型MOS電晶體的汲極係串聯連接至一第二空乏型MOS電晶體的源極,第一及第二空乏型MOS電晶體的汲極係與第一電壓端連接,第一及第二空乏型MOS電晶體的基極電壓係與第二電壓端連接,第一空乏型MOS電晶體的閘極係連接至第二空乏型MOS電晶體的源極,該第二空乏型MOS電晶體的汲極係連接至第一電壓端,第(n-1)個ED型參考電壓電路的空乏型MOS電晶體的汲極係串聯連接至(n-1)空乏型MOS電晶體的源極,第n個ED型參考電壓電路的空乏型MOS電晶體的汲極係串聯連接至第n個空乏型MOS電晶體的源極,第n及n-1個空乏型MOS電晶體的汲極係連接至第一電壓端,第n-1及n個空乏型MOS


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統