IB-IIIA-VIA2化合物半導體薄膜之製造裝置 APPARATUS FOR FABRICATING IB-IIIA-VIA2COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILMS
申請人· 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹縣竹東鎮中興路4段195號 TW


專利信息

專利名稱 IB-IIIA-VIA2化合物半導體薄膜之製造裝置
公告號 I418047
公告日 2013/12/01
證書號 I418047
申請號 2009/01/07
國際專利分類號
公報卷期 40-34
發明人 莊佳智 CHUANG, CHIA CHIH; 黃瑜 HUANG, YU
申請人 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹縣竹東鎮中興路4段195號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權
參考文獻 US2005/0202589A1; US2008/0072962A1; WO2005/088731A1
審查人員 詹利澤

專利摘要

一種IB-IIIA-VIA2化合物半導體薄膜之製造裝置,包括:一反應腔體;一壓力控制單元,連結於該反應腔體,以控制該反應腔體內之壓力;一基座,設置於該反應腔體內,以承載至少一基板,其中該基板包括IB族元素與IIIA族元素;一第一VIA族元素供應單元,連結於該反應腔體,以提供經汽化之第一VIA族元素至該反應腔體內;以及一電漿單元,位於該反應腔體內,於電漿單元內可產生一高能量密度電漿區,其中於反應進行時,該反應腔體內之該經汽化之第一VIA族元素於通過該高能量密度電漿區後產生了離子化之第一VIA族元素並擴散進入該基板上以形成一IB-IIIA-VIA2化合物半導體薄膜。


專利範圍

1.一種IB-IIIA-VIA2化合物半導體薄膜之製造裝置,包括:一反應腔體;一壓力控制單元,連結於該反應腔體,以控制該反應腔體內之壓力;一基座,設置於該反應腔體內,以承載至少一基板,其中該基板包括IB族元素與IIIA族元素;一第一VIA族元素供應單元,連結於該反應腔體,以提供經汽化之第一VIA族元素至該反應腔體內;以及一電漿單元,位於該反應腔體內,於電漿單元內可產生一高能量密度電漿區,其中於反應進行時,該反應腔體內之該經汽化之第一VIA族元素於通過該高能量密度電漿區後產生了離子化之第一VIA族元素,而該離子化之第一VIA族元素擴散進入該基板上以形成一IB-IIIA-VIA2化合物半導體薄膜。 2.如申請專利範圍第1項所述之IB-IIIA-VIA2化合物半導體薄膜之製造裝置,其中該第一VIA族元素供應單元包括:一第一VIA族元素儲槽,以存放固態之該第一VIA族元素;一第一溫度控制裝置,埋設於該第一VIA族元素供應單元內,以加熱固態之該第一VIA族元素至該經汽化之第一VIA族元素;以及一第一載氣供應裝置,以提供一第一載氣至該第一 VIA族元素儲槽處而傳輸該經汽化之第一VIA族元素至該反應腔體內。 3.如申請專利範圍第1項所述之IB-IIIA-VIA2化合物半導體薄膜之製造裝置,更包括:一X射線分析單元,連結於該反應腔體,以即時監控形成該基板上之該IB-IIIA-VIA2化合物半導體薄膜的品質。 4.如申請專利範圍第1項所述之IB-IIIA-VIA2化合物半導體薄膜之製造裝置,更包括一第二VIA族元素供應單元,連結於該反應腔體,以提供相異於該經汽化之第一VIA族元素之經汽化之第二VIA族元素至該反應腔體內,其中於反應進行時該經汽化之第一VIA族元素與經汽化之第二VIA族元素於通過該高能量密度電漿區後產生了離子化之第一VIA族元素以及離子化之第二VIA族元素,而該離子化之第一VIA族元素與該離子化之第二VIA族元素擴散進入該基板上以形成一IB-IIIA-VIA2化合物半導體薄膜。 5.如申請專利範圍第4項所述之IB-IIIA-VIA2化合物半導體薄膜之製造裝置,其中該第二VIA族元素供應單元包括:一第二VIA族元素儲槽,以存放相固態之該第二VIA族元素;一第二溫度控制裝置,埋設於該第二VIA族元素供應單元內,以加熱固態之該第二VIA族元素至該經汽化之第二VIA族元素;以及


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統