電荷傳送元件 CHARGE-TRANSFERRING DEVICE
申請人· 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. 日本


專利信息

專利名稱 電荷傳送元件
公告號 200421627
公告日
證書號
申請號 2004/02/04
國際專利分類號
公報卷期 02-20
發明人 岡田吉弘 OKADA, YOSHIHIRO
申請人 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. 日本
代理人 詹銘文;蕭錫清
優先權 日本 2003-29724 20030206
參考文獻
審查人員

專利摘要

本發明是有關於一種電荷傳送元件。具有能抑制反向閘極效果的輸出部構造的電荷傳送元件。一種固體攝像元件,它具備通道區域12,與通道區域12連接並被配置的第1元件區域18,在第1元件區域18中形成了源極區域和汲極區域的重設(reset)電晶體Tr,第2元件區域52,以及在第2元件區域52中形成源極區域Sd1和汲極區域Dd1,同時,閘極電極與重設電晶體的源極區域連接的第1電晶體Td1,在這樣的固體攝像元件中,在第1電晶體Td1的源極區域Sd1和汲極區域Dd1之間,通過第2元件區域52的表面區域的實效的雜質濃度變成比第2元件區域52的半導體基底和第2元件區域52的邊界區域的實效的雜質濃度低能解決上述課題。


專利範圍

1.一種電荷傳送元件,其特徵在於,包括:被配置在一個導電型半導體基底的一個主面的逆導電型的半導體區域;在所述半導體基底上沿著一個方向延伸並被配置的一個導電型的通道區域;在所述半導體基底上與所述通道區域交叉並被配置的多個傳送電極;在所述半導體區域內與所述通道區域連接並被配置的電容;以及在所述半導體區域內配置源極和汲極,且閘極被連接到所述電容的輸出電晶體,其中配置了所述輸出電晶體的所述半導體區域,在所述半導體基底的深度方向的濃度分布在所述半導體區域的中間位置達到極大值。 2.如申請專利範圍第1項所述的電荷傳送元件,其特徵在於,其中配置了所述輸出電晶體的所述半導體區域,在沿著所述半導體基底的深度方向上,在表面區域雜質濃度比中間區域低。 3.如申請專利範圍第1項或第2項所述的電荷傳送元件,其特徵在於,更包括與所述輸出電晶體串聯連接的負載電晶體,所述負載電晶體是被配置在配置有所述輸出電晶體的所述半導體區域內。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統