薄膜電晶體及使用該薄膜電晶體之顯示陣列基板 THIN FILM TRANSISTOR DISPLAY ARRAY SUBSTRATE USING SAME
申請人· 業鑫科技顧問股份有限公司 YE XIN TECHNOLOGY CONSULTING CO., LTD. 新竹縣竹北市台元一街1號7樓之1 TW


專利信息

專利名稱 薄膜電晶體及使用該薄膜電晶體之顯示陣列基板
公告號 I517412
公告日 2016/01/11
證書號 I517412
申請號 2013/08/23
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 吳逸蔚 WU, I WEI; 陸一民 LU, I-MIN; 張煒熾 CHANG, WEI CHIH; 林輝巨 LIN, HUI CHU; 高逸群 KAO, YI CHUN; 方國龍 FANG, KUO LUNG
申請人 業鑫科技顧問股份有限公司 YE XIN TECHNOLOGY CONSULTING CO., LTD. 新竹縣竹北市台元一街1號7樓之1 TW
代理人
優先權
參考文獻 TW201327835A1; US2009/0256147A1
審查人員 侯鈺玲

專利摘要

本發明提供一種薄膜電晶體。該薄膜電晶體包括:一閘極;一覆蓋該閘極之閘極絕緣層;在該閘極絕緣層上對應該閘極處的溝道層;一覆蓋該溝道層之蝕刻阻擋層,該蝕刻阻擋至少包括一有機阻擋層及與該有機阻擋層層疊設置的硬遮罩層,該有機阻擋層為經固化處理之透明有機材料層,該硬遮罩層形成在該有機阻擋層背離該溝道層之表面上,用於增強該有機阻擋層之硬度;貫穿該蝕刻阻擋層之二接觸孔;及經由該二接觸孔與該溝道層相連之源極與汲極。本發明還提供一種使用該薄膜電晶體的顯示陣列基板。


專利範圍

1.一種薄膜電晶體,包括:一閘極;一覆蓋該閘極之閘極絕緣層;在該閘極絕緣層上對應該閘極處的溝道層;一覆蓋該溝道層之蝕刻阻擋層,該蝕刻阻擋層為一層疊結構,至少包括一有機阻擋層及與該有機阻擋層一硬遮罩層,該有機阻擋層與該硬遮罩層層疊設置,該有機阻擋層為經固化處理之透明有機材料層,該硬遮罩層形成在該有機阻擋層背離該溝道層之表面上,用於增強該有機阻擋層之硬度;貫穿該蝕刻阻擋層之二接觸孔;及經由該二接觸孔與該溝道層相連之源極與汲極。 2.如請求項1所述之薄膜電晶體,其中,該有機阻擋層具有光敏特性,且該有機阻擋層之光敏特性弱於光阻材料之光敏特性。 3.如請求項1所述之薄膜電晶體,其中,該硬遮罩層之厚度小於該有機阻擋層的厚度。 4.如請求項1所述之薄膜電晶體,其中,該硬遮罩層材料為氮氧化矽、氮化矽、氧化矽或氟化矽。 5.如請求項1所述之薄膜電晶體,其中,該二接觸孔之間距距離小於10微米。 6.如請求項1所述之薄膜電晶體,其中,該二接觸孔之間距距離在3-5微米之間。 7.如請求項1所述之薄膜電晶體,其中,該溝道層材料為金屬氧化物半導體。 8.如請求項7所述之薄膜電晶體,其中,該金屬氧化物半導體選自氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(InO)、氧化鎵(GaO)之一或其混合物。 9.一種薄膜電晶體陣列基板,包括複數條相互平行的閘極線、複數條相互平行且與該些閘極線絕緣相交的資料線,每一閘極線與一資料線交叉處設置一薄膜電晶體;該薄膜電晶體為請求項1-8任意一項所述之薄膜電晶體。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統