半導體元件及其製作方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
申請人· 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW


專利信息

專利名稱 半導體元件及其製作方法
公告號 I517387
公告日 2016/01/11
證書號 I517387
申請號 2011/03/22
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 黃韋翰 HUANG, WEI HANG
申請人 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW
代理人 吳豐任; 戴俊彥
優先權
參考文獻 US2007/0037372A1; US2009/0311836A1; US2010/0068877A1
審查人員 許勝宗

專利摘要

本發明是揭露一種半導體元件,其包含一基底、一閘極結構設於基底上以及一第一遮蓋層設於閘極結構之側壁表面。其中閘極結構包含一高介電常數介電層,且第一遮蓋層係為一無氧(oxygen-free)遮蓋層。


專利範圍

1.一種半導體元件,包含:一基底;一閘極結構設於該基底上,該閘極結構包含一高介電常數介電層,其中該高介電常數介電層為U型;一第一遮蓋層設於該閘極結構之側壁表面,且該第一遮蓋層係為一無氧(oxygen-free)遮蓋層;以及一第二遮蓋層設於該第一遮蓋層之側壁,該第二遮蓋層之材料不同於該第一遮蓋層之材料,且該第二遮蓋層係為一L型遮蓋層。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該第一遮蓋層係為一第一側壁子或一L型遮蓋層。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該第二遮蓋層之蝕刻率不同於該第一遮蓋層之蝕刻率。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,另包含一第二側壁子設於該第二遮蓋層上。 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該閘極結構包含:一閘極絕緣層;該高介電常數介電層設於該閘極絕緣層上;以及一多晶矽閘極設於該高介電常數介電層上。 6.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該閘極結構包含:一閘極絕緣層;該高介電常數介電層設於該閘極絕緣層上;以及一金屬閘極設於該高介電常數介電層上。 7.一種製作半導體元件的方法,包含:提供一基底;形成一閘極結構於該基底表面,且該閘極結構包含一高介電常數介電層;形成一第一遮蓋層於該閘極結構之側壁;以及形成一輕摻雜汲極於該閘極結構兩側之該基底中;以及形成一第二遮蓋層於該第一遮蓋層上。 8.如申請專利範圍第7項所述之方法,其中該第一遮蓋層係為一無氧遮蓋層。 9.如申請專利範圍第7項所述之方法,其中形成該第二遮蓋層後另包含:形成一第三遮蓋層於該第二遮蓋層上;進行一第一蝕刻製程,去除部分該第三遮蓋層以形成一第二側壁子;以及進行一第二蝕刻製程,去除部分該第二遮蓋層及該第一遮蓋層以形成一L型第二遮蓋層及一L型第一側壁子於該閘極結構之側壁。 10.如申請專利範圍第9項所述之方法,其中該第一遮蓋層包含氮化矽、該第二遮蓋層包含氧化矽以及該第三遮蓋層包含氮化矽。 11.如申請專利範圍第9項所述之方法,其中該第一蝕刻製程及該第二蝕刻製程包含一乾蝕刻製程。 12.如申請專利範圍第7項所述之方法,其中形成該第二遮蓋層後另包含:形成一第二遮蓋層於該第一遮蓋層上;形成一第三遮蓋層於該第二遮蓋層上;進行一第一蝕刻製程,去除部分該第三遮蓋層以形成一第二側壁子;進行一第二蝕刻製程,去除部分該第二遮蓋層以形成一L型第二遮蓋層;以及進行一第三蝕刻製程


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統