頻率元件



  • 高壓無線射頻功率元件

    公告號:200843026 - 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號

    1.一種高壓無線射頻功率元件,包含有:一第一電晶體,包含有:一第一閘極,設於一半導體基底表面上;一第一閘極介電層,設於該第一閘極與該半導體基底間;一第一汲極結構,包括一第一N + 摻雜區、一第一淺溝渠絕緣結構以及一第一N - 離子井,其中該第一淺溝渠絕緣結構包圍該第一N + 摻雜區,該第一N - 離

  • 功率元件保護電路及具備該電路之半導體裝置

    公告號:200428177 - 羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD. 日本

    1.一種功率元件保護電路,包括:電壓偵測器,相對於具有第一電極、第二電極及控制電極之功率元件,該電壓偵測器偵測位在該功率元件之該第一及第二電極之間之電壓,並且該電壓偵測器接著輸出正比例於該偵測的電壓之電流;電流偵測器,該電流偵測器偵測流經該功率元件之電流並且該電流偵測器接著輸出正比例於該偵測的電流之

  • 用於高遷移率元件的SIGe應變弛豫緩衝層及其製造方法

    公告號:200504835 - 環宇微電中心 INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM 比利時 柯尼克利雅克菲利普電子公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELCTRONICS 荷

    1.一種半導體元件,包括一半導體基片並且在其頂部至少有一薄應變弛豫緩衝層,該薄應變弛豫緩衝層基本上包括由三層構成的堆層,其特徵在於,所述薄應變弛豫緩衝層不是所述半導體元件的有源部分,以及界定所述薄應變弛豫緩衝層的所述三層具有基本上恒定的Ge濃度,所述三層是:-第一外延層Si 1-x Ge x ,x為

  • 電腦主機板上功率元件之散熱裝置

    公告號:200506587 - 華碩電腦股份有限公司 ASUSTEK COMPUTER INC. 臺北市北投區立德路一五○號四樓

    1.一種用於主機板上的導風裝置,該主機板包括一中央處理器風扇以及一功率元件,該導風裝置包括:一受風部,其接受來自該中央處理器風扇之風流;以及一導流部,其與該受風部連接,該中央處理器風扇之風流係由該導流部導向該功率元件。 2.如申請專利範圍第1項所述之導風裝置,更包括:一遮板,其連接於該受風部與該導流

  • 減少功率元件閘極端面積之結構及方法

    公告號:200512813 - 富鼎先進電子股份有限公司 ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. 新竹市埔頂路99巷6號2樓之1

    1.一種減少功率元件閘極端面積之製造方法,該方法至少包含下列步驟:於一第一型半導體基材上形成第一型磊晶矽層;形成一閘氧化層於該第一型磊晶矽層上;形成一複晶矽層於於該閘氧化層上作為閘極;形成一基底區域於該閘極兩側之該第一型磊晶矽層內;進行基底區域離子佈植,以植入第一型離子於該閘極兩側之該基底區域中形成

  • 强韌性異質接面雙極電晶體功率元件及改善其强韌性的方法

    公告號:200520217 - 穩懋半導體股份有限公司 WIN SEMICONDUCTORS CORP. 桃園縣龜山鄉華亞科技園區科技七路69號

    1.一種改善異質接面雙極電晶體(HBT)功率元件強韌度的方法,其包含下列步驟:a.最佳化功率元件單元中每一個HBT電晶體的崩潰電壓,b.於功率元件單元中每一個HBT電晶體的輸出端使用箝制二極體,以及c.最佳化功率元件單元中每一個HBT電晶體基極所連接之基極壓艙電阻。 2.如申請專利範圍第1項所描述之

  • 一種製作功率元件的方法

    公告號:200601549 - 台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC. 新竹市新竹科學工業園區力行路19號

    1.一種於溝槽底部形成氧化層的方法,該方法至少包括:提供一第一基板,該第一基板中具有至少一溝槽;形成一第一氧化層於該溝槽之側壁和底部;移除該溝槽之底部之該第一氧化層;以及形成一第二氧化層於該溝槽之底部。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中提供該第一基板至少包括:提供一第二基板;形成一第三氧化層

  • 利用下沉溝槽之具有頂部汲極的半導體功率元件

    公告號:200614502 - 快捷半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION 美國

    1.一種半導體功率元件,其包含:一具有第一型導電度的基材;一具有第一型導電度的磊晶層,其位於基材上方並接觸該基材;一第一溝槽,其延伸進入磊晶層並終止於該磊晶層內;一下沉溝槽自磊晶層的頂表面延伸、穿過磊晶層並終止於基材內,下沉溝槽和第一溝槽係橫向地隔開,下沉溝槽比第一溝槽寬且延伸得更深,下沉溝槽係僅沿

  • 高散熱效率之異質接面雙極電晶體功率元件

    公告號:200616092 - 穩懋半導體股份有限公司 WIN SEMICONDUCTORS CORP. 桃園縣龜山鄉科技七路69號

    1.一種異質接面雙極電晶體(HBT)之功率元件,其包含複數個功率元件單元,而其中每一個功率元件單元,進一步包含:一個接地區,其包含一正面金屬層、一背面導孔以及一層透過背面導孔與該正面金屬層接觸之背面金屬層;以及一組複數個HBT電晶體,其中每一個電晶體均緊鄰該接地區並配置於其周圍,且每一個電晶體均包含

  • 具有溝渠基礎的源極與閘極電極之功率元件

    公告號:200625624 - 國際整流器公司 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION 美國

    1.一種功率半導體元件,包含:一呈一第一傳導類型之半導體體部;複數個閘極溝渠,其延伸至該半導體體部內的一第一深度;複數個源極溝渠,其延伸至該半導體體部內的一第二深度,該第二深度大於該第一深度;一經絕緣的閘極電極,其位於各該等複數個閘極溝渠內;一經絕緣的源極電極,其位於各該等複數個源極溝渠內;一呈一第

  • 覆晶接點(FCC)之功率元件封裝

    公告號:200633181 - 萬里達半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED 英屬百慕達

    1.一種包含、保護與提供電性接點給一功率電晶體的功率元件封裝,其包括有:一頂面與一底面引線架,以無凸塊直接裝設於該功率電晶體上。 2.如申請專利範圍第1項所述之功率元件封裝,其中該功率電晶體附於該底面引線架上,如同一具有一源極接觸點與一閘極接觸點的覆晶無凸塊直接附於該底面引線架上。 3.如申請專利範

  • 功率元件閘極接觸結構

    公告號:200721369 - 茂達電子股份有限公司 ANPEC ELECTRONICS CORPORATION 新竹市科學工業園區力行路2號5樓

    1.一種功率元件閘極接觸結構,包括:一基板,其上具有溝槽;一第一絕緣層,位於該基板上及該溝槽的底部與側壁;一閘極導電層,位於該溝槽內並跨越該溝槽的單側;一第二絕緣層,覆蓋該閘極導電層;一接觸窗,位於該第二絕緣層中對應該溝槽與該單側,以曝露該閘極導電層之一表面;以及一閘極金屬,於該接觸窗內與該閘極導電

  • 用於功率元件之渠道場板終止結構

    公告號:200746415 - 快捷半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION 美國

    1.一種半導體功率元件,其包含:一主動區,其構形為當該半導體元件在一傳導狀態中被偏壓時可傳導電流;及一終止結構區,其沿著該主動區的一周邊,該終止結構區係包含:一第一傳導類型的一第一矽區,其延伸至一第二傳導類型的一第二矽區內之一第一深度,該等第一及第二矽區在其間形成一PN接面;一第一終止結構渠道,其形

  • 用於功率元件之電荷平衡技術

    公告號:200802867 - 快捷半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION 美國

    1.一種電荷平衡半導體功率元件,包含:一主動區域,包括複數個當以一傳導狀態被偏壓時可以導電的細胞;一非主動周邊區域,環繞該主動區域,其中當該等細胞以該傳導狀態被偏壓時沒有電流流過該非主動周邊區域;以及交互排列的第一傳導類型柱的條狀及第二傳導類型柱的條狀,在該第二傳導類型的一矽區域內被形成,該等交互排

  • 高功率元件快速散熱裝置

    公告號:200822320 - 國立勤益技術學院 NATIONAL CHIN-YI INSTITUTE OF TECHNOLOGY 臺中縣太平市中山路1段215巷35號

    1.一種高功率元件快速散熱裝置,包括:一高功率元件;一纖維包覆層,該纖維包覆層係設於該高功率元件之表面,該纖維包覆層之材質選自石墨纖維以及鎢絲纖維之其中一者。 2.依申請專利範圍第1項所述之高功率元件快速散熱裝置,其中該纖維包覆層係由多數纖維彼此捲繞形成,且該纖維包覆層並形成罩體形態而罩設於該高功率