影像感測器的單元畫素及其光電探測器 UNIT PIXEL OF IMAGE SENSOR AND PHOTO DETECTOR THEREOF
申請人· 金勳 KIM, HOON 南韓 KR


專利信息

專利名稱 影像感測器的單元畫素及其光電探測器
公告號 I517372
公告日 2016/01/11
證書號 I517372
申請號 2012/08/31
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 金勳 KIM, HOON
申請人 金勳 KIM, HOON 南韓 KR
代理人 許世正
優先權 美國 13/224,921 20110902
參考文獻 US7271430B2; US2009/0256176A1
審查人員 詹惟雯

專利摘要

本發明關於一種影像感測器的單元畫素及其光電探測器。本發明吸收光的光電探測器可包含:一光吸收部件,透過形成為浮動結構以吸收光;與光吸收部件的一個表面相接觸的一氧化物膜;一源極,與氧化物膜的另一表面的一側相接觸,並且與光吸收部件分離開,其中在源極與光吸收部件之間具有此氧化物膜;一汲極,面對源極以與氧化物膜的另一表面的另一側相接觸,並且與光吸收部件分離開,其中在汲極與光吸收部件之間具有此氧化物膜;以及在源極與汲極之間形成的一溝道,在源極與汲極之間形成電流流動。


專利範圍

1.一種光電探測器,係配設為在用於將吸收的光變換為電訊號的影像感測器的單元畫素中吸收光,該光電探測器包含:一光吸收部件,係配設為透過形成為浮動結構而吸收光;一氧化物膜,係與該光吸收部件的一個表面相接觸;一源極,與該氧化物膜的另一表面的一側相接觸,並且與該光吸收部件分離開,其中在該源極與該光吸收部件之間具有該氧化物膜;一汲極,面對該源極以與該氧化物膜的該另一表面的另一側相接觸,並且與該光吸收部件分離開,其中在該汲極與該光吸收部件之間具有該氧化物膜;以及在該源極與該汲極之間插入的一溝道,係配設為在該源極和該汲極之間形成電流流動,其中,該光吸收部件摻雜有第一類型雜質,該源極與該汲極摻雜有第二類型雜質,其中,該光吸收部件透過該氧化物膜而與該源極及該汲極絕緣,其中,透過利用集中於該氧化物膜中的電場而發生的隧穿現象,由所吸收的光產生的電子-電洞對中的電子朝向該源極及該汲極移動,並且透過由電子的移動引起的該光吸收部件的電荷量變化以控制該溝道的電流之流動。 2.如請求項第1項所述之光電探測器,其中透過調節W/L比率而以緊接於夾斷之前的狀態以形成該溝道,該W/L比率係為該溝道的寬度(W)與長度(L)之比。 3.如請求項第1項所述之光電探測器,其中該隧穿現象係在該源極與該汲極之一與該光吸收部件之間的區域中發生。 4.如請求項第1項所述之光電探測器,其中該源極與該汲極係透過在主體中摻雜第二類型雜質而形成,該主體係為浮動的。 5.如請求項第1項所述之光電探測器,其中該光電探測器的閥值電壓由於在該氧化物膜中發生的隧穿現象而變化。 6.如請求項第1項所述之光電探測器,還包含一阻光層,該阻光層配設為阻止在除該光吸收部件的上表面之外的區域中吸收光。 7.一種影像感測器的單元畫素,係配置為將吸收的光變換為電訊號,包含:一光電探測器,係配設為利用由入射光所引起的電荷量變化而使得電流流動;以及一選擇器件,係配設為將該光電探測器產生的電流輸出至單元畫素輸出端子,其中,該光電探測器包含:一光吸收部件,以浮動結構形成且配設為吸收光;與該光吸收部件的一個表面相接觸的一氧化物膜;一源極,與該氧化物膜的另一表面的一側相接觸,並且與該光吸收部件分離開,其中在該源極與該光吸收部件之間具有該氧化物膜;一汲極,面對該源極以與該氧化物膜的該另一表面的另一側相接觸,並且與該光吸收部件分離開,其中在該汲極與該光吸收部件之間具有該


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