用於半導體裝置之墊及電路佈局 PAD AND CIRCUIT LAYOUT FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
申請人· 豪威科技股份有限公司 OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC. 美國 US


專利信息

專利名稱 用於半導體裝置之墊及電路佈局
公告號 I517373
公告日 2016/01/11
證書號 I517373
申請號 2013/02/08
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 代鐵軍 DAI, TIEJUN; 梁桂珍 LIANG, KUEI CHEN
申請人 豪威科技股份有限公司 OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC. 美國 US
代理人 陳長文
優先權 美國 13/398,364 20120216
參考文獻 TW200849576A; US2008/0220220A1
審查人員 閻濟民

專利摘要

一種設備包括具有一前側及一後側之一影像感測器。該影像感測器包括一主動電路區及結合墊。該主動電路區具有為實質上矩形之一第一形狀。該實質上矩形第一形狀具有第一去角角隅。該影像感測器之該前側之一周邊具有為實質上矩形之一第二形狀。該第二實質上矩形形狀具有第二去角角隅。該等結合墊安置於該影像感測器之該前側上。該等結合墊安置於該等第一去角角隅與該等第二去角角隅之間。該第一形狀安置於該第二形狀內部。


專利範圍

1.一種影像感測設備,其包含:具有一前側及一後側之一影像感測器,該影像感測器包含:一主動電路區,其具有為實質上矩形之一第一形狀,其中該第一形狀具有第一去角角隅,且其中該影像感測器之該前側之一周邊具有為實質上矩形之一第二形狀,該第二形狀具有第二去角角隅;及結合墊,其安置於該影像感測器之該前側上,其中該等結合墊安置於該等第一去角角隅與該等第二去角角隅之間,其中該第一形狀安置於該第二形狀內部,且其中該等第一去角角隅中之每一者之一第一斜面長度長於該等第二去角角隅中之每一者之一第二斜面長度,且該等第一去角角隅與該等第二去角角隅之間的一緩衝距離大致相等。 2.如請求項1之設備,其中該影像感測器進一步包含:一導電墊,其經定位以接受焊料且安置於該影像感測器之該後側上;及一電連接層,其連接該導電墊及該等結合墊中之至少一者,其中該電連接層自該導電墊沿著該影像感測器之一外部層被向上路由至該等結合墊中之該至少一者。 3.如請求項2之設備,其中該影像感測器進一步包含:該影像感測器之一金屬堆疊層,其具有沿著該影像感測器之該前側安置之一第一表面,其中該金屬堆疊層之該第一表面接觸該等結合墊,且其中該金屬堆疊層安置於該等結合墊與該導電墊之間。 4.如請求項3之設備,其中該電連接層安置於該金屬堆疊層之外部且未穿透該金屬堆疊層。 5.如請求項3之設備,其中多個微透鏡安置於該金屬堆疊層之該第一表面上,位於該等結合墊之間。 6.如請求項3之設備,其中一環氧樹脂層安置於該金屬堆疊層與該電連接層之間。 7.如請求項6之設備,其中該環氧樹脂層接觸該等結合墊之亦接觸該金屬堆疊層之一側上的該等結合墊。 8.如請求項3之設備,其中該主動電路區包括該金屬堆疊層、一磊晶層及一基板層。 9.如請求項1之設備,其中該等結合墊具有一實質上矩形形狀,且該等結合墊安置於兩個未使用之半導體區之間,其中該兩個未使用之半導體區為實質上三角形形狀。 10.如請求項1之設備,其進一步包含:一電子內視鏡,其具有用於插入之一頂端,其中該影像感測器安置於該頂端之將被引導至腔中之一表面上,且其中該影像感測器之該前側的該等第二去角角隅中之至少兩者接近並面向該頂端之該表面之一輪廓邊緣而定位,以增加該表面上可用之基板面來包括該電子內視鏡之其他組件。 11.一種具有一前側及一後側之半導體裝置,該半導體裝置包含:一主動電路區,其具有為實質上矩形之一第一形狀,其


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