有機發光裝置和其製造方法 ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
申請人· 三星顯示器有限公司 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. 南韓 KR


專利信息

專利名稱 有機發光裝置和其製造方法
公告號 I517470
公告日 2016/01/11
證書號 I517470
申請號 2011/04/06
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 金武謙 KIM, MU-GYEOM; 朴昶模 PARK, CHANG-MO
申請人 三星顯示器有限公司 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. 南韓 KR
代理人 李國光; 張仲謙
優先權 南韓 10-2010-0033896 20100413
參考文獻 TW200612586A; JP2000-223276A; JP2004-22908A; Lee et al.,”Light Effects of the Amorphous Indium G 5^&rn^allium Zinc Oxide Thin-Film Transistor”, Journal of^&rn^Information Display, Vol. 10, December 2009, p.171~1^&rn^74
審查人員 謝志偉

專利摘要

一種有機發光裝置包括:陽極;電洞充電層,其包含氧化物半導體且形成在陽極上;至少一個有機層,其形成在電洞充電層上;及陰極,其形成在有機層上。電洞充電層可為包含銦(In)、鎵(Ga)與鋅(Zn)的氧化物半導體或包含In、Zn與鉿(Hf)的氧化物半導體。


專利範圍

1.一種有機發光裝置,其包含:陽極;電洞充電層,其在該陽極上且包含氧化物半導體;至少一個有機層,其形成在該電洞充電層上,且該至少一個有機層包含電洞注入層(HIL),其中該電洞注入層接觸該電洞充電層;及陰極,其形成在該有機層上;其中該電洞充電層是包含銦(In)、鎵(Ga)與鋅(Zn)的氧化物半導體或包含In、Zn與鉿(Hf)的氧化物半導體;其中該電洞充電層形成對於該電洞注入層之能量障壁,並藉由電子來捕獲電洞。 2.如申請專利範圍第1項之有機發光裝置,其中在包含In、Ga與Zn的氧化物半導體中,該In、Ga與Zn分別為從約30到約50%、從約30到約50%及從約10到約35%。 3.如申請專利範圍第1項之有機發光裝置,其中在包含In、Zn與Hf的氧化物半導體中,該In、Zn與Hf分別為從約35到約55%、從約35到約55%及從約5到約15%。 4.如申請專利範圍第1項之有機發光裝置,其中該氧化物半導體的帶隙能量是從約3到約3.5eV,且該氧化物半導體的價帶能量是介於該陽極的功函數與其接觸該電洞充電層的該有機層的最高佔有分子軌道(HOMO)能量之間。 5.如申請專利範圍第4項之有機發光裝置,其中該氧化物半導體的能量能態包含帶尾能態能階與深度能態能階。 6.如申請專利範圍第1項之有機發光裝置,其中該有機層包含發射層(EML)。 7.如申請專利範圍第6項之有機發光裝置,其中該電洞充電層與該發射層共用發光區域。 8.如申請專利範圍第7項之有機發光裝置,其中該有機發光裝置發射從約400nm到約700nm的光線。 9.如申請專利範圍第6項之有機發光裝置,其中該有機層是在該電洞充電層與該發射層之間且更包含電洞傳輸層(HTL)。 10.如申請專利範圍第6或7項之有機發光裝置,其中在該發射層與該陰極之間更包含選自電子傳輸層(ETL)與電子注入層(EIL)所組成的群組之至少一者。 11.如申請專利範圍第1項之有機發光裝置,其中該陽極包含銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。 12.如申請專利範圍第1項之有機發光裝置,其中該有機發光裝置發出藍、紅或綠光。 13.如申請專利範圍第6項之有機發光裝置,其更包含:基板;薄膜電晶體,其包含形成在該基板上的閘極電極、形成在該閘極電極與基板上的閘極絕緣層、面對該閘極電極且形成在該閘極絕緣層上的主動層以及電氣連接到該主動層的源極與汲極電極;及絕緣層;


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統