垂直式氮化物發光二極體的製造方法 METHOD FOR MAKING VERTICAL NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE
申請人· 南臺科技大學 SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 臺南市永康區南台街1號 TW


專利信息

專利名稱 垂直式氮化物發光二極體的製造方法
公告號 I517475
公告日 2016/01/11
證書號 I517475
申請號 2013/03/28
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 邱裕中 CHIOU, YU ZUNG; 王俊凱 WANG, CHUN KAI; 林冠緯 LIN, KUAN WEI
申請人 南臺科技大學 SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 臺南市永康區南台街1號 TW
代理人 陳豐裕
優先權
參考文獻 TW200520266A; TW200725931A
審查人員 康譽齡

專利摘要

  本發明係有關於一種垂直式氮化物發光二極體的製造方法,係利用濺鍍技術於基板上沉積一氮化鋁、氮化銦或氮化鎵等材料系列其中之一的薄膜以形成緩衝層,於此緩衝層上直接成長半導體層,而不需先成長未摻雜半導體層後再成長半導體層;據此,不但即可減少磊晶成長的時間,還可以減少製作的複雜性及提升元件穩定性,進而提升元件的可靠度。


專利範圍

1.一種垂直式氮化物發光二極體的製造方法,包括以下之步驟:步驟一:先於暫時基板上,依序成長出非晶性緩衝層與多晶或單晶性緩衝層,該非晶性緩衝層與多晶或單晶性緩衝層成長溫度範圍為300℃~1000℃,該非晶性緩衝層與多晶或單晶性緩衝層沉積於該暫時基板上之技術是採用濺鍍技術、單元子層沉積系統或分子束磊晶系統其中之一;步驟二:利用有機金屬化學氣相沉積法依序成長第一半導體層、主動層、第二半導體層;步驟三:於第二半導體層表面製作反射鏡層;步驟四:於反射鏡層表面製作貼合層,以形成第一半導體塊材;步驟五:於一永久基板上製作貼合層,以形成第二半導體塊材;步驟六:將第一半導體塊材之貼合層與第二半導體塊材之貼合層進行貼合製程,使第一、第二半導體塊材貼合在一起;步驟七:利用基板剝離方法,且以非晶性緩衝層為犧牲層,將暫時基板分離;步驟八:於第一半導體層表面製作第一電極,該永久基板為第二電極。 2.如申請專利範圍第1項所述垂直式氮化物發光二極體的製造方法,其中,該永久基板之材質係選自藍寶石基板、半導體基板或金屬基板其中之一。 3.如申請專利範圍第2項所述垂直式氮化物發光二極體的製造方法,其中,該半導體基板為矽半導體基板、碳化矽半導體基板、砷化鎵半導體基板或氧化鋅半導體基板其中之一。 4.如申請專利範圍第1項所述垂直式氮化物發光二極體的製造方法,其中,該非晶性緩衝層與多晶或單晶性緩衝層之厚度為幾個nm至幾千個nm。 5.如申請專利範圍第4項所述垂直式氮化物發光二極體的製造方法,其中,該非晶性緩衝層與多晶或單晶性緩衝層成長溫度為固定溫度或漸變溫度其中之一。 6.如申請專利範圍第1項所述垂直式氮化物發光二極體的製造方法,其中,該非晶性緩衝層與多晶或單晶性緩衝層呈相互交替堆疊成長。 7.如申請專利範圍第1項所述垂直式氮化物發光二極體的製造方法,其中,該基板剝離方法為雷射剝離或研磨蝕刻剝離法其中之一。 8.如申請專利範圍第1項所述垂直式氮化物發光二極體的製造方法,其中,該非晶性緩衝層與多晶或單晶性緩衝層係由氮化鋁、氮化銦或氮化鎵等材料系列其中之一的薄膜所形成。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統