雷射加工方法、及使用該雷射加工方法之多層可撓性印刷配線板之製造方法
申請人· 日本美可多龍股份有限公司 NIPPON MEKTRON, LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 雷射加工方法、及使用該雷射加工方法之多層可撓性印刷配線板之製造方法
公告號 I529023
公告日 2016/04/11
證書號 I529023
申請號 2011/06/08
國際專利分類號
公報卷期 43-11
發明人 松田文彥 MATSUDA, FUMIHIKO; 成澤嘉彥 NARISAWA, YOSHIHIKO
申請人 日本美可多龍股份有限公司 NIPPON MEKTRON, LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2010-132922 20100610
參考文獻 TW200305473A; TW200541434A; TW200942120A; TW200945987A; CN1535195A; CN1946266A; CN1946266A; CN101687278A; JP2002-118344A; JP2005-64259A; JP2005-193278A; US4842677; US2003/0203170A1
審查人員 陳建志

專利摘要

本發明的課題是在於不引起孔洞內的樹脂殘留及露出於孔洞內的內層電路圖案的變形‧貫通,以儘可能少的射擊數來形成孔洞。 其解決手段係藉由除去被加工層來形成孔洞(23,24)的雷射加工方法,該被加工層係包含:可撓性的絕緣基材(1),其係於表面設有共型遮罩(7,8a);及黏著劑層(12),其係設於可撓性的絕緣基材(1)下,具有在加工用雷射的波長域中比絕緣基材(1)更高的吸光度、及比絕緣基材(1)更低的分解溫度,其特徵為:予以1射擊照射具有第1能量密度的脈衝光,其係不引起導電膜(2A)的變形及貫通,且能以1射擊來除去絕緣基材(1),然後,照射具有第2能量密度的脈衝光,其係比第1能量密度小,不引起導電膜(2A)的變形及貫通,能以預定的射擊數來除去剩下的被加工層。


專利範圍

1.一種雷射加工方法,係藉由使用上述共型遮罩的共型雷射加工來除去被加工層,藉此形成在底面露出上述導電膜的孔洞之雷射加工方法,該被加工層包含:第1絕緣層,其係於表面設有共型遮罩,且形成於構成內層電路圖案的導電膜上之被加工層,具有在加工用雷射的波長域的第1吸光度、及第1分解溫度;及第2絕緣層,其係設於上述第1絕緣層下,且具有比在上述波長域的上述第1吸光度更高的第2吸光度、及比上述第1分解溫度更低的第2分解溫度,其特徵為:予以1射擊照射具有第1能量密度的脈衝光,其係不引起上述導電膜的變形及貫通,且能以1射擊來除去上述被加工層的上述第1絕緣層,然後,照射具有第2能量密度的脈衝光,其係比上述第1能量密度小,不引起上述導電膜的變形及貫通,能以預定的射擊數來除去剩下的上述被加工層。 2.如申請專利範圍第1項之雷射加工方法,其中,上述被加工層包含:第3絕緣層,其係設於上述第2絕緣層下,具有在上述波長域的第3吸光度、及第3分解溫度;及第4絕緣層,其係設於上述第3絕緣層下且上述導電膜上,具有比在上述波長域的上述第3吸光度更高的第4吸光度、及比上述第3分解溫度更低的第4分解溫度,藉由具有上述第2能量密度的脈衝光的照射,來除去上述第3絕緣層及第4絕緣層。 3.如申請專利範圍第2項之雷射加工方法,其中,在上述第1絕緣層的背面設置具有步進孔洞的下孔用的共型遮罩之導電膜,選擇不引起具有上述下孔用的共型遮罩之導電膜的變形及貫通的值,作為上述第1及第2能量密度。 4.如申請專利範圍第3項之雷射加工方法,其中,上述第2能量密度對上述第1能量密度的比,係按照上述第1能量密度而設為1/4~2/3。 5.如申請專利範圍第4項之雷射加工方法,其中,上述第1絕緣層係由聚醯亞胺或液晶聚合物所構成,上述第2絕緣層係由環氧系或丙烯系的黏著劑所構成,使用二氧化碳雷射作為上述加工用雷射。 6.一種多層可撓性印刷配線板之製造方法,其特徵係於藉由如申請專利範圍第5項所記載的雷射加工方法來形成的孔洞的內壁實施電鍍處理下,形成用以進行層間連接的孔。 7.如申請專利範圍第2項之雷射加工方法,其中,上述第1絕緣層係由聚醯亞胺或液晶聚合物所構成,上述第2絕緣層係由環氧系或丙烯系的黏著劑所構成,使用二氧化碳雷射作為上述加工用雷射。 8.一種多層可撓性印刷配線板之製造方法,其特徵係於藉由如申請專利範圍第7項所記載的雷射加工方法來形成的孔洞


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