具有增進的溝槽保護之溝槽為基的裝置 TRENCH-BASED DEVICE WITH IMPROVED TRENCH PROTECTION
申請人· 微協通用半導體有限責任公司 VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC 美國 US


專利信息

專利名稱 具有增進的溝槽保護之溝槽為基的裝置
公告號 I517415
公告日 2016/01/11
證書號 I517415
申請號 2013/01/22
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 許志維 HSU, CHIH WEI; 陳世冠 CHEN, MAX
申請人 微協通用半導體有限責任公司 VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC 美國 US
代理人 林志剛
優先權 美國 13/678,571 20121116
參考文獻 US2009/0309181; US2010/0314707; US2012/0187478
審查人員 謝靜旻

專利摘要

一種半導體裝置包括具有第一導電型的半導體基板。將第一層形成在具有該第一導電型的該基板上,並摻雜得比該基板更輕。將至少一溝槽形成在該第一層中。以介電層襯墊該溝槽的該底表面及該等側壁。以導電材料填充該溝槽。將輕摻雜區域形成在具有該第二導電型的該第一層中。將該輕摻雜區域設置在該溝槽的該底表面下。將金屬層設置在該第一層及該導電材料上方。將第一電極形成在該金屬層上方,並將第二電極形成在該基板的背側上。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包含:半導體基板,具有第一導電型;第一層,形成在具有該第一導電型的該基板上,並摻雜得比該基板更輕;形成在該第一層中的至少一溝槽;介電層,襯墊該至少一溝槽的底表面及側壁;導電材料,填充該至少一溝槽;輕摻雜區域,形成在具有第二導電型的該第一層中,將該輕摻雜區域設置在該溝槽的該底表面下;金屬層,設置在該第一層及該導電材料上方並且與該第一層及該導電材料接觸;形成在該基板上並具有該第二導電型的第二層,將該第二層放置成與該溝槽的至少一側相鄰並輕度摻雜,使得尚特基接點形成在設置在該第一層及該導電材料上方的該金屬層及該第二層之間;及形成在該金屬層上方的第一電極,及形成在該基板背側上的第二電極。 2.如申請專利範圍第1項的半導體裝置,其中該輕摻雜區域從該溝槽的該底部延伸。 3.如申請專利範圍第2項的半導體製置,其中該輕摻雜區域圍繞該溝槽的該底部,並與相鄰於該溝槽之該底部的該等側壁部分接觸。 4.如申請專利範圍第1項的半導體裝置,其中該第一層及該金屬層將尚特基接點形成於其間。 5.如申請專利範圍第1項的半導體裝置,其中該第二層形成在該第一層中。 6.如申請專利範圍第5項的半導體裝置,其中該第二層與該溝槽的二側相鄰。 7.如申請專利範圍第1項的半導體裝置,其中該第二層具有比在該金屬層及該第二層之間形成電阻接點所需之摻雜濃度更少的摻雜濃度。 8.一種製造半導體裝置的方法,包含:設置具有第一導電型的半導體基板;將第一層形成在該基板上,該第一層具有第一導電型並摻雜得比該基板更輕;在該第一層中形成至少一溝槽;使用介電層襯墊該至少一溝槽的底表面及側壁;從該溝槽的該底表面回蝕該介電層;經由該溝槽的該底表面將第二導電型的摻雜劑植入該第一層中;使用導電材料填充該至少一溝槽;將金屬層形成在該第一層及該導電材料上方;及將第一電極形成在該金屬層上方,並將第二電極形成在該基板的背側上;將第二層形成在該基板上並具有該第二導電型,將該第二層放置成與該溝槽的至少一側相鄰並輕度摻雜,使得尚特基接點形成在該金屬層及該第二層之間。 9.如申請專利範圍第8項的方法,更包含至少將該介電層使用為遮罩,以將該第二導電型的該摻雜劑植入該第一層中。 10.如申請專利範圍第8項的方法,其中該第一層及該金屬層將尚特基接點形成於其間。 11.一種半導體裝置,包含:半導體基板,具有第一導電型;第一層,形成在具有該第一導電型


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