存儲裝置及製造存儲裝置的方法 EMBEDDED FLASH MEMORY
申請人· 美國博通公司 BROADCOM CORPORATION 美國 US


專利信息

專利名稱 存儲裝置及製造存儲裝置的方法
公告號 I517305
公告日 2016/01/11
證書號 I517305
申請號 2012/09/10
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 夏維 XIA, WEI
申請人 美國博通公司 BROADCOM CORPORATION 美國 US
代理人 莊志強
優先權 美國 13/425,575 20120321
參考文獻 TW200912931A; US4030952; US2006/0170028A1; US2007/0132001A1; US2011/0014757A1
審查人員 郭子鳳

專利摘要

本發明公開了一種存儲裝置及其製造方法。該存儲裝置包括:基板;位於所述基板上的源極;位於所述基板上的汲極;位於所述基板上的浮置閘極介電層;位於所述浮置閘極介電層上的浮置閘極,所述浮置閘極包含金屬;位於所述浮置閘極上的選擇閘極介電層;以及位於所述選擇閘極介電層上的選擇閘極,所述選擇閘極包含金屬。


專利範圍

1.一種存儲裝置,包括:基板;位於所述基板上的源極;位於所述基板上的汲極;位於所述基板上的浮置閘極介電層;位於所述浮置閘極介電層上的浮置閘極,所述浮置閘極包含金屬;位於所述浮置閘極上的選擇閘極介電層;以及位於所述選擇閘極介電層上的選擇閘極,所述選擇閘極包含金屬,其中該浮置閘極與該選擇閘極使用金屬閘極和局部互連金屬形成。 2.一種存儲裝置,包括:包含金屬的浮置閘極;包含金屬的選擇閘極;以及設置在所述浮置閘極與所述選擇閘極之間的介電層;其中,所述選擇閘極包含金屬,該浮置閘極與該選擇閘極使用金屬閘極和局部互連金屬形成。 3.如申請專利範圍第2項所述之存儲裝置,還包括所述存儲裝置的基板。 4.如申請專利範圍第3項所述之存儲裝置,所述介電層為選擇閘極介電層。 5.如申請專利範圍第3項所述之存儲裝置,還包括位於所述基板上的浮置閘極介電層。 6.一種製造存儲裝置的方法,包括:在基板中形成源極和汲極;在所述基板上生長浮置閘極氧化物層;通過在所述浮置閘極氧化物層上沉積第一金屬層來形成浮置閘極;在所述第一金屬層上生長選擇閘極氧化物層;通過對第二金屬層、所述選擇閘極氧化物層、所述第一金屬層和所述浮置閘極氧化物層的部分進行蝕刻來製造互連通孔;以及通過在所述選擇閘極氧化物層上沉積所述第二金屬層來形成選擇閘極,其中該浮置閘極與該選擇閘極使用金屬閘極和局部互連金屬形成。 7.如申請專利範圍第6項所述之製造存儲裝置的方法,其中,所述形成源極和汲極的步驟包括:提供所述基板;在所述基板上熱生長場氧化物層;將第一光致抗蝕劑旋塗到所述基板上;將摻雜掩模置於所述基板上的所述光致抗蝕劑的頂上;從所述摻雜掩模的上方將所述第一光致抗蝕劑的一部分曝露於紫外線(UV)輻射;除去所述摻雜掩模;將曝露的第一光致抗蝕劑顯影;對所述場氧化物層的部分進行蝕刻;除去任何殘留的第一光致抗蝕劑;將摻雜劑材料塗布至經蝕刻的場氧化物層;對塗布的摻雜劑材料應用預沉積過程;除去過量的摻雜劑材料;以及使殘留的摻雜劑材料擴散到所述基板中。 8.如申請專利範圍第7項所述之製造存儲裝置的方法,其中,所述生長浮置閘極氧化物層的步驟包括:將第二光致抗蝕劑旋塗到經摻雜的基板上;將蝕刻掩模置於經摻雜的基板上的所述第二光致抗蝕劑上;從所述蝕刻掩模的上方將所述第二光致抗蝕劑的一部分曝露於紫外線輻射;除去所述蝕刻掩模;將曝露的第二光致抗蝕劑顯影;對所述場氧化物層


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統