半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICES
申請人· 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW


專利信息

專利名稱 半導體裝置
公告號 I517327
公告日 2016/01/11
證書號 I517327
申請號 2012/08/07
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 余振華 YU, CHEN HUA; 史達元 SHIH, DA YUAN
申請人 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 13/370,127 20120209
參考文獻 TW200816419A; US2006/0113681A1
審查人員 謝靜旻

專利摘要

本發明提供防裂的系統與方法。一實施例是包含將一止裂器置入一半導體晶片與一基板之間的一連接裝置。此止裂器可以是空心或實心的柱形,並以防止任何裂縫傳播而通過此止裂器的方式來設置。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包含:一導體墊,位於一基板上;以及一第一止裂器(crack stopper),延伸自該導體墊,該第一止裂器包含成為環形的一第一空心柱體與成為環形的一第二空心柱體;其中該第一空心柱體沿著該導體墊的一外圍區域設置;以及該第二空心柱體置於該第一空心柱體的橫向內側,而使該第一空心柱體圍繞該第二空心柱體。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該第一空心柱體在其環形中具有一第一開口,該第二空心柱體在其環形中具有一第二開口。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該第一開口在該第二空心柱體的垂直投影的位置,是在該第二開口以外的位置。 4.如申請專利範圍第1至3項任一項所述之半導體裝置,其中該導體墊包含:一接觸墊;以及一凸塊下金屬,在該導體墊上;其中該第一止裂器是延伸自該凸塊下金屬。 5.一種半導體裝置,包含:一導體墊,位於一基板上;以及一第一止裂器,延伸自該導體墊,該第一止裂器為不連續的環形並沿著該導體墊的一外圍區域設置,該不連續的環形包含複數個弧形物,每個該些弧形物的兩端分別重疊於相鄰的弧形物的對應端,成為複數個部分重疊的弧形物。 6.如申請專利範圍第5項所述之半導體裝置,其中該導體墊包含:一接觸墊;以及一凸塊下金屬,在該導體墊上;其中該第一止裂器是延伸自該凸塊下金屬。 7.一種半導體裝置,包含:位於一基底上的一凸塊下金屬,該凸塊下金屬包含一中心區域與圍繞該中心區域的一外圍區域;一第一止裂器,位於該外圍區域中的該凸塊下金屬上,該第一止裂器具有一第一圓形;具有一第二圓形的一第二止裂器與具有一第三圓形的一第三止裂器,該第一止裂器、該第二止裂器、與該第三止裂器是在該外圍區域中彼此橫向分離,該第一圓形、該第二圓形、與該第三圓形為實心的圓形;以及具有一第四圓形的一第四止裂器,該第四止裂器是設置在該凸塊下金屬的該中心區域中。 8.如申請專利範圍第7項所述之半導體裝置,更包含:一支持基板,其具有面向該凸塊下金屬的一導體層;一第五止裂器,位於該導體層上;以及一導體材料,其接觸該第一止裂器、該第二止裂器、該第三止裂器、該第四止裂器與該第五止裂器的全部。 9.一種半導體裝置,包含:一導體區,位於一第一半導體基板上;一第一止裂器位於該導體區上,該第一止裂器具有一銲線,該銲線以銲線接合的方式與該第一半導體基板上的該導體區接合;以及一導體材料,其與該導體區接觸並將該


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統