三級電晶體串疊之功率放大器 TRIPLE CASCODE POWER AMPLIFIER
申請人· 瑞昱半導體股份有限公司 REALTEK SEMICONDUCTOR CORP. 新竹市新竹科學園區創新二路2號 TW


專利信息

專利名稱 三級電晶體串疊之功率放大器
公告號 I517557
公告日 2016/01/11
證書號 I517557
申請號 2013/01/31
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 任根生 RAN, GEN SHENG; 王柏之 WANG, PO CHIH; 陳家源 CHAN, KA UN
申請人 瑞昱半導體股份有限公司 REALTEK SEMICONDUCTOR CORP. 新竹市新竹科學園區創新二路2號 TW
代理人 葉信金
優先權
參考文獻 US6052025A; US7656230B2; US7821339B1; US7936187B1; US2010/0327976A1
審查人員 劉明諭

專利摘要

一種三級電晶體串疊之功率放大器,包含一第一級電晶體對、一第二級電晶體對、以及一第三級電晶體對。第一級電晶體對為低壓元件,包含有兩個第一級電晶體,兩第一電晶體分別接收極性反向之兩動態偏壓。第二級電晶體對為低壓元件,耦接該第一級電晶體對形成一第一節點,第二級電晶體對包含有兩個第二級電晶體,兩第二電晶體相互耦接形成一第二節點。而第三級電晶體對為高壓元件,耦接第二級電晶體對,第三級電晶體對包含有兩個第三級電晶體,用以輸出一差動訊號。其中,功率放大器轉換差動訊號為一單端訊號後輸出。


專利範圍

1.一種三級電晶體串疊之功率放大器,包含:一第一級電晶體對,為低壓元件,包含有兩個第一級電晶體,該兩第一電晶體分別接收極性反向之兩動態偏壓;一第二級電晶體對,為低壓元件,耦接該第一級電晶體對形成一第一節點,該第二級電晶體對包含有兩個第二級電晶體,該兩第二電晶體相互耦接形成一第二節點;以及一第三級電晶體對,為高壓元件,耦接該第二級電晶體對,該第三級電晶體對包含有兩個第三級電晶體,用以輸出一差動訊號;其中,該功率放大器轉換該差動訊號為一單端訊號後輸出;一控制電路,用以產生由該第二節點接收之一控制訊號,以控制該第一節點對地之電壓於一預設範圍;其中該控制電路包含有:一運算放大器,其第一輸入端接收一第一電壓,以於輸出端產生該控制訊號;一第一電流源,用以提供一電流;一第二電晶體,其閘極耦接該運算放大器之輸出端以形成一第三節點,汲極耦接該第一電流源,源極耦接該運算放大器之一第二輸入端,以形成一第四節點;一第一電晶體,其汲極耦接該第四節點,其源極接地;其中該第二節點耦接該第三節點,且該第一電晶體與該第一級電晶體之放大係數成一比例關係,該第二電晶體與該第二級電晶體之放大係數成一比例關係,該第一節點對應該第四節點之電壓作相對應之變化。 2.如申請專利範圍第1項所述之放大器,更包含一平衡轉不平衡單元,耦接該差動訊號,轉換該差動訊號以輸出該單端訊號。 3.如申請專利範圍第1項所述之放大器,更包含一動態偏壓源,用以產生該兩極性反向之動態偏壓。 4.如申請專利範圍第1項所述之放大器,其中該第四節點之電壓依據該第一電壓之調整作相對應之變化。 5.如申請專利範圍第1項所述之放大器,其中該控制電路更包含:一第一電阻,其第一端耦接該第二電晶體之汲極,該第一電阻之第二端耦接該第一電晶體之閘極;一第二電流源,其第一端耦接該第一電阻之第二端,該第二電流源之第二端接地;一第二電阻,其第一端耦接該第二電流源之第一端,該第二電阻之第二端耦接該兩動態偏壓之其中之一;以及一第三電阻,其第一端耦接該第二電阻之第一端,該第三電阻之第二端耦接另一該動態偏壓。 6.一種多級電晶體串疊之功率放大器,包含:至少一第一級電晶體對,為低壓元件,每該第一級電晶體對包含有兩個第一級電晶體,該兩第一電晶體分別接收極性反向之兩動態偏壓;至少一第二級電晶體對,為低壓元件,耦接對應之該第一級電晶體對形成至少一第一節點,每該第二級電晶體對包含有兩


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統