陶瓷加工



  • 陶瓷加熱器

    公告號:200304757 - 日本子股份有限公司 NGK INSULATORS, LTD. 日本

    1.1. 一種陶瓷加熱器,由陶瓷所構成,且由具有被加熱物設置面的基座、埋設在基座中之電阻發熱體及電氣性連接到電阻發熱體端部之結合構件所構成,其特徵在於:至少為一個的結合構件之外形可以是略呈球狀、略呈橢圓體狀或略呈圓柱體狀,其包括將電阻發熱體端部藉由斂縫方式加以固定之固定部。 2.2. 如申請專利範圍

  • 陶瓷加熱器、陶瓷加熱器之製造方法、以及金屬元件之埋設品

    公告號:200304756 - 日本子股份有限公司 NGK INSULATORS, LTD. 日本

    1.1.一種陶瓷加熱器,包括:陶瓷燒結體;及電阻發熱體,用於接觸前述燒結體,其特徵在於:前述電阻發熱體係含有自元素週期表4a、5a及6a族元素中選出一種以上金屬元素所構成之金屬,及前述金屬之碳化物;藉由X線繞射法所測得之金屬碳化物主強度峰值(Ic)合計值相對於金屬主強度峰值(Im)合計值之比率(Ic

  • 氮化鋁燒結體、陶瓷基板、陶瓷加熱器及靜電夾頭

    公告號:200304909 - IBIDEN股份有限公司 日本

    1.1、一種陶瓷基板,係在內部或表面具有導電體者,其特徵在於:係將陶瓷基板燒結成其破壞截面呈粒子內破壞。

  • 半導體製造裝置用陶瓷加熱器

    公告號:200411769 - 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 日本

    1.一種半導體製造裝置用陶瓷加熱器,其特徵為具有位於陶瓷基板表面或內部之電阻發熱體,未加熱時,該陶瓷加熱器厚度方向之最大外徑與最小外徑之差係設定為晶圓載置面之平均外徑的0.8%以下。 2.如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置用陶瓷加熱器,其中前述陶瓷基板係由氮化鋁、氮化矽、氮氧化鋁、碳化矽中至少選擇

  • 半導體製造裝置用陶瓷加熱器

    公告號:200411768 - 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 日本

    1.一種半導體製造裝置用陶瓷加熱器,其特徵為具有位於陶瓷基板表面或內部之電阻發熱體,且於電阻發熱體之剖面,該電阻發熱體之底面與側面所形成之最小角度 θ 係設定為5°以上。 2.如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置用陶瓷加熱器,其中將晶圓載置於晶圓載置面並通電加熱電阻發熱體時,晶圓表面溫度之不均在使用

  • 半導體製造裝置用陶瓷加熱器

    公告號:200414351 - 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 日本

    1.一種半導體製造裝置用陶瓷加熱器,其特徵為具有位於陶瓷基板表面或內部之電阻發熱體,且未加熱時之晶圓載置面翹曲形狀係呈0.001~0.7 mm/300 mm之凹狀。 2.如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置用陶瓷加熱器,其中前述陶瓷基板係由氮化鋁、氮化矽、氮氧化鋁、碳化矽中至少選擇一種。 3.如申請

  • 陶瓷構件,陶瓷加熱器,基板載置機構,基板處理裝置,以及陶瓷構件的製造方法

    公告號:200715902 - 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本

    1.一種陶瓷構件,屬於具有容易成為破壞起點的部位的陶瓷構件,其特徵為:在容易成為上述破壞起點的部位發生壓縮應力。 2.一種陶瓷加熱器,其特徵為:具有:陶瓷構件所構成的本體,及埋設在本體內的發熱體,及饋電於上述發熱體的饋電部;在上述本體的上述饋電部近旁部分賦予壓縮應力。 3.一種基板載置機構,屬於在基

  • 陶瓷加熱器及其製造方法與加熱器供電零件

    公告號:200735691 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本

    1.一種陶瓷加熱器,備置有:板狀構件,形成有至少一對以上之貫通孔,以絕緣性陶瓷所製;導電層,形成於該板狀構件上,以導電性陶瓷所製;及被覆層,形成於該導電層上,以絕緣性陶瓷所製;其特徵在於:於該板狀構件之貫通孔插入有導電性陶瓷所製之連接構件,插入於該連接構件之貫通孔之端面,與形成有該板狀構件之導電層之

  • 陶瓷加熱器及陶瓷加熱器之製造方法

    公告號:200735690 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本

    1.一種陶瓷加熱器,包含:板狀構件,以至少形成有一對以上之貫通孔之絕緣性陶瓷構成;棒狀構件,由一端設有供電端子,另一端插入於該板狀構件之貫通孔之導電性陶瓷構成;導電層,由形成於該板狀構件上之導電性陶瓷構成;及包覆層,形成於該導電層上之絕緣性陶瓷構成;其特徵為:該棒狀構件之設有供電端子之一側的相反側之

  • 陶瓷加熱器及固定一熱電偶至該陶瓷加熱器的方法

    公告號:200746874 - 瓦特洛威電子製造公司 WATLOW ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY 美國

    1.一種陶瓷加熱器,包含:一陶瓷基板;及至少一熱電偶,係用以測量該陶瓷基板之溫度者,且該至少一熱電偶包括一直接接合至該陶瓷基板上之接點。 2.如申請專利範圍第1項之陶瓷加熱器,其中該接點利用一活性硬焊材料結合至該陶瓷基板上。 3.如申請專利範圍第2項之陶瓷加熱器,其中該活性硬焊材料係選自於由Au-C

  • 用於陶瓷加熱器之電源端子及其製造方法

    公告號:200810291 - 瓦特洛威電子製造公司 WATLOW ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY 美國

    1.一種陶瓷加熱器,包含:一陶瓷基板;一電阻加熱元件,係與該陶瓷基板連接者;一端子,係可電氣連接該電阻加熱元件至一電源者;及一中間層,係設置在該端子與該陶瓷基板之間,且該中間層係選自於由鉬/氮化鋁(MO/AlN)及鎢/氮化鋁(W/AlN)構成之群者。 2.如申請專利範圍第1項之陶瓷加熱器,其中該陶瓷

  • 附設靜電吸盤之陶瓷加熱器

    公告號:200834801 - 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本

    1.一種附設靜電吸盤之陶瓷加熱器,於基材之一面具有靜電吸盤用電極,於另一面具有加熱用電極,其特徵在於:該基材由碳或是碳複合材料所構成,該靜電吸盤用電極藉由以介電材料層構成之保護膜加以覆蓋,該保護膜(介電材料層)之膜厚在50 μ m以上、200 μ m以下之範圍內,且該保護膜(介電材料層)之(覆蓋靜電

  • 陶瓷加熱器及其製造方法與應用其之形成薄膜之沈積裝置

    公告號:200932032 - 高美科股份有限公司 KOMICO LTD. 南韓

    1.一種陶瓷加熱器,包括:一平板,用以支撐一基板,該平板包括一陶瓷材料,該陶瓷材料係為對一陶瓷粉末進行一次燒結製程所燒結而成;以及一加熱單元,設置於該平板之一內部並產生用以加熱該基板的熱量,在該一次燒結製程中,該加熱單元係設置於該陶瓷粉末內。 2.如申請專利範圍第1項所述之陶瓷加熱器,更包括:一電極

  • 陶瓷加熱器及其製造方法與其形成薄膜之裝置

    公告號:201010493 - 高美科股份有限公司 KOMICO LTD. 南韓 KR

    1.一種陶瓷加熱器,包括:一平板,包括一陶瓷材料並用以支撐一基板;一第一加熱層,設於該平板內;一第二加熱層,平行於該第一加熱層設於該平板內並連接於一用以提供驅動能源的能源供應器;以及一連接元件,設於該第一加熱層與該第二加熱層之間,當溫度高於一預設目標溫度時,該連接元件電性連接該第一加熱層與該第二加熱

  • 陶瓷加熱器及其製造方法

    公告號:201041424 - 日本碍子股份有限公司 NGK INSULATORS, LTD. 日本 JP

    1.一種陶瓷加熱器的製造方法,在體積電阻率10 15 Ωcm以上的氮化鋁燒結體構成的一對的外層,中間隔著金屬網狀物構成的電阻發熱體,而夾住氮化鋁粉末作為主體、且包含0.03~1重量%的稀土類氧化物粉末的低溫燒結原料粉構成的內層成形體的正反兩面的狀態下,於1600~1750℃熱壓煅燒而得到陶瓷加熱器。