半導體發光裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
申請人· 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP


專利信息

專利名稱 半導體發光裝置及其製造方法
公告號 I517459
公告日 2016/01/11
證書號 I517459
申請號 2013/03/12
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 富澤英之 TOMIZAWA, HIDEYUKI; 小島章弘 KOJIMA, AKIHIRO; 島田美代子 SHIMADA, MIYOKO; 秋元陽介 AKIMOTO, YOSUKE; 杉崎吉昭 SUGIZAKI, YOSHIAKI; 古山英人 FURUYAMA, HIDETO
申請人 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2013-018955 20130201
參考文獻 TW201031033; TW201244183; US2011/0073890A1; US2012/0074441A1; US2012/0138988A1
審查人員 翁佑菱

專利摘要

本發明係一種半導體發光裝置及其製造方法,有關實施形態之半導體發光裝置係具備:半導體層,和設置於前述半導體層之p側電極及n側電極,和電性連接於前述p側電極之p側配線層,和電性連接於前述n側電極之n側配線層。更且,具備:具有相向於前述半導體層,前述p側配線層及前述n側配線層之第3的面,和與前述第3的面相反側之第4的面之支持基板。對於前述p側配線層及前述n側配線層,和前述支持基板之間係設置有接合層,前述支持基板係具有連通於前述p側配線層之第1開口,和連通於前述n側配線層之第2開口。並且,更具備電性連接於前述p側配線層之p側端子,和電性連接於前述n側配線層之n側端子。


專利範圍

1.一種半導體發光裝置,具備:具有第1面、前述第1面之相反側之第2面、及接觸前述第1面的側面,包含發光層之半導體層;設置於前述半導體層上之第1電極;設置於前述半導體層上之第2電極;被覆前述第2面及前述側面並圍繞前述半導體層而具有延伸部之第1絕緣膜,其中前述第1面位於一高度,該高度高於前述第2面且低於前述第1絕緣膜之前述延伸部的上表面;隔著前述第1絕緣膜之第1開口電性連接至前述第1電極的第1配線層;隔著前述第1絕緣膜之第2開口電性連接至前述第2電極的第2配線層;相向於前述第1絕緣膜、前述第1配線層之一部分及前述第2配線層的一部分之支持基板;設置於前述支持基板與前述第1絕緣膜間的接合層;延伸穿過並接觸前述支持基板及前述接合層,且電性連接於前述第1配線層之第1端子電極,以及延伸穿過並接觸前述支持基板及前述接合層,且電性連接於前述第2配線層之第2端子電極。 2.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其更具備設置於前述第1面之側,含有經由前述發光層之放射光所激發之螢光體的螢光體層,前述螢光體之放射光的光譜之峰值波長係較前述發光層之放射光的光譜之峰值波長為長。 3.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其中,前述半導體層係具有p形半導體層、和n形半導體層,前述發光層係設置於前述p形半導體層和前述n形半導體層之間,前述第1電極係接觸於前述p形半導體層,而前述第2電極係接觸於前述n形半導體層。 4.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其中,前述第1端子電極與前述第1配線層之外緣內側的第1配線層接觸,且前述第2端子電極與前述第2配線層之外緣內側的第2配線層接觸。 5.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其中,前述第1端子電極包含延伸穿過前述支持基板及前述接合層之第1金屬柱,前述第2端子電極包含延伸穿過前述支持基板及前述接合層之第2金屬柱。 6.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其中:前述第1端子電極包含設置於開口內面之金屬層,前述金屬層係被形成穿過前述支持基板及前述接合層且與前述第1配線層相接,前述第2端子電極包含設置於開口內面之金屬層,前述金屬層係被形成穿過前述支持基板及前述接合層且與前述第2配線層相接,且前述第1端子電極和前述第2端子電極各延伸於與前述接合層接觸之表面相對的前述支持基板之表面上。 7.如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置,其中,前述


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統