電漿處理裝置 PLASMA PROCESSING APPARATUS
申請人· 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本 JP


專利信息

專利名稱 電漿處理裝置
公告號 I517281
公告日 2016/01/11
證書號 I517281
申請號 2011/05/10
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 飯塚八城 IIZUKA, HACHISHIRO
申請人 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本 JP
代理人 周良謀; 周良吉
優先權 日本 2010-113262 20100517
參考文獻 JPH10-98033A; US6471830B1; US7452827B2; US2003/0209324A1; US2010/0089319A1
審查人員 修宇鋒

專利摘要

本發明提供一種電漿處理裝置,其比起以往可謀求處理的面內均一性之提升,並可謀求裝置的小型化與處理效率的提升,且可易於變更上部電極與下部電極之間的間隔。 一種電漿處理裝置,具有:下部電極,設於處理室內;上部電極,具有作為噴頭之功能,且可上下移動;蓋體,設於上部電極的上側,將處理室的上部開口氣密地封閉;複數之排氣孔,形成於上部電極的對向面;環狀構件,以沿著上部電極的周緣部而朝下方突出之方式設置,與上部電極連動而可上下移動,並於下降位置中形成有由下部電極與上部電極與該環狀構件所圍繞之處理空間;以及線圈,於環狀構件的內壁部分,收納於介電材料製的容器內所配置。


專利範圍

1.一種電漿處理裝置,其特徵為具有:下部電極,設於處理室內,兼作為用以載置基板的載置台;上部電極,以面對該下部電極之方式設於該處理室內,具有作為從面對該下部電極之對向面所設置之複數氣體吐出孔將氣體朝該基板供給的噴頭之功能,且可上下移動,可變更與該下部電極的間隔;蓋體,設於該上部電極的上側,將該處理室的上部開口氣密地封閉,以便將該蓋體與該上部電極之間的蒙氣和該處理室外的蒙氣隔離開來;環狀構件,以沿著該上部電極的周緣部而朝下方突出之方式設置,與該上部電極連動而可上下移動,當其位於下降位置時,形成由該下部電極與該上部電極與該環狀構件所圍繞之處理空間;以及線圈,於該環狀構件的內壁部分,以收納於介電材料製的容器內而與該處理空間氣密地隔離之狀態配置,藉由施加高頻電力而使電感電漿產生;其中以貫通該上部電極之方式形成有多數個排氣孔,以使得接觸到該上部電極之上表面的空間、與接觸到該對向面的空間互相連通;且該環狀構件的內徑係設定成相較於該下部電極的外徑較大,且在該環狀構件與該上部電極連動而下降時,該環狀構件包圍該下部電極之周圍,以使得該對向面與該下部電極的上表面之間的距離相較於該環狀構件的垂直長度較小。 2.如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置,其中,該環狀構件係由受絕緣性的被膜包覆之鋁材所構成。 3.如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置,其中,該介電材料製的容器內,係採用大氣,或採用非活性氣體的蒙氣且壓力為1330Pa以上大氣壓以下。 4.如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置,其中,該線圈,由管狀的中空導體所構成,於其內部導入有調溫用媒體。 5.如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置,其中,對該線圈所施加的高頻電力的頻率,係450KHz~2MHz之範圍。 6.如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置,其中,該環狀構件與該上部電極係固定成可電性導通的狀態,該環狀構件係由表面以絕緣層所包覆之金屬片所構成而具有可撓性之片狀纜線,連接至接地電位。 7.如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置,其中,促使該環狀構件與該上部電極上下移動之驅動機構,係藉由電動缸筒進行多軸驅動。 8.如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置,其中,在該處理室的側壁之該下部電極與該上部電極之間的位置,設有用以將該基板送入/送出的可自由開閉之開口部,在使該環狀構件上升的狀態下進行該基板的送入/送出。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統