封裝結構及其製作方法 PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
申請人· 旭德科技股份有限公司 SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD. 新竹縣工業區光復北路8號 TW


專利信息

專利名稱 封裝結構及其製作方法
公告號 I517321
公告日 2016/01/11
證書號 I517321
申請號 2014/12/08
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 陳建銘 CHEN, CHIEN MING
申請人 旭德科技股份有限公司 SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD. 新竹縣工業區光復北路8號 TW
代理人 葉璟宗; 詹東穎; 劉亞君
優先權
參考文獻 TW424308; TW201227884A; US6506632B1; US2010/0072588A1; US2011/0068468A1
審查人員 修宇鋒

專利摘要

一種封裝結構包括第一基板、圖案化防焊層、多個第一導熱凸塊、晶片及第二基板。第一基板包括第一圖案化金屬層、第二圖案化金屬層、相對的第一表面及第二表面。第一及第二圖案化金屬層分別設置於第一及第二表面上。圖案化防焊層設置於第一及第二圖案化金屬層上並暴露部份第一及第二圖案化金屬層。第一導熱凸塊設置於暴露的第一圖案化金屬層上並與其熱耦接。晶片設置於第一表面上。晶片電性連接第一圖案化金屬層並熱耦接第一導熱凸塊。各第一導熱凸塊的相對兩端分別連接第一及第二基板,且第一導熱凸塊熱耦接第二基板。


專利範圍

1.一種封裝結構的製作方法,包括:提供一第一基板,該第一基板具有一第一表面、相對於該第一表面的一第二表面、一第一金屬層以及一第二金屬層,其中該第一金屬層以及該第二金屬層分別設置於該第一表面以及該第二表面上;分別對該第一金屬層以及該第二金屬層進行圖案化製程,以分別形成一第一圖案化金屬層以及一第二圖案化金屬層;形成一圖案化防焊層於該第一圖案化金屬層以及該第二圖案化金屬層上,該圖案化防焊層暴露至少部份該第一圖案化金屬層以及該第二圖案化金屬層;形成多個第一導熱凸塊於暴露的該第一圖案化金屬層上,且各該第一導熱凸塊熱耦接該第一圖案化金屬層;設置一第一半導體元件於該第一表面上,且該第一半導體元件電性連接該第一圖案化金屬層並與該些第一導熱凸塊熱耦接;透過該些第一導熱凸塊將一第二基板連接至該第一基板上,其中,各該第一導熱凸塊的相對兩端分別連接該第一基板以及該第二基板,以使該第一半導體元件位於該第一基板及該第二基板之間,且該些第一導熱凸塊與該第二基板熱耦接;形成多個第二導熱凸塊於暴露的該第二圖案化金屬層上,且各該第二導熱凸塊熱耦接該第二圖案化金屬層;設置一第二半導體元件於該第二表面上,且該第二半導體元件電性連接該第二圖案化金屬層並與該些第二導熱凸塊熱耦接;以及透過該些第二導熱凸塊將一第三基板連接至該第一基板上,其中,各該第二導熱凸塊的相對兩端分別連接該第一基板以及該第三基板且該些第二導熱凸塊與該第三基板熱耦接。 2.如申請專利範圍第1項所述的封裝結構的製作方法,其中提供該第一基板的步驟包括:形成一核心層,該核心層具有一第三金屬層以及一第四金屬層,該第三金屬層及該第四金屬層分別覆蓋該核心層的相對兩表面;分別對該第三金屬層以及該第四金屬層進行圖案化製程,以分別形成一第三圖案化金屬層以及一第四圖案化金屬層;形成貫穿該核心層的一容置槽;將該核心層設置於一膠帶上,該容置槽暴露部份該膠帶;設置至少一第三半導體元件於該容置槽所暴露的部份該膠帶上,以使該第三半導體元件位於該容置槽內;往靠近該第三圖案化金屬層的方向壓合一第一疊構層於該核心層上,該第一疊構層包括一第一介電層以及該第一金屬層,該第一介電層覆蓋至少部份該第三半導體元件;移除該膠帶;往靠近該第四圖案化金屬層的方向壓合一第二疊構層於該核心層上,該第二疊構層包括一第二介電層以及該第二金屬層,該第二介電層與該第一介電層共同包覆該第三半導體元件;以及形


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統