半導體元件及其製作方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
申請人· 鈺橋半導體股份有限公司 BRIDGE SEMICONDUCTOR CORP. 臺北市北投區立德路157號3樓 TW


專利信息

專利名稱 半導體元件及其製作方法
公告號 I517322
公告日 2016/01/11
證書號 I517322
申請號 2015/02/17
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 林 文強 LIN, CHARLES W. C; 王家忠 WANG, CHIA CHUNG
申請人 鈺橋半導體股份有限公司 BRIDGE SEMICONDUCTOR CORP. 臺北市北投區立德路157號3樓 TW
代理人 林義傑; 黃仕翰
優先權 美國 61/941,656 20140219
參考文獻 TW200945461A; TW201218468A; TW201320255A; TW201324700A
審查人員 詹利澤

專利摘要

本發明是關於一種半導體元件之製作方法,其具有下述特徵步驟:將晶片-中介層堆疊次組體貼附至散熱件,並使晶片插入散熱件之凹穴中,且中介層側向延伸於凹穴外。在貼附中介層堆疊次組體及封膠後,執行中介層背面製程,以完成中介層製作。散熱件可作為散熱用,製作完成之中介層則提供晶片之初級扇出路由。此外,於此製作方法中,增層電路係電性耦接至中介層,以提供進一步之扇出路由。


專利範圍

1.一種半導體元件之製作方法,包含以下步驟:提供一晶片;提供一中介層半成品,其包含具有一第一表面及一相對第二表面之一基板、於該基板之該第一表面上之複數個接觸墊、以及複數個金屬化導孔,其中每一該些金屬化導孔係形成於該基板中,並且具有電性耦接至該些接觸墊之一第一端、以及與該基板之該第二表面保持距離的一相對第二端;藉由複數個凸塊電性耦接該晶片至該中介層半成品之該些接觸墊,以形成一晶片-中介層堆疊次組體;提供一散熱件,其具有相對之一第一表面及一第二表面、以及形成於該第二表面之一凹穴;使用一導熱材料貼附該晶片-中介層堆疊次組體至該散熱件,並使該晶片插入該凹穴中,且該中介層半成品側向延伸於該凹穴外;提供一封膠層,以覆蓋該散熱件之該第二表面及該中介層半成品;移除部分該封膠層及部分該中介層半成品,以顯露該些金屬化導孔之該些第二端,並使該基板具有與該些金屬化導孔之該些第二端實質上共平面之一外露第二表面;於該基板之該外露第二表面上形成複數路由線路,以製作完成一中介層,其中該中介層包括分別位於其相對第一表面及第二表面上之該些接觸墊及該些路由線路、以及電性耦接至該些接觸墊及該些路由線路之該些金屬化導孔;以及於該封膠層及該中介層之該第二表面及該些路由線路上形成一增層電路,其中該增層電路係藉由該增層電路之複數導電盲孔電性耦接至該中介層之該些路由線路。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中電性耦接該晶片至該中介層半成品之該些接觸墊之該步驟係以面板規模進行,並且於貼附該晶片-中介層堆疊次組體至該散熱件之該步驟前執行一單片化步驟,以分離個別的晶片-中介層堆疊次組體。 3.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該增層電路包含複數額外之導電盲孔,以電性耦接至該散熱件。 4.一種半導體元件,其係藉由下述步驟製成:提供一晶片;提供一中介層半成品,其包含具有一第一表面及一相對第二表面之一基板、於該基板之該第一表面上之複數個接觸墊、以及複數個金屬化導孔,其中每一該些金屬化導孔係形成於該基板中,並且具有電性耦接至該些接觸墊之一第一端、以及與該基板之該第二表面保持距離的一相對第二端;藉由複數個凸塊電性耦接該晶片至該中介層半成品之該些接觸墊,以形成一晶片-中介層堆疊次組體;提供一散熱件,其具有相對之一第一表面及一第二表面、以及形成於該第二表面之一凹穴;使用一導熱材料貼附該晶片-中介層堆疊次組體至該散熱件,並使該晶片


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統