鈦蝕刻液



  • 鈦蝕刻液配方

    公告號:200706699 - 巴斯夫股份有限公司 BASF AKTIENGESELLSCHAFT 德國

    1.一種鈦蝕刻液配方,該配方至少包括:氫氟酸;一腐蝕抑制劑;以及水。 2.如申請專利範圍第1項所述之鈦蝕刻液配方,其中氫氟酸的重量百分比為0.05%~49%。 3.如申請專利範圍第1項所述之鈦蝕刻液配方,其中該腐蝕抑制劑的重量百分比為0.1%~99.9%。 4.如申請專利範圍第1項所述之鈦蝕刻液配方

  • 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(4)

    公告號:I522495 - 東友精細化工有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物,以該組成物總重為基準,包括:5至20wt%過硫酸鹽;0.01至2wt%氟化合物;1至10wt%選自於無機酸、無機酸鹽、及其混合物中之一者或多者;0.3至5wt%選自於由5-胺基四唑、甲苯基三唑、苯并三唑、及甲基苯并三唑所組成之群組之環狀胺化合物;1至10wt%

  • 銅/鈦系多層薄膜用的蝕刻液

    公告號:I518206 - 三菱瓦斯化學股份有限公司 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 日本 JP; 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA 日本 JP

    1.一種含有銅層及鈦層的多層薄膜用的蝕刻液,包含(A)過氧化氫4.5~7.5質量%、(B)硝酸3~6質量%、(C)氟離子供給源0.1~0.5質量%、(D)唑(azole)類0.1~0.5質量%、(E)第四級氫氧化銨3~6質量%及(F)過氧化氫安定劑0.01~0.1質量%,且pH為1.5~2.5。

  • 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(2)

    公告號:I510675 - 東友精細化工有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物,其以該組成物總重為基準,係包括:5至20wt%過硫酸鹽;0.01至2wt%氟化合物;1至10wt%選自無機酸、無機酸鹽、及其混合物中之一者或多者;0.3至5wt%環狀胺化合物;0.1至5wt%氯化合物;0.1至5wt%對甲苯磺酸;及剩餘為水,其中該環狀胺化合物

  • 鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或此等之氮化物的蝕刻液

    公告號:I460310 - 昭和電工股份有限公司 SHOWA DENKO K. K. 日本 JP

    1.一種鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之氮化物的蝕刻液,其特徵為包含10~40質量%之過氧化氫、0.1~5質量%之有機酸鹽及水,其中有機酸鹽為選自檸檬酸三銨、甲酸銨、草酸銨、酒石酸銨、苯甲酸銨、琥珀酸銨、檸檬酸氫二銨、檸檬酸三鉀、檸檬酸三鈉、草酸鈉、苯甲酸鉀、苯甲酸鈉之至少一種。2.一種鈦

  • 用於具有鈦及鋁層之金屬層積膜的蝕刻液組成物

    公告號:I444488 - 關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA 日本 JP

    1.一種用以對作為基底的基板不造成不良影響而總括地將金屬層積膜蝕刻為錐狀且蝕刻後的錐形角度(taper angle)為30~90度的蝕刻液組成物,該金屬層積膜係形成於液晶顯示器用玻璃基板、半導體裝置用矽基板或是化合物半導體基板上,且含有鈦或以鈦作為主成分之合金所構成的層、及鋁或以鋁作為主成分之合金所

  • 鈦、鋁金屬層積膜之蝕刻液組成物

    公告號:I405875 - 關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA 日本 JP

    1.一種蝕刻液組成物,係用以總括地蝕刻金屬層積膜,該金屬層積膜含有由鈦或以鈦作為主成分之合金所構成的層、及由鋁或以鋁作為主成分之合金所構成的層,該蝕刻液組成物只有使用氟化合物、氧化劑及水來作為構成原料而成,該氟化合物為選自由氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟矽酸、六氟矽酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸及四氟硼酸的

  • 鈦或鈦合金用蝕刻液

    公告號:I360586 - 三菱瓦斯化學股份有限公司 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 日本 JP

    1.一種蝕刻液,其係在有不容許被蝕刻之選自銅、錫、錫合金以及鋁所組成群中之至少一種金屬的存在下,可以選擇性蝕刻鈦或鈦合金之蝕刻液,其特徵係由含有10~40重量%的過氧化氫、0.05~5重量%的磷酸、0.001~0.1重量%的膦酸系化合物、以及氨之水溶液所構成。2.如申請專利範圍第1項之蝕刻液,其

  • 銅層及鈦層蝕刻液組成物,以及使用該組成物於製備液晶顯示器陣列基板之方法

    公告號:201534690 - 東友精細化工有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種蝕刻一銅層與一鈦層的蝕刻液組成物,該組成物包含:過硫酸鹽與磺基水楊酸。 2.如申請專利範圍第1項所述之蝕刻液組成物,其中該過硫酸鹽為選自由過硫酸銨、過硫酸鈉與過硫酸鉀所組成之一群組中的至少一者。 3.如申請專利範圍第1項所述之蝕刻液組成物,其進一步地包括選自由氟化合物、無機酸或其鹽類、有機酸

  • 總括蝕刻具有鈦和鈦合金的金屬積層膜之蝕刻液組成物

    公告號:201335433 - 關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA 日本 JP

    1.一種蝕刻液,其用於總括蝕刻金屬積層膜,該金屬積層膜是由至少一層的鈦或鈦合金層、及至少一層的其他金屬層所構成,其中,該蝕刻液包含:含氟之酸或使該酸產生之氟化物、及氟可配位之離子。 2.如請求項1所述的蝕刻液,其中,至少一層的其他金屬層,是由銅層或銅合金層所構成的金屬積層膜。 3.請求項2所述的蝕刻

  • 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物

    公告號:201309849 - 東友FINE CHEM股份有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物,其係包括過硫酸鹽、含氟化合物、無機酸、環狀胺化合物、含氯化合物、磷酸鹽、及水。 2.如申請專利範圍第1項之蝕刻液組成物,其係包括按組成物總重量計為5~20重量%之過硫酸鹽、0.01~2重量%之含氟化合物、1~10重量%之無機酸、0.3~3重量%之環狀胺化合物、

  • 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(2)

    公告號:201204875 - 東友FINE CHEM股份有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物,其以該組成物總重為基準,係包括:5至20 wt%過硫酸鹽;0.01至2 wt%氟化合物;1至10 wt%選自無機酸、無機酸鹽、及其混合物中之一者或多者;0.3至5 wt%環狀胺化合物;0.1至5 wt%氯化合物;0.1至5 wt%對甲苯磺酸;及剩餘為水。 2.

  • 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(3)

    公告號:201204874 - 東友FINE CHEM股份有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物,以該組成物總重為基準,包括:5至20 wt%過硫酸鹽;0.01至2 wt%氟化合物;1至10 wt%選自於無機酸、無機酸鹽、及其混合物中之一者或多者;0.3至5 wt%環狀胺化合物;0.1至5 wt%對甲苯磺酸;及剩餘為水。 2.如申請專利範圍第1項之蝕刻液組

  • 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物 (1)

    公告號:201142085 - 東友FINE CHEM股份有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物,其以該組成物總重為基準,係包括:5至20 wt%過硫酸鹽;0.01至2 wt%氟化合物;1至10 wt%選自無機酸、無機酸鹽、及其混合物中之一者或多者;0.3至5 wt%環狀胺化合物;0.01至8 wt%選自氯化合物及銅鹽中之一者或多者;及剩餘為水。 2.如申

  • 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(4)

    公告號:201142084 - 東友FINE CHEM股份有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物,以該組成物總重為基準,包括:5至20 wt%過硫酸鹽;0.01至2 wt%氟化合物;1至10 wt%選自於無機酸、無機酸鹽、及其混合物中之一者或多者;0.3至5 wt%環狀胺化合物;1至10 wt%選自於有機酸、有機酸鹽、及其混合物中之一者或多者;及剩餘為水。