鈦蝕刻液



  • 鈦蝕刻液配方

    公告號:200706699 - 巴斯夫股份有限公司 BASF AKTIENGESELLSCHAFT 德國

    1.一種鈦蝕刻液配方,該配方至少包括:氫氟酸;一腐蝕抑制劑;以及水。 2.如申請專利範圍第1項所述之鈦蝕刻液配方,其中氫氟酸的重量百分比為0.05%~49%。 3.如申請專利範圍第1項所述之鈦蝕刻液配方,其中該腐蝕抑制劑的重量百分比為0.1%~99.9%。 4.如申請專利範圍第1項所述之鈦蝕刻液配方

  • 含鈦層用之蝕刻液及含鈦層之蝕刻方法

    公告號:200512315 - 三菱化學股份有限公司 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION 日本

    1.一種含鈦層用之蝕刻液,其特徵為,蝕刻形成於矽基板或矽酸系玻璃基板上以鈦、鈦氧化物、鈦氮化物或鈦酸氮化物群中所選出1種或2種以上為主成分之含鈦層用的蝕刻液中,含有矽氟化氫酸。 2.如申請專利範圍第1項之含鈦層用蝕刻液,其中蝕刻液含有氧化劑。 3.如申請專利範圍第1項之含鈦層用蝕刻液,其中含鈦層係以

  • 鈦或鈦合金用蝕刻液

    公告號:200606280 - 三菱瓦斯化學股份有限公司 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 日本

    1.一種蝕刻液,其係在有不容許被蝕刻的金屬存在下,可以選擇性蝕刻鈦或鈦合金之蝕刻液,其特徵係由含有10~40重量%的過氧化氫、0.05~5重量%的磷酸、0.001~0.1重量%的膦酸系化合物、以及氨之水溶液所構成。 2.如申請專利範圍第1項之蝕刻液,其中該不容許被蝕刻的金屬係選自銅、錫、錫合金以及鋁

  • 鈦、鋁金屬層積膜之蝕刻液組成物

    公告號:200811314 - 關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA 日本

    1.一種蝕刻液組成物,係用以總括地蝕刻金屬層積膜(含有由鈦或以鈦作為主成分之合金所構成的層、及由鋁或以鋁作為主成分之合金所構成的層)之蝕刻液組成物;該蝕刻液組成物,含有:選自由氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟矽酸、六氟矽酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸與四氟硼酸的金屬鹽或銨鹽所組成的群組中之至少1種氟化合物、及

  • 鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或此等之氮化物的蝕刻液

    公告號:201014927 - 昭和電工股份有限公司 SHOWA DENKO K. K. 日本 JP

    1.一種鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之氮化物的蝕刻液,其特徵為包含10~40質量%之過氧化氫、0.1~15質量%之有機酸鹽及水。 2.一種鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之氮化物的蝕刻液,其特徵為僅由10~40質量%之過氧化氫、0.1~15質量%之有機酸鹽及水所構成。 3.如申請專利範圍

  • 銅/鈦系多層薄膜用的蝕刻液

    公告號:201134983 - 三菱瓦斯化學股份有限公司 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 日本 JP; 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA 日本 JP

    1.一種含有銅層及鈦層的多層薄膜用的蝕刻液,包含(A)過氧化氫、(B)硝酸、(C)氟離子供給源、(D)唑(azole)類、(E)第四級氫氧化銨及(F)過氧化氫安定劑,且pH為1.5~2.5。 2.如申請專利範圍第1項之含有銅層及鈦層的多層薄膜用的蝕刻液,其中(C)氟離子供給源為氟化銨及/或酸性氟化銨

  • 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物 (1)

    公告號:201142085 - 東友FINE CHEM股份有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物,其以該組成物總重為基準,係包括:5至20 wt%過硫酸鹽;0.01至2 wt%氟化合物;1至10 wt%選自無機酸、無機酸鹽、及其混合物中之一者或多者;0.3至5 wt%環狀胺化合物;0.01至8 wt%選自氯化合物及銅鹽中之一者或多者;及剩餘為水。 2.如申

  • 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(4)

    公告號:201142084 - 東友FINE CHEM股份有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物,以該組成物總重為基準,包括:5至20 wt%過硫酸鹽;0.01至2 wt%氟化合物;1至10 wt%選自於無機酸、無機酸鹽、及其混合物中之一者或多者;0.3至5 wt%環狀胺化合物;1至10 wt%選自於有機酸、有機酸鹽、及其混合物中之一者或多者;及剩餘為水。

  • 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(2)

    公告號:201204875 - 東友FINE CHEM股份有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物,其以該組成物總重為基準,係包括:5至20 wt%過硫酸鹽;0.01至2 wt%氟化合物;1至10 wt%選自無機酸、無機酸鹽、及其混合物中之一者或多者;0.3至5 wt%環狀胺化合物;0.1至5 wt%氯化合物;0.1至5 wt%對甲苯磺酸;及剩餘為水。 2.

  • 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(3)

    公告號:201204874 - 東友FINE CHEM股份有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物,以該組成物總重為基準,包括:5至20 wt%過硫酸鹽;0.01至2 wt%氟化合物;1至10 wt%選自於無機酸、無機酸鹽、及其混合物中之一者或多者;0.3至5 wt%環狀胺化合物;0.1至5 wt%對甲苯磺酸;及剩餘為水。 2.如申請專利範圍第1項之蝕刻液組

  • 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物

    公告號:201309849 - 東友FINE CHEM股份有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物,其係包括過硫酸鹽、含氟化合物、無機酸、環狀胺化合物、含氯化合物、磷酸鹽、及水。 2.如申請專利範圍第1項之蝕刻液組成物,其係包括按組成物總重量計為5~20重量%之過硫酸鹽、0.01~2重量%之含氟化合物、1~10重量%之無機酸、0.3~3重量%之環狀胺化合物、

  • 總括蝕刻具有鈦和鈦合金的金屬積層膜之蝕刻液組成物

    公告號:201335433 - 關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA 日本 JP

    1.一種蝕刻液,其用於總括蝕刻金屬積層膜,該金屬積層膜是由至少一層的鈦或鈦合金層、及至少一層的其他金屬層所構成,其中,該蝕刻液包含:含氟之酸或使該酸產生之氟化物、及氟可配位之離子。 2.如請求項1所述的蝕刻液,其中,至少一層的其他金屬層,是由銅層或銅合金層所構成的金屬積層膜。 3.請求項2所述的蝕刻

  • 銅層及鈦層蝕刻液組成物,以及使用該組成物於製備液晶顯示器陣列基板之方法

    公告號:201534690 - 東友精細化工有限公司 DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種蝕刻一銅層與一鈦層的蝕刻液組成物,該組成物包含:過硫酸鹽與磺基水楊酸。 2.如申請專利範圍第1項所述之蝕刻液組成物,其中該過硫酸鹽為選自由過硫酸銨、過硫酸鈉與過硫酸鉀所組成之一群組中的至少一者。 3.如申請專利範圍第1項所述之蝕刻液組成物,其進一步地包括選自由氟化合物、無機酸或其鹽類、有機酸

  • 鈦或鈦合金用蝕刻液

    公告號:I360586 - 三菱瓦斯化學股份有限公司 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 日本 JP

    1.一種蝕刻液,其係在有不容許被蝕刻之選自銅、錫、錫合金以及鋁所組成群中之至少一種金屬的存在下,可以選擇性蝕刻鈦或鈦合金之蝕刻液,其特徵係由含有10~40重量%的過氧化氫、0.05~5重量%的磷酸、0.001~0.1重量%的膦酸系化合物、以及氨之水溶液所構成。 2.如申請專利範圍第1項之蝕刻液,其中

  • 鈦、鋁金屬層積膜之蝕刻液組成物

    公告號:I405875 - 關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA 日本 JP

    1.一種蝕刻液組成物,係用以總括地蝕刻金屬層積膜,該金屬層積膜含有由鈦或以鈦作為主成分之合金所構成的層、及由鋁或以鋁作為主成分之合金所構成的層,該蝕刻液組成物只有使用氟化合物、氧化劑及水來作為構成原料而成,該氟化合物為選自由氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟矽酸、六氟矽酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸及四氟硼酸的