金蝕刻液



  • 鉬鈮合金蝕刻液

    公告號:201309851 - 銓科光電材料股份有限公司 OPETECH MATERIALS CO., LTD. 新竹市延平路2段727巷16號 TW

    1.一種鉬鈮合金蝕刻液,其成分包含有:磷酸或硫酸,其重量百分比為40~99.5;硝酸根離子,其係由一硝酸化合物解離而得,該硝酸化合物之重量百分比為0.5~30;醋酸根離子,其係由一醋酸化合物解離而得,該醋酸化合物之重量百分比為0.0~30;以及其餘為水。 2.如請求項1所述之鉬鈮合金蝕刻液,其係用於

  • 銀合金蝕刻液

    公告號:574732 - 錸寶科技股份有限公司 RITDISPLAY CORPORATION 新竹縣湖口鄉新竹工業區光復北路十二號

    1.一種銀合金用蝕刻液組合物,係包含: (A)10至30重量份之硝酸; (B)0.5至5重量份之硝酸鹽;以及 (C)65至88.5重量份之水。 2.如申請專利範圍第1項所述之蝕刻液組合物,其中該硝酸鹽為硝酸鐵。 3.一種銀合金之蝕刻方法,包含以下之步驟: (A)提供一具銀合金表面之基板;以及 (B)

  • 銀合金蝕刻液

    公告號:I282813 - 錸寶科技股份有限公司 新竹縣竹北市仁義路65號

    1.一種銀合金用蝕刻液,係包含: (A)10至60重量份之磷酸; (B)1至60重量份之硝酸; (C)0至70重量份之醋酸;以及 (D)0至90重量份之水。 2.如專利申請範圍第1項所述之蝕刻液,其包含20至50重量份之磷酸銨化物;40至70重量份之醋酸;以及1至20重量份之硝酸。 3.如專利申請範

  • 以銀為主成分之金屬薄膜之蝕刻液組成物

    公告號:200408729 - 關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA 日本

    1.一種蝕刻液組成物,係針對以銀為主要成分之金屬薄膜進行蝕刻之蝕刻液組成物,由磷酸40至50重量%、硝酸1.5至3.5重量%、乙酸25至40重量%、以及水調配而成。 2.如申請專利範圍第1項之蝕刻液組成物,其中,金屬薄膜係銀(Ag)、銀(Ag)-鈀(Pd)合金、或銀(Ag)-鈀(Pd)-銅(Cu)合

  • 銅或銅合金之蝕刻液,使用該蝕刻液之電子基板之製造方法

    公告號:200422434 - 美克股份有限公司 MEC COMPANY LTD. 日本

    1.一種銅或銅合金之蝕刻液,其特徵在於:是由含有(a)銅的氧化劑1~50克/升;(b)鹽酸1~200克/升以及(或者)有機酸1~400克/升;及(c)選自聚烯二醇、以及聚胺和聚烯二醇的共聚物中的至少一種聚合物0.01~50克/升的水溶液構成的。 2.如申請專利範圍第1項之銅或銅合金之蝕刻液,其中,銅

  • 蝕刻液之金屬去除裝置、蝕刻液之金屬去除方法、半導體基板之蝕刻處理裝置、半導體基板之蝕刻方法及蝕刻液

    公告號:200514160 - 小松電子金屬股份有限公司 日本

    1.一種蝕刻液之金屬去除裝置,去除混入至鹼系蝕刻液之金屬,其特徵在於:包括使得成為無機物並且不包含捕捉對象之金屬之構件和蝕刻液相接觸而將蝕刻液中之金屬吸附及捕捉於前述構件的金屬捕捉裝置。 2.如申請專利範圍第1項之蝕刻液之金屬去除裝置,其中,前述構件係包含碳。 3.如申請專利範圍第1項之蝕刻液之金屬

  • 金屬膜之蝕刻液組成物

    公告號:200519228 - 關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA 日本 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. 日本 新潟三洋電子股份有限公司 NIIG

    1.一種蝕刻金屬膜之蝕刻液組成物,其特徵為,含有選自由硫酸烷酯或是全氟烯基苯基醚磺酸及其等之鹽類所組成群組中1種或是2種以上之表面活性劑。 2.如申請專利範圍第1項所述之蝕刻液組成物,其中硫酸烷酯之鹽類係硫酸烷酯與三乙醇胺或是單乙醇胺之鹽類。 3.如申請專利範圍第1或是2項所述之蝕刻液組成物,其中表

  • 鈦或鈦合金用蝕刻液

    公告號:200606280 - 三菱瓦斯化學股份有限公司 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 日本

    1.一種蝕刻液,其係在有不容許被蝕刻的金屬存在下,可以選擇性蝕刻鈦或鈦合金之蝕刻液,其特徵係由含有10~40重量%的過氧化氫、0.05~5重量%的磷酸、0.001~0.1重量%的膦酸系化合物、以及氨之水溶液所構成。 2.如申請專利範圍第1項之蝕刻液,其中該不容許被蝕刻的金屬係選自銅、錫、錫合金以及鋁

  • 噴淋型鋁合金化學蝕刻液

    公告號:200617209 - 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 臺北縣土城市自由街2號

    1.一種噴淋型鋁合金化學蝕刻液,其組成如下:含量20-80g/l之銅離子;含量20-160g/l之氯離子;含量1-30g/l之氧化劑;及含量0.1-100mg/l之表面活性劑。 2.如申請專利範圍第1項所述之噴淋型鋁合金化學蝕刻液,其中該銅離子含量為60g/l。 3.如申請專利範圍第1項所述之噴淋型

  • 銅金屬的蝕刻液及銅金屬的蝕刻方法

    公告號:200643224 - 巴斯夫股份有限公司 BASF AKTIENGESELLSCHAFT 德國

    1.一種銅金屬的蝕刻液,包括:一氧化劑,其含量範圍為1wt%~70wt%;一酸類,其含量範圍為1wt%~36wt%;以及一水。 2.如申請專利範圍第1項所述之銅金屬的蝕刻液,其中該銅金屬為銅或銅合金。 3.如申請專利範圍第1項所述之銅金屬的蝕刻液,其中該氧化劑為硝酸、過硫酸胺、三氯化鐵或其混合物。

  • 金屬選擇性蝕刻液

    公告號:200700585 - 關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA 日本

    1.一種金屬選擇性蝕刻液,其係使用於由貴金屬與賤金屬同時存在的半導體材料將貴金屬加以蝕刻之碘系蝕刻液,且該蝕刻液之貴金屬與賤金屬之蝕刻速率比(貴金屬之蝕刻速率/賤金屬之蝕刻速率)為0.03以上。 2.如申請專利範圍第1項之金屬選擇性蝕刻液,其中含有一種或兩種以上之由含有氮原子的有機化合物或無機酸(但

  • 金屬氧化物的蝕刻液及其蝕刻方法

    公告號:200703426 - 巴斯夫股份有限公司 BASF AKTIENGESELLSCHAFT 德國

    1.一種金屬氧化物的蝕刻液,適用於蝕刻具有該金屬氧化物之一基材,該蝕刻液包括:一酸性溶液;一螯合劑;一抑制劑;以及一溶劑。 2.如申請專利範圍第1項所述之蝕刻液,其中該基材的材質包括鐵。 3.如申請專利範圍第1項所述之蝕刻液,其中該金屬氧化物包括銦錫氧化物(ITO)。 4.如申請專利範圍第1項所述之

  • 銅金屬的蝕刻液及銅金屬的蝕刻方法

    公告號:200702493 - 巴斯夫股份有限公司 BASF AKTIENGESELLSCHAFT 德國

    1.一種銅金屬的蝕刻液,包括:一氧化劑,其含量範圍為1wt%~40wt%;一酸類,其含量範圍為1wt%~90wt%;一醇類,其含量範圍為1wt%~50wt%;以及一水,其含量範圍為20wt%~50wt%。 2.如申請專利範圍第1項所述之銅金屬的蝕刻液,其中該銅金屬為銅或銅合金。 3.如申請專利範圍第

  • 蝕刻製程與獲得蝕刻液對於金屬材料層之蝕刻率的方法

    公告號:200733222 - 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC. 高雄市楠梓加工出口區經三路26號

    1.一種蝕刻製程,適於藉由一蝕刻機台對一批次(batch)內的多個基板進行蝕刻,其中每一基板上分別具有一金屬材料疊層,以在蝕刻後形成一球底金屬層,該蝕刻製程的特徵在於:(a)在對該些基板進行蝕刻之前,預先提供一測試基板,且該測試基板上具有一測試材料層,其中該測試材料層與該金屬材料疊層的其中一層具有相

  • 鋁系金屬膜與鉬系金屬膜之層積膜用蝕刻液

    公告號:200738909 - 關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA 日本

    1.一種蝕刻液,係用以對形成於絕緣膜基板上之鋁系金屬膜及鉬系金屬膜的積層膜進行蝕刻之蝕刻液,其含有:由硫酸、硫酸銨、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸氫銨、硫酸氫鈉、硫酸氫鉀、硫酸鈣、硫酸鈰銨、硫酸鐵、硫酸銅、硫酸鎂、硫酸鉛、硫酸羥銨、胺磺酸、胺磺酸銨、過氧二硫酸銨、伸乙二胺硫酸鹽、苯胺硫酸鹽及腺嘌呤硫酸鹽所組成