發光二極體結構 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE
申請人· 隆達電子股份有限公司 LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION 新竹市科學園區工業東三路3號 TW


專利信息

專利名稱 發光二極體結構
公告號 I517437
公告日 2016/01/11
證書號 I517437
申請號 2014/01/10
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 林晁賢 LIN, CHAO HSIEN; 陳政宏 CHEN, CHENG HUNG; 莊家文 CHUNG, CHIA WEN
申請人 隆達電子股份有限公司 LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION 新竹市科學園區工業東三路3號 TW
代理人 祁明輝; 林素華; 涂綺玲
優先權
參考文獻 TW201204803A1; TW201338986A1; JP2012199218A; WO2011162188A1
審查人員 吳松屏

專利摘要

一種發光二極體結構,包括一基板、一發光多層結構、一反射層以及一不導電相位調整層。發光多層結構設置於基板上。反射層設置於基板與發光多層結構之間,並接觸部分發光多層結構。不導電相位調整層設置於基板與發光多層結構之間,並接觸部分發光多層結構。反射層與發光多層結構之接觸面,與不導電相位調整層與發光多層結構之接觸面為一共平面。


專利範圍

1.一種發光二極體結構,包括:一基板;一發光多層結構,設置於該基板上;一反射層,設置於該基板與該發光多層結構之間,並接觸部分該發光多層結構;以及一不導電相位調整層,設置於該基板與該發光多層結構之間,並接觸部分該發光多層結構;其中該反射層與該發光多層結構之接觸面,與該不導電相位調整層與該發光多層結構之接觸面為一共平面。 2.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構,其中該不導電相位調整層厚度d為:d=(2m+1)λ/4n,其中m為零或一正整數,n為該不導電相位調整層的折射率,λ為該發光多層結構之出射光的波長。 3.如申請專利範圍第2項所述之發光二極體結構,其中該反射層是被該不導電相位調整層所環繞。 4.如申請專利範圍第3項所述之發光二極體結構,更包括:一遮蔽層,設置於該基板與共平面之該反射層及該不導電相位調整層之間。 5.如申請專利範圍第2項所述之發光二極體結構,其中該不導電相位調整層是被該反射層所環繞。 6.如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之發光二極體結構,其中該反射層的反射率大於80%。 7.如申請專利範圍第6項所述之發光二極體結構,其中該反射層的材料為金、銀、鋁或銠。 8.如申請專利範圍第7項所述之發光二極體結構,其中該發光多層結構包括:一第一半導體層,具有一第一導電型;一第二半導體層,具有一第二導電型;及一發光層,夾設於該第一半導體層與該第二半導體層之間。 9.如申請專利範圍第8項所述之發光二極體結構,其中該第一導電型為P型,該第二導電型為N型。 10.如申請專利範圍第2項所述之發光二極體結構,其中該不導電相位調整層的材料為二氧化矽、氮化矽或聚對酞酸乙二酯。 11.一種發光二極體結構,包括:一基板;一發光多層結構,設置於該基板上;一反射層,設置於該發光多層結構上;一遮蔽層,設置於該發光多層結構上,遮蔽部分該發光多層結構,且覆蓋該反射層表面;以及一不導電相位調整層,形成於部分該發光多層結構表面以及其相鄰的側面,且該不導電相位調整層部分夾設於該遮蔽層與該發光多層結構之間,並鄰接該反射層。 12.如申請專利範圍第11項所述之發光二極體結構,其中該不導電相位調整層厚度d為:d=(2m+1)λ/4n,其中m為零或一正整數,n為不導電相位調整層的折射率,λ為該發光多層結構之出射光的波長。 13.如申請專利範圍第12項所述之發光二極體結構,其中該反射層的反射率大於80%


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