氣體分離膜系統及使用奈米級金屬材料製造該系統之方法 A GAS SEPARATION MEMBRANE SYSTEM AND METHOD OF MAKING THEREOF USING NANOSCALE METAL MATERIAL
申請人· 蜆殼國際研究所 SHELL INTERNATIONALE RESEARCH MAATSCHAPPIJ B.V. 荷蘭 NL


專利信息

專利名稱 氣體分離膜系統及使用奈米級金屬材料製造該系統之方法
公告號 I429491
公告日 2014/03/11
證書號 I429491
申請號 2007/11/08
國際專利分類號
公報卷期 41-08
發明人 艾倫 安東尼 迪 帕吉歐 DEL PAGGIO, ALAN ANTHONY; 約翰 查理斯 莎卡提斯 SAUKAITIS, JOHN CHARLES
申請人 蜆殼國際研究所 SHELL INTERNATIONALE RESEARCH MAATSCHAPPIJ B.V. 荷蘭 NL
代理人 陳長文
優先權 美國 60/864,890 20061108
參考文獻 CN1830533A; JP2001-145824A; JP2004-216275A; US2004/0244590A1; WO2008/041969A2
審查人員 呂茂昌

專利摘要

本發明揭示一種製造此氣體分離膜系統之方法,該方法包括將氣體選擇性金屬之奈米粉末層施加至多孔基板表面,且其後熱處理所得表面經處理的多孔基板以產生適合作為氣體分離膜系統使用之經熱處理且表面經處理的多孔基板。


專利範圍

1.一種製造氣體分離膜之方法,其包含:(a)將包含氣體選擇性金屬之奈米顆粒的奈米粉末層施加至多孔基板表面,以提供表面經處理之多孔基板,其包含:將氣體選擇性金屬之奈米顆粒在液體溶劑中之懸浮液煙霧化(aerosolizing),將因此形成之霧劑流與環鞘氣體流組合,將因此組合之流通過一延伸噴嘴,且將因此組合之流集中在多孔基板之表面上,藉此施加奈米粉末層至該表面上,該層具有自3nm(0.003μm)至15μm之厚度;及(b)於一維持在低於該多孔基板之熔融溫度但足以燒結該奈米粉末層之溫度下,加熱該表面經處理之多孔基板,以提供經熱處理之表面經處理的多孔基板。 2.如請求項1之方法,其中該多孔基板包括覆蓋有金屬間擴散阻障層的多孔基底。 3.如請求項1或2之方法,其進一步包含:以氣體選擇性材料之上覆層塗佈該經熱處理之表面經處理的多孔基板,以藉此提供經塗佈的經熱處理之表面經處理的多孔基板。 4.如請求項2之方法,其中該多孔基底包含多孔金屬材料,該多孔金屬材料具有在高達該多孔金屬材料總重量之70重量百分比範圍內的鎳含量及在該多孔金屬材料總重量之10至30重量百分比範圍內的鉻含量;其中該多孔基板具有在0.05mm至25mm範圍內的多孔基板厚度;且其中該多孔金屬材料之孔具有在0.1μm至15μm範圍內的多孔金屬材料中值孔直徑。 5.如請求項1或2之方法,其中該奈米粉末之該等奈米顆粒具有在小於400nm範圍內之平均顆粒大小;其中該等奈米顆粒包含氣體選擇性金屬,其係選自由鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、鈮(Nb)、銥(Ir)、銠(Rh)、釕(Ru)及此等金屬之合金組成的金屬群;其中該等奈米顆粒係進一步特徵為可為合金的;且其中該奈米粉末具有小於該多孔基板之他曼溫度(Tamman temperature)的奈米粉末之他曼溫度。 6.如請求項1或2之方法,其中在該加熱步驟中,該表面經處理之多孔基板係在惰性氣體氣氛下及在自250℃至1800℃範圍之熱處理溫度下加熱。 7.如請求項2之方法,其中該金屬間擴散阻障層包含金屬間擴散阻障材料,其係選自由氧化鋁、二氧化矽、氧化鋯、二氧化鈦、碳化矽、氧化鉻、陶瓷材料、沸石及耐火金屬組成之群;其中該金屬間擴散阻障層具有在高達10mm範圍內的擴散阻障厚度;且其中該金屬間擴散阻障材料之孔具有在0.1μm至15μm範圍內的擴散阻障材料中值孔直徑。 8.一種


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統