半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
申請人· 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 半導體裝置及其製造方法
公告號 I517378
公告日 2016/01/11
證書號 I517378
申請號 2006/10/04
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 桑原秀明 KUWABARA, HIDEAKI; 大沼英人 OHNUMA, HIDETO
申請人 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2005-302315 20051017
參考文獻 CN1383352A; CN1588189A; US2004/0089900A1; US2005/0218396A1
審查人員 許哲睿

專利摘要

本發明揭示一種半導體裝置及其製造方法,其目的在於解決如下問題:由於隨著高細緻化而帶來的像素區域的微細化、隨著大面積化而帶來的基板的大型化,由於蒸發時所使用的掩模的精度和撓曲等的原因而產生不良。本發明的技術要點如下:藉由使用設置有由衍射光柵圖形或半透膜構成的具有光強度降低功能的輔助圖案的光掩模或光罩,在顯示區域的像素電極(也被稱為第一電極)上、以及像素電極層周邊,形成具有膜厚不同的部分的隔離壁,而不增加步驟。


專利範圍

1.一種發光裝置,包括:第一電極;覆蓋該第一電極的端部的隔離壁;在該第一電極上的包含有機化合物的層;以及在該包含有機化合物的層上的第二電極;其中該隔離壁包含突起部,其中該隔離壁是單層,其中該隔離壁在其側面具有步階,其中該步階具有第一曲面,其中該包含有機化合物的層覆蓋該第一曲面的一部分,其中該隔離壁的最高部分為彎曲的,其中該隔離壁更包含根據位於該隔離壁外側的曲率中心被決定的第二曲面,其中該第二曲面設置於該步階與該最高部分間,以及其中該突起部的厚度大於位於該第一電極端部的隔離壁的厚度。 2.如申請專利範圍第1項的發光裝置,其中該隔離壁的上端部具有圓度。 3.如申請專利範圍第1項的發光裝置,更包含:像素部,其中與該隔離壁以相同材料製成的結構體配置為包圍該像素部,以及其中,該結構體的厚度與該隔離壁的厚度不相同。 4.如申請專利範圍第3項的發光裝置,其中該第一電極在具有絕緣表面之第一基板上,其中該發光裝置包含相對於該第一基板的第二基板,以及其中該結構維持了該第一基板及該第二基板間的距離。 5.如申請專利範圍第3項的發光裝置,其中該第一電極在具有絕緣表面之第一基板上,其中該發光裝置包含相對於該第一基板的第二基板,以及其中發自該包含該有機化合物的層的光透過該第二基底發射。 6.如申請專利範圍第4項的發光裝置,其中由該結構、該第一基底及該第二基底包圍的區域係充填樹脂。 7.如申請專利範圍第5項的發光裝置,其中由該結構、該第一基底及該第二基底包圍的區域係充填樹脂。 8.如申請專利範圍第1項的發光裝置,其中該步階係與該第二電極接觸。 9.如申請專利範圍第1項的發光裝置,其中該隔離壁的該最高部分高於包含該有機化合物的層。 10.如申請專利範圍第1項的發光裝置,其中該突起部具有彎曲的上表面。 11.如申請專利範圍第1項的發光裝置,其中該隔離壁係於邊緣彎曲。 12.如申請專利範圍第1項的發光裝置,更包括接觸孔,於其中充填隔離壁。 13.如申請專利範圍第1項的發光裝置,其中該隔離壁之材料係感光樹脂。 14.如申請專利範圍第1項的發光裝置,其中該第一曲面係根據位於該隔離壁內側的曲率中心被決定。 15.一種發光裝置,包括:第一電極;覆蓋該第一電極的端部的隔離壁;在該第一電極上的包含有機化合物的層;以及在該包含有機化合物的層上的第二電極;其中該隔離壁包含突起部,其中該隔離壁是單層,其中該隔離壁在其側


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統