記憶胞以及記憶胞陣列 MEMORY CELL AND MEMORY CELL ARRAY USING THE SAME
申請人· 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW


專利信息

專利名稱 記憶胞以及記憶胞陣列
公告號 I517306
公告日 2016/01/11
證書號 I517306
申請號 2012/11/21
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 陳信彣 CHEN, HSIN WEN; 帥祺昌 SHUAI, CHI CHANG; 林世欽 LIN, SHIH CHIN
申請人 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW
代理人 郭曉文
優先權
參考文獻 US2002/0085409A1; US2009/0303776A1; US2010/0259973A1; US2011/0233675A1; US2012/0057416A1
審查人員 莊敏宏

專利摘要

一種記憶胞,其包括有六個電晶體。第一及第二P型電晶體的源極皆電性耦接第一電壓。第一及第二N型電晶體的汲極分別電性耦接第一及第二P型電晶體的汲極,源極皆電性耦接第二電壓,閘極則分別電性耦接第一及第二P型電晶體的閘極。第三N型電晶體的汲極電性耦接寫入字元線,源極電性耦接第一N型電晶體的汲極與第二N型電晶體的閘極,閘極電性耦接第一寫入位元線。第四N型電晶體的汲極電性耦接寫入字元線,源極電性耦接第二N型電晶體的汲極與第一N型電晶體的閘極,閘極電性耦接第二寫入位元線。此外,一種記憶胞陣列亦被提出。


專利範圍

1.一種記憶胞,包括:一第一P型電晶體,其一源/汲極用以電性耦接一第一電壓;一第二P型電晶體,其一源/汲極用以電性耦接該第一電壓;一第一N型電晶體,其一源/汲極用以電性耦接該第一P型電晶體的另一源/汲極,另一源/汲極用以電性耦接一第二電壓,而閘極則用以電性耦接該第一P型電晶體的閘極;一第二N型電晶體,其一源/汲極用以電性耦接該第二P型電晶體的另一源/汲極,另一源/汲極用以電性耦接該第二電壓,而閘極則用以電性耦接該第二P型電晶體的閘極;一第三N型電晶體,其一源/汲極用以電性耦接一寫入字元線,另一源/汲極用以電性耦接該第一N型電晶體的其一源/汲極與該第二N型電晶體的閘極,而閘極則用以電性耦接一第一寫入位元線;以及一第四N型電晶體,其一源/汲極用以電性耦接該寫入字元線,另一源/汲極用以電性耦接該第二N型電晶體的其一源/汲極與該第一N型電晶體的閘極,而閘極則用以電性耦接一第二寫入位元線。 2.如申請專利範圍第1項所述之記憶胞,更包括:一第五N型電晶體,其一源/汲極用以電性耦接一讀取位元線,而閘極則用以電性耦接一讀取字元線;以及一第六N型電晶體,其一源/汲極用以電性耦接該第五N型電晶體的另一源/汲極,另一源/汲極用以電性耦接該第二電壓,而閘極則用以電性耦接該第一N型電晶體的閘極。 3.如申請專利範圍第1項所述之記憶胞,其中該第一電壓的大小大於該第二電壓的大小。 4.如申請專利範圍第1項所述之記憶胞,其中該第一寫入位元線係用來控制該第三N型電晶體是否導通,而該第二寫入位元線則係用來控制該第四N型電晶體是否導通。 5.如申請專利範圍第4項所述之記憶胞,其中該第三N型電晶體與該第四N型電晶體會在不同時間被導通。 6.如申請專利範圍第4項所述之記憶胞,其中當該第一寫入位元線上的電位呈現一高電位,且該第二寫入位元線上的電位呈現一低電位時,該寫入字元線上的電位則呈現該低電位。 7.如申請專利範圍第4項所述之記憶胞,其中當該第一寫入位元線上的電位呈現一低電位,且該第二寫入位元線上的電位呈現一高電位時,該寫入字元線則呈現該低電位。 8.如申請專利範圍第1項所述之記憶胞,其中該第三N型電晶體與該第四N型電晶體皆可被更換為P型電晶體。 9.一種記憶胞陣列,包括:多條寫入字元線;多條第一寫入位元線;多條第二寫入位元線;以及多個記憶胞,該些記憶胞排列成一矩陣,且每一記憶胞電性耦接該些寫入字元線的其中


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統