晶片封裝體 CHIP PACKAGE
申請人· 精材科技股份有限公司 XINTEX INC. 桃園市中壢區中壢工業區吉林路23號9樓 TW


專利信息

專利名稱 晶片封裝體
公告號 I517320
公告日 2016/01/11
證書號 I517320
申請號 2014/08/12
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 黃玉龍 HUANG, YU LUNG; 林超彥 LIN, CHAO YEN; 孫唯倫 SUEN, WEI LUEN; 陳鍵輝 CHEN, CHIEN HUI
申請人 精材科技股份有限公司 XINTEX INC. 桃園市中壢區中壢工業區吉林路23號9樓 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 13/964,999 20130812
參考文獻 TW201232684A1; CN103107153A; JP2004-363400A; US5478781; US7199345B1; US2011/0278724A1
審查人員 郭子鳳

專利摘要

本發明實施例提供一種晶片封裝體,包括一半導體基底,具有一第一表面及與其相對的一第二表面。一介電層位於半導體基底的第一表面上,其中介電層包括一開口,露出一導電墊。一側邊凹陷至少位於半導體基底之一第一側邊,且由第一表面朝第二表面延伸。一上凹陷至少位於導電墊外側的介電層之第一側邊。一導線電性連接導電墊,且延伸至上凹陷及側邊凹陷。


專利範圍

1.一種晶片封裝體,包括:一半導體基底,具有一第一表面及與其相對的一第二表面;一介電層,位於該半導體基底的該第一表面上,其中該介電層包括一開口,露出一導電墊;一側邊凹陷,至少位於該半導體基底之一第一側邊,由該第一表面朝該第二表面延伸;一上凹陷,至少位於該導電墊外側的該介電層之一第一側邊;以及一導線,電性連接該導電墊,且延伸至該上凹陷及該側邊凹陷。 2.如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝體,其中該側邊凹陷更延伸至與該第一側邊相鄰的一第二側邊的至少一部分。 3.如申請專利範圍第2項所述之晶片封裝體,其中該導線延伸至位於該第二側邊的該側邊凹陷。 4.如申請專利範圍第3項所述之晶片封裝體,其中該導線更從該第二側邊的該側邊凹陷延伸至位於該第一側邊的該側邊凹陷。 5.如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝體,其中該側邊凹陷更延伸至與該第一側邊相鄰之兩側邊的各至少一部分。 6.如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝體,其中該晶片封裝體包括獨立的兩個側邊凹陷,分別位於該半導體基底的相對兩側邊,且各自橫跨該側邊之全部長度。 7.如申請專利範圍第6項所述之晶片封裝體,其中該等側邊凹陷中的至少一者更延伸至相鄰的一側邊的至少一部分。 8.如申請專利範圍第6項所述之晶片封裝體,其中該等側邊凹陷中的至少一者更延伸至相鄰的兩側邊的各至少一部分。 9.如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝體,其中該晶片封裝體包括連續的複數側邊凹陷,位於該導電墊外側,且其中每一側邊凹陷之一底部與一側壁頂端之間具有一凹陷深度,該底部最接近該第二表面的一第一側邊凹陷之該凹陷深度最大。 10.如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝體,其中該晶片封裝體包括連續的複數側邊凹陷,位於該導電墊外側,且其中每一側邊凹陷之一底部具有一底部面積,該底部最接近該第二表面的一第一側邊凹陷之該底部面積最大。 11.如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝體,更包括一密封環,圍繞該導電墊,其中該密封環之形狀為一四邊形,且其中該導線跨越該密封環而延伸至該上凹陷及該側邊凹陷。 12.如申請專利範圍第11項所述之晶片封裝體,其中該密封環的每一邊分別與該半導體基底之每一側邊之間的距離相同。 13.如申請專利範圍第11項所述之晶片封裝體,其中該密封環中接近該第一側邊的一邊與該第一側邊之間的距離大於該密封環的其餘三邊分別與該半導體基底之其餘三邊之間的距離。 14.如申請專利範


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統