發光元件之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING A LIGHT-EMITTING DEVICE
申請人· 晶元光電股份有限公司 EPISTAR CORPORATION 新竹市新竹科學工業園區力行五路5號 TW


專利信息

專利名稱 發光元件之製造方法
公告號 I517432
公告日 2016/01/11
證書號 I517432
申請號 2008/05/23
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 沈豫俊 SHEN, YU JIUN; 謝明勳 SHIEH, MIN HSUN; 王健源 WANG, CHIEN YUAN
申請人 晶元光電股份有限公司 EPISTAR CORPORATION 新竹市新竹科學工業園區力行五路5號 TW
代理人
優先權 美國 11/808,963 20070614
參考文獻 CN1318616A; CN1929155A; US6395564B1; US6504180B1; US2007/0111344A1
審查人員 楊啟全

專利摘要

一發光元件之製造方法,包含提供一發光疊層;形成一波長轉換層於該發光疊層之上;以及切割該發光疊層以形成複數個晶粒,其中複數個晶粒包含色溫變異在300K以內之兩晶粒。


專利範圍

1.一發光元件之製造方法,包含:提供一發光疊層,該發光疊層可發出一第一波長光,該第一波長光之波長範圍係介於410nm~425nm之間;形成一波長轉換層於該發光疊層之上;以及形成複數個晶粒,其中,各該複數個晶粒包含自該發光疊層分離出之部分及自該波長轉換層分離出之部分,且該複數個晶粒包含色溫變異在300K以內之兩晶粒。 2.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中形成該波長轉換層之方法係擇自由電子束蒸鍍法、熱蒸鍍法、射頻濺鍍法、化學氣相沉積法與原子層磊晶法所構成之群組。 3.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該波長轉換層之材料包含矽酸鋇(鍶)系列之螢光粉、氮氧化物系列之螢光粉、氮化物系列之螢光粉或上述之組合。 4.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中形成該波長轉換層之方法包含電子束蒸鍍法、熱蒸鍍法、射頻濺鍍法、化學氣相沉積法或原子層磊晶法。 5.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該複數個晶粒中至少其一之驅動電流密度可大於350mA/cm 2 。 6.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該複數個晶粒中至少其一可發出一第二波長光,該第二波長光之色溫係約6500K。 7.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該複數個晶粒中至少其一可發出一第二波長光,該第二波長光係白光、綠光、紅光、橘光或黃光。 8.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該複數個晶粒中至少其一係一發光二極體。 9.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,更包含封裝該複數個晶粒中至少其一以形成一發光元件。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統