液體處理裝置及液體處理裝置之控制方法 SUBSTRATE LIQUID PROCESSING DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING SUBSTRATE LIQUID PROCESSING DEVICE
申請人· 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本 JP


專利信息

專利名稱 液體處理裝置及液體處理裝置之控制方法
公告號 I517283
公告日 2016/01/11
證書號 I517283
申請號 2012/08/16
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 毛利信彥 MOURI, NOBUHIKO; 日高章一郎 HIDAKA, SHOICHIRO
申請人 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本 JP
代理人 周良謀; 周良吉
優先權 日本 2011-196024 20110908
參考文獻 TW200816365A; TW200933810A; JP平10-209254A; JP2004-235235A; JP2010-93190A; WO2011/105326A1
審查人員 郭子鳳

專利摘要

本發明提供一種單片式基板處理之液體處理裝置及液體處理方法,可避免液體附著在與基板洗淨面相反側的面。 為達成上述課題,本發明之液體處理裝置具有:旋轉板,藉由旋轉驅動部而旋轉;基板支持部,沿著前述旋轉板之周緣設置,支持基板的周緣;導引部,設於前述基板支持部的上端,將前述基板導引至前述基板支持部;以及供給部,對於由前述基板支持部支持前述周緣之前述基板,從上方供給液體;前述導引部,沿著前述旋轉板的周向至少設置3個以上,且相較於藉由前述基板支持部支持前述周緣之前述基板的表面,具有更高的高度。


專利範圍

1.一種液體處理裝置,包括:旋轉板,藉由旋轉驅動部加以旋轉;基板支持部,沿著該旋轉板之周緣設置,支持基板的周緣;導引部,設於該基板支持部的上端,且相較於藉由該基板支持部支持該周緣之該基板的表面,具有更高的高度,將該基板導引至該基板支持部;供給部,對於由該基板支持部支持該周緣之該基板,從上方供給液體;以及夾持部,設於該旋轉板之周緣,藉由推抵該基板而夾持該基板;該基板支持部與該導引部沿著該旋轉板之周緣設置於一個該夾持部的兩側,由該夾持部與該基板支持部及該導引部所構成之群組,沿著該旋轉板的周向至少設置3個以上。 2.如申請專利範圍第1項之液體處理裝置,其中,該基板支持部之沿著該旋轉板周向的長度,比該導引部之沿著該旋轉板周向的長度更長。 3.如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置,其中,該基板支持部,與該旋轉板之間不形成間隙。 4.如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置,其中,該基板支持部,具有朝向該旋轉板之中心的方向傾斜之傾斜面。 5.如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置,其中,該基板支持部,於該傾斜面之外周具有頂面平坦部。 6.如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置,其中,該導引部,具有朝向該旋轉板之中心的方向傾斜之導引面。 7.如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置,其中,該旋轉板及該基板支持部具有第1缺口部,該第1缺口部所設置之位置,係對應於在與該基板支持部之間用來接收或遞交該基板之搬送臂所具備之保持該基板用之基板保持爪,以供該晶圓保持爪上下穿越。 8.如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置,其中,該基板支持部,具備第2缺口部,其設有基板夾持機構,該基板夾持機構包含推抵部,從側向抵住該基板支持部所支持之該基板的周緣。 9.如申請專利範圍第7項之液體處理裝置,其中,與該第1缺口部相鄰之該基板支持部,其在該旋轉板之旋轉方向上游側的端部具有銳角形狀。 10.如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置,其中,更具備旋轉軸部,其沿著該旋轉板之旋轉中心延伸並連接於該旋轉驅動部,以將該旋轉驅動部之旋轉力傳達至該旋轉板;於該旋轉軸部設有供給管,以將氣體供給至該旋轉板與由該基板支持部支持該周緣的該基板之間。 11.如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置,其中,該供給部包括接觸於該基板之頂面用以洗淨該頂面的洗淨構件。 12.一種液體處理裝置之控制方法,該液體處理裝置包括:旋轉板,藉由旋轉


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統