多波束半導體雷射裝置
申請人· 優志旺光半導體有限公司 USHIO OPTO SEMICONDUCTORS, INC. 日本 JP


專利信息

專利名稱 多波束半導體雷射裝置
公告號 I517509
公告日 2016/01/11
證書號 I517509
申請號 2013/05/31
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 仙庭靖久 SEMBA, YASUHISA; 神津孝一 KOZU, KOICHI; 臼田周一 USUDA, SYUICHI; 反町進 SORIMACHI, SUSUMU; 原英樹 HARA, HIDEKI
申請人 優志旺光半導體有限公司 USHIO OPTO SEMICONDUCTORS, INC. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2012-158245 20120717
參考文獻 TW200849753A
審查人員 陳建仲

專利摘要

本發明提供多波束半導體雷射裝置,其抑制多波束半導體雷射裝置的波束間的焊料彼此的短路不良。雷射晶片(11)的表面電極(15)與基座(10)的基座電極(27),係藉由熔融接合焊料(18)與第2Au鍍層(17)而電性連接。第2Au鍍層(17)在形成在隆起部(20)的兩側的p型第2包覆層(25)上的一對凹槽(21)的一方的上部與焊料(18)接觸,並且,第2Au鍍層(17)的寬度比焊料(18)的寬度窄,因此隆起部(20)與焊料(18)為在平面上不重合,在隆起部(20)與基座(10)之間具有間隙的結構。


專利範圍

1.一種多波束半導體雷射裝置,係具備:具備3個以上波束的半導體晶片、及安裝前述半導體晶片的支撐基板;其特徵為:前述半導體晶片具有:第1導電型被覆層,係形成在半導體基板的主面上;活性層,係形成在前述第1導電型被覆層的上部;第2導電型被覆層,係形成在前述活性層的上部;3個以上的隆起部,係分別包括前述第2導電型被覆層與形成在前述第2導電型被覆層上部的第2導電型觸點層;一對凹槽,係形成在各個前述隆起部的兩側之前述第2導電型被覆層上;表面電極,係與各個前述隆起部電性連接,以覆蓋各個前述隆起部的上部與形成在其兩側的前述一對凹槽的上部的方式連續地形成;第1導電層,係形成在前述表面電極的上部;第2導電層,係形成在前述第1導電層的上部,面積比前述第1導電層小;以及背面電極,係形成在前述半導體基板的背面;在前述支撐基板的晶片安裝面形成與前述隆起部的數量相同的第1電極;在各個前述第1電極的表面形成焊料;前述半導體基板係藉由熔融接合前述第2導電層與前述焊料,安裝在前述支撐基板的前述晶片安裝面上;前述第2導電層在形成在前述隆起部的兩側的前述一對凹槽的至少一方的上部與前述焊料接觸;沿前述隆起部的排列方向的前述第2導電層的寬度,比前述焊料的寬度窄。 2.如請求項1之多波束半導體雷射裝置,其中,相對於前述焊料的寬度之前述第2導電層的寬度的比,為0.7以下。 3.如請求項1之多波束半導體雷射裝置,其中,相對於前述焊料的寬度之前述第2導電層的寬度的比,為0.5以上。 4.如請求項1之多波束半導體雷射裝置,其中,前述波束的數目是偶數個,前述第2導電層在形成在前述隆起部的兩側的前述一對凹槽的一方的上部與前述焊料接觸。 5.如請求項1之多波束半導體雷射裝置,其中,前述波束的數目是偶數個,前述隆起部及前述第2導電層相對於偶數個前述波束的中心配置成線對稱。 6.如請求項1之多波束半導體雷射裝置,其中,前述第1及第2導電層是利用Au來構成,前述焊料是利用Au-Sn合金來構成。 7.如請求項1之多波束半導體雷射裝置,其中,在前述半導體晶片的表面與背面形成在將前述半導體晶片安裝在前述支撐基板上時用於對準的識別標記。


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