半導體積體電路裝置及半導體積體電路裝置之製造方法
申請人· 瑞薩電子股份有限公司 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION 日本 JP


專利信息

專利名稱 半導體積體電路裝置及半導體積體電路裝置之製造方法
公告號 I517325
公告日 2016/01/11
證書號 I517325
申請號 2010/03/23
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 本間琢朗 HOMMA, TAKURO; 堀田勝彥 HOTTA, KATSUHIKO; 森山卓史 MORIYAMA, TAKASHI
申請人 瑞薩電子股份有限公司 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2009-099689 20090416
參考文獻 JP2007-103593A; JP2007-169493A; US5329068; US2006/0249845A1; US2007/0182001A1; US2007/0184578A1
審查人員 莊敏宏

專利摘要

現在之LSI、亦即半導體積體電路裝置之製造工程中,元件(device)之組裝(例如樹脂密封)後,高溫(例如攝氏約85~130度)/高溼(例如溼度約80%)環境下之電壓施加試驗(亦即高溫/高溼試驗)被廣泛進行。關於此,於高溫/高溼試驗中,在施加正電壓的鋁系接合焊墊之上面端部,因為通過密封樹脂等而侵入之水分引起之電氣化學反應,會導致抗反射膜之氮化鈦膜被氧化、膨脹,產生和上部膜之間之剝離,或膜裂痕等問題,此一問題由本發明人發現。 本發明,係於鋁系接合焊墊之周邊部,將焊墊上之氮化鈦膜以環/縫隙狀予以除去者。


專利範圍

1.一種半導體積體電路裝置,係包含以下:(a)半導體晶片,具有第1及第2主面;(b)鋁系金屬膜圖案,設於上述半導體晶片之上述第1主面上;(c)氮化鈦膜,和上述鋁系金屬膜圖案成為一體,覆蓋其上面;(d)絕緣性表面保護膜,用於覆蓋包含上述氮化鈦膜之上面的上述半導體晶片之上述第1主面;(e)接合焊墊開口,被形成於上述絕緣性表面保護膜;(f)第1開口部,和上述接合焊墊開口呈對應,設於上述氮化鈦膜;及(g)第2開口部,在上述第1開口部之外部附近和上述第1開口部隔著空間,設於上述氮化鈦膜。 2.如申請專利範圍第1項之半導體積體電路裝置,其中上述鋁系金屬膜圖案之上述第2開口部,係被上述絕緣性表面保護膜覆蓋。 3.如申請專利範圍第2項之半導體積體電路裝置,其中上述絕緣性表面保護膜,係包含下層之氧化矽系膜與上層之氮化矽系膜的積層膜。 4.如申請專利範圍第1項之半導體積體電路裝置,其中上述氮化鈦膜上係被上述絕緣性表面保護膜覆蓋,但是上述第2開口部未被上述絕緣性表面保護膜覆蓋。 5.如申請專利範圍第4項之半導體積體電路裝置,其中於上述第2開口部之上述鋁系金屬膜圖案表面,形成不導態膜。 6.如申請專利範圍第4項之半導體積體電路裝置,其中上述第2開口部之幅度為0.3微米(μm)~10微米。 7.如申請專利範圍第1項之半導體積體電路裝置,其中上述第1開口部之幅度較上述第2開口部之幅度寬。 8.如申請專利範圍第1項之半導體積體電路裝置,其中上述第2開口部,係以包圍上述第1開口部的方式形成為環狀。 9.如申請專利範圍第1項之半導體積體電路裝置,其中上述第1開口部,係具有導線接合區域及晶圓測試探針接觸區域。 10.如申請專利範圍第9項之半導體積體電路裝置,其中在上述晶圓測試探針接觸區域內之針跡部分,上述鋁系金屬膜圖案表面之不導態膜係被除去。 11.如申請專利範圍第1項之半導體積體電路裝置,其中上述鋁系金屬膜圖案,係具有:內部包含上述第1開口部的接合焊墊部,及與其連結之配線部;上述第2開口部,係設於上述接合焊墊部與上述配線部之界面附近。 12.如申請專利範圍第1項之半導體積體電路裝置,其中另包含以下:(h)上述半導體晶片之上述第1主面、上述鋁系金屬膜圖案、上述氮化鈦膜、上述第1開口部、及上述第2開口部,係藉由無鹵素樹脂(halogen free resin)予以密封。 13.一種半導體積體電路裝置之製


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統