動態隨機存取記憶體的製造方法與電容器的製造方法 METHOD FOR FABRICATING DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR
申請人· 南亞科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION 桃園縣龜山鄉華亞科技園區復興三路669號 TW


專利信息

專利名稱 動態隨機存取記憶體的製造方法與電容器的製造方法
公告號 I334199
公告日 2010/12/01
證書號 I334199
申請號 2007/04/04
國際專利分類號
公報卷期 37-34
發明人 陳國忠 CHEN, KUO CHUNG; 黃仁瑞 HUANG, JEN JUI
申請人 南亞科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION 桃園縣龜山鄉華亞科技園區復興三路669號 TW
代理人 詹銘文; 蕭錫清
優先權
參考文獻 TW253748; TW267189; TW270163; TW270176; TWI251335; TWI276229; TWI277170; TWI278100
審查人員

專利摘要

一種動態隨機存取記憶體的製造方法。首先,於具有多個電晶體的基底上形成導體層。然後,於相鄰二電晶體間的導體層中形成開口。接著,形成填滿開口的介電層。繼之,於介電層與導體層上形成多個光阻層。之後,進行離子植入製程,分別於光阻層的側壁及頂面形成第一摻雜區與第二摻雜區。之後,移除第二摻雜區與光阻層,而留下第一摻雜區,而此第一摻雜區的數量為光阻層的數量的兩倍。之後,以第一摻雜區為罩幕,移除部份導體層,以形成第一電極。隨後,移除第一摻雜區。然後,於第一電極上依序形成電容介電層與第二電極。


專利範圍

1.一種動態隨機存取記憶體的製造方法,包括:在一基底中形成一隔離結構,以定義出一主動區;在該主動區之該基底上形成多數個電晶體,其中每一該些電晶體包括形成於該基底上之一閘極結構、形成於該閘極結構兩側之該基底中的一源極/汲極區以及形成於該閘極結構側壁之一間隙壁;於該基底上形成一導體層,以覆蓋該些電晶體;於該導體層中形成暴露出該源極/汲極區以及部分的相鄰二電晶體之一開口;於該基底上方形成一介電層,以填滿該開口;於該介電層與該導體層上形成用以定義該導體層之多數個光阻層;進行一離子植入製程,於每一該些光阻層的側壁及頂面植入掺質,以分別形成一第一摻雜區與一第二摻雜區,其中該第一摻雜區與該第二摻雜區的蝕刻速率較該光阻層的蝕刻速率慢;進行一蝕刻製程,移除該些第二摻雜區與該些光阻層,而留下該些第一摻雜區,其中該些第一摻雜區的數量為該些光阻層數量的兩倍;以該些第一摻雜區為罩幕,蝕刻部份該導體層,以形成一第一電極;移除該些第一摻雜區;於該第一電極上形成一電容介電層;以及於該電容介電層上形成一第二電極。 2.如申請專利範圍第1項所述之動態隨機存取記憶體的製造方法,其中進行該蝕刻製程,移除該些第二摻雜區與該些光阻層而留下該些第一摻雜區的方法,包括:進行一非等向性蝕刻製程,蝕刻該些第二摻雜區至暴露出該些光阻層表面;以及進行一非等向性蝕刻製程,蝕刻該些光阻層至暴露出該些導體層表面。 3.如申請專利範圍第1項所述之動態隨機存取記憶體的製造方法,其中該掺質包括硼離子、磷離子、砷離子或氮離子。 4.如申請專利範圍第1項所述之動態隨機存取記憶體的製造方法,其中該導體層的形成方法包括化學氣相沈積法。 5.如申請專利範圍第1項所述之動態隨機存取記憶體的製造方法,其中該開口的形成方法包括:於該導體層上形成一圖案化光阻層;以及以該圖案化光阻層為罩幕,蝕刻部分該導體層,以形成暴露出該源極/汲極區之該開口。 6.如申請專利範圍第1項所述之動態隨機存取記憶體的製造方法,其中該介電層的材質包括磷矽玻璃或硼磷矽玻璃。 7.如申請專利範圍第1項所述之動態隨機存取記憶體的製造方法,其中該介電層的形成方法包括化學氣相沈積法。 8.如申請專利範圍第1項所述之動態隨機存取記憶體的製造方法,其中該電容介電層的材質包括氧化矽、氮化矽或氧化矽/氮化矽/氧化矽。 9.如申請專利範圍第1項所述之動態隨機存取記憶體的製造方法,其中該第二電極的


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