晶片天線
申請人· 龍華科技大學 LUNGHWA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 桃園市龜山區萬壽路1段300號 TW


專利信息

專利名稱 晶片天線
公告號 I517493
公告日 2016/01/11
證書號 I517493
申請號 2013/01/09
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 陳逸謙 CHEN, YI CHIEN
申請人 龍華科技大學 LUNGHWA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 桃園市龜山區萬壽路1段300號 TW
代理人 廖鉦達
優先權
參考文獻 TW201205955A; US5764197A; US6023251A; US6650303B2
審查人員 皮欣霖

專利摘要

一種晶片天線,包括一基板、一電路結構與一接地結構。其中該基板係以化學組成為Nd(Mg0.5Sn0.47Si0.03)O3之陶瓷材料製成;該接地結構設置於該基板之一面,但未完全覆蓋該面,以形成單極天線必要的接地面;該電路結構貼設於該基板之另一面,其一部分隔著該基板與該接地結構重疊,形成單極天線的饋入線部,該電路結構同時有一部分隔著基板不與該接地結構重疊,此部分便是實際運作的天線部。由於該基板之陶瓷材料的微波介電特性,使本發明之晶片天線的作用範圍足以涵蓋IEEE 802.11a所需求的頻段(5.15 GHz~5.875 GHz),且其體積微小,適合應用於相關的微波通訊產品。


專利範圍

1.一種晶片天線,包含有:一基板,係採用化學組成為Nd(Mg0.5Sn0.47Si0.03)O3之陶瓷材料製成,該基板具有一第一面與一第二面,其中該第一面與該第二面為相反面;一接地結構,設置於該基板之該第一面,且未完全覆蓋該第一面;一電路結構,設置於該基板之該第二面,該電路結構具有一饋入線部與一天線部,其中該饋入線部隔著該基板與該接地結構重疊,該天線部隔著該基板不與該接地結構重疊。 2.如請求項1所述之晶片天線,其中該接地結構為寬矩形,該電路結構為長條形,該接地結構與該電路結構皆以一邊對齊該基板之同一邊緣,且該電路結構之長大於該接地結構之長,該電路結構之寬小於該接地結構之寬;藉此,該電路結構之該饋入線部隔著該基板與該接地結構重疊,該電路結構之該天線部隔著該基板不與該接地結構重疊。 3.如請求項1所述之晶片天線,其中該接地結構與該電路結構係以銅膠帶貼附於該基板而成。 4.如請求項1所述之晶片天線,其中該電路結構係以網版印刷製成。 5.如請求項1所述之晶片天線,其中構成該基板之陶瓷材料係以Nd2O3、MgO、SiO2及SnO2之粉末為原料,經混合、煆燒、搗磨、壓胚、燒結之步驟製成。 6.如請求項5所述之晶片天線,其中於混合步驟中,該些原料係依預定比例置入一容器內,以複數瑪瑙球為球磨珠,以去離子水為助磨劑,使用一研磨機進行球磨12小時,再使用一烘箱以溫度150℃持續2小時進行烘乾。 7.如請求項5所述之晶片天線,其中於煆燒步驟中,該些原料係置入一坩堝內,以每分鐘10℃的速率升溫至1200℃,再持溫煆燒4小時。 8.如請求項5所述之晶片天線,其中於搗磨步驟中,該些原料係先加入適量有機溶劑,再以瑪腦乳缽進行搗磨。 9.如請求項5所述之晶片天線,其中於壓胚步驟中,將該些原料使用200 mesh的篩網過篩後置於一模具中,利用一壓模機以2000kg/cm 2 的壓力壓製成一生胚。 10.如請求項5所述之晶片天線,其中於燒結步驟中,該些原料係置於一高溫爐中,以每分鐘10℃的速率升溫至1550℃,再持溫燒結4小時。


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