具有半導體裝置和結構之系統 SYSTEM COMPRISING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE
申請人· 歐貝克 凡 OR-BACH, ZVI 美國 US; 克隆奇斯特 布萊恩 CRONQUIST, BRIAN 美國 US; 濱葛拉斯 伊斯瑞爾 BEINGLASS, ISRAEL 美國 US; 德榮 傑


專利信息

專利名稱 具有半導體裝置和結構之系統
公告號 I517355
公告日 2016/01/11
證書號 I517355
申請號 2010/10/13
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 歐貝克 凡 OR-BACH, ZVI; 克隆奇斯特 布萊恩 CRONQUIST, BRIAN; 濱葛拉斯 伊斯瑞爾 BEINGLASS, ISRAEL; 德榮 傑 DE JONG, J. L.; 瑟卡 狄帕克 SEKAR, DEEPAK C.; 武曼 齊夫 WURMAN, ZEEV
申請人 歐貝克 凡 OR-BACH, ZVI 美國 US; 克隆奇斯特 布萊恩 CRONQUIST, BRIAN 美國 US; 濱葛拉斯 伊斯瑞爾 BEINGLASS, ISRAEL 美國 US; 德榮 傑
代理人 林志剛
優先權 美國 12/706,520 20100216 美國 12/792,673 20100602 美國 12/797,493 20100609 美國 12/847,911 20100730 美國 12/84
參考文獻 TW200935177; US7115966; US7259091B2
審查人員 王人毅

專利摘要

系統包括一個半導體器件。 該半導體器件:一個單獨的第一結晶矽層,包括初級電晶體、第一對齊標記以及至少一層金屬層(用來覆蓋單獨的第一結晶矽層)。上述金屬層主要由銅或鋁組成,也可包括少量其它材料;一個單獨的第二結晶矽層,覆蓋在上述金屬層上。 單獨的第二結晶矽層包含多個二級電晶體,呈大體平行的帶狀佈置。 其中,每個條帶都包含一部分二級電晶體,這些電晶體沿條帶的中心軸線佈置,前後一致。


專利範圍

1.一種製造半導體晶圓之方法,該方法包含:提供包含半導體基片、金屬層及第一對準標記之底層晶圓;準備包含半導體區域及第二對準標記之單晶層,該等半導體區域包含電晶體;實施前述單晶層的層轉移於前述金屬層之上;以及對於至少一個前述電晶體實施閘代換(gate replacement)。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中至少一個前述電晶體係全空乏(FD)電晶體。 3.一種製造半導體晶圓之方法,該方法包含:提供包含半導體基片、金屬層及第一對準標記之底層晶圓;轉移單晶層於前述金屬層之上,其中前述單晶層包含第二對準標記;以及使用至少一個前述第一對準標記以及至少一個前述第二對準標記,以實施光刻。 4.如申請專利範圍第3項之方法,其中包含形成散熱層。 5.一種半導體裝置,包含:包含第一對準標記及第一電晶體之第一半導體層,其中前述第一電晶體係藉至少一個包含鋁或銅之金屬層而互聯;包含第二電晶體並疊在前述至少一個金屬層之上的第二單晶半導體層,其中前述至少一個金屬層係介於前述第一半導體層與前述第二單晶半導體層之間;以及在前述第二電晶體與前述第一電晶體之間的複數之連接路徑,其中前述第二電晶體包含水平定向之電晶體,且至少一個前述連接路徑對於前述第二電晶體具有接觸點,其中前述接觸點係對齊前述第一對準標記中之一個。 6.如申請專利範圍第5項之裝置,其中前述第二電晶體具有側閘極。 7.一種包含半導體裝置之系統,該半導體裝置包含:第一單晶矽層,其係包含第一電晶體、第一對準標記以及疊在前述第一單晶矽層上之至少一個金屬層,其中前述至少一個金屬層包含銅或鋁多於其他材料,且前述第一對準標記係可藉光刻工具探知,以找出該光刻工具相對於該第一單晶矽層之位置;以及第二單晶矽層,其係疊在前述至少一個金屬層之上,其中前述第二單晶矽層包含複數之包含P型電晶體及N型電晶體的第二電晶體,且至少一個前述第二電晶體係界定並對準於前述第一對準標記。 8.如申請專利範圍第7項之系統,其中進一步包含散熱層。 9.一種製造半導體晶圓之方法,該方法包含:提供包含半導體基片之底層晶圓;準備包含半導體區域之第一單晶層;實施前述第一單晶層之第一層轉移於前述第一單晶層之上;準備包含半導體區域之第二單晶層;實施前述第二單晶層之第二層轉移於前述第一單晶層之上;以及將一部分的前述第一單晶層及一部分的前述第二單晶層一起蝕刻成在前述第一單晶層之上所形成之至少一


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統