形成發光二極體裝置的方法 METHOD FOR FORMING THE LIGHT-EMITTING DIODE
申請人· 晶元光電股份有限公司 EPISTAR CORPORATION 新竹市新竹科學工業園區力行五路5號 TW


專利信息

專利名稱 形成發光二極體裝置的方法
公告號 I517431
公告日 2016/01/11
證書號 I517431
申請號 2009/08/18
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 陳鼎元 CHEN, DING YUAN; 余振華 YU, CHEN HUA; 邱文智 CHIOU, WEN CHIH
申請人 晶元光電股份有限公司 EPISTAR CORPORATION 新竹市新竹科學工業園區力行五路5號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 61/089,823 20080818 美國 12/539,757 20090812
參考文獻 TW297956; JP11-186607; US5550391
審查人員 陳聖

專利摘要

本發明提供一種發光二極體裝置。該發光二極體裝置具有一下發光二極體層、一上發光二極體層、以及一發光層配置於該上層及該下層之間。一電流阻擋層係形成於該上發光二極體層內,以致於使電流通過一接觸該上發光二極體層之電極流入該上層時,電流係延著該電流阻擋層四周流動。當該電流阻擋層係配置於該電極及該發光層之間,該發光層所發出之光係不會被該電極所阻礙,且該發光二極體裝置具有增加之發光效率。該電流阻擋層可藉由轉換部份之上發光二極體層成為一具有電阻阻抗的區域來形成。在一實施例中,係將離子(可例如為鎂、碳、或矽離子)佈植進入該上發光二極體層,以形成該電流阻擋層。


專利範圍

1.一種形成發光二極體裝置的方法,包含:提供一基板;形成一發光二極體結構於該基板之第一側上,其中該發光二極體結構具有一下層形成於該基板之上、一主動層形成於該下層之上,以及一第一上層形成於該主動層之上;利用佈植雜質方式形成一電流阻擋層於該第一上層之內;在佈植雜質之步驟後,形成一第二上層於該第一上層及該電流阻擋層之上;形成一第一電極於該第二上層之上,且該第一電極與該第二上層電性連結;以及形成一第二電極於該下層之上,且該第二電極與該下層電性連結,其中該第一電極及第二電極配置於該基板之第一側。 2.如申請專利範圍第1項所述之形成發光二極體裝置的方法,其中該形成該電流阻擋層之步驟係至少部份以離子佈植方式來進行,且係在形成該第一上層之步驟後,以及係在形成該第二上層之步驟前。 3.如申請專利範圍第2項所述之形成發光二極體裝置的方法,其中該離子佈植包含佈植鎂、碳、或矽離子。 4.如申請專利範圍第1項所述之形成發光二極體裝置的方法,更包含一活化退火製程。 5.如申請專利範圍第4項所述之形成發光二極體裝置的方法,其中該雜質包含鎂、碳、或矽離子。 6.如申請專利範圍第1項所述之形成發光二極體裝置的方法,其中該第一電極位於該電流阻擋層之上方。 7.一種形成發光二極體裝置的方法,包含:提供一基板;形成一發光二極體結構於該基板之上,該發光二極體結構具有一或一以上之下層,一或一以上之發光層、以及一或一以上之上層;置入雜質於該一或一以上之上層中之至少一層內,以形成一電流阻擋層,其中該電流阻擋層係較該一或一以上之上層中之至少一層具有較高之電阻;在置入雜質之步驟後,形成一或一以上之額外上層於該第一上層及該電流阻擋層之上;形成一第一電極於該額外上層之上,且該第一電極與該額外上層電性連結;以及形成一第二電極於該下層之上,且該第二電極與該下層電性連結,其中該第一電極及第二電極配置於該基板之第一側。 8.如申請專利範圍第7項所述之形成發光二極體裝置的方法,其中該置入雜質之步驟包含佈植離子進入該一或一以上之上層中之至少一層內。 9.如申請專利範圍第7項所述之形成發光二極體裝置的方法,其中該一或一以上之額外上層係與該一或一以上之上層具有相同型態之導電性質。 10.如申請專利範圍第8項所述之形成發光二極體裝置的方法,其中該離子包含鎂、碳、或矽離子。 11.如申請專利範圍第7項所述之形成發光二極體裝置的方法,其中該第


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