顯示裝置 DISPLAY DEVICE
申請人· 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 顯示裝置
公告號 I517336
公告日 2016/01/11
證書號 I517336
申請號 2009/09/24
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI; 秋元健吾 AKIMOTO, KENGO; 梅崎敦司 UMEZAKI, ATSUSHI
申請人 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2008-259031 20081003
參考文獻 TW200514009A; TW200802888A; JP2008-85048A; US2002/0043662A1; US2005/0039670A1
審查人員 郭子鳳

專利摘要

像素部以及驅動像素部的驅動電路形成在同一基板上。驅動電路的至少一部分的電路使用反交錯型薄膜電晶體而形成,在該反交錯型薄膜電晶體中使用氧化物半導體,且在重疊於閘極電極層的成為通道形成區的氧化物半導體層上設置有通道保護層。藉由在同一基板上除了像素部以外還設置驅動電路,可以減少製造成本。


專利範圍

1.一種顯示裝置,包括像素部和驅動電路,其中,該像素部包括包含第一閘極電極、第一氧化物半導體層以及與該第一氧化物半導體層接觸的第一通道保護層的第一薄膜電晶體,並且其中,該驅動電路包括:包含第二閘極電極、在該第二閘極電極上的第二氧化物半導體層以及與該第二氧化物半導體層接觸的第二通道保護層的第二薄膜電晶體;包含第三閘極電極、在該第三閘極電極上的第三氧化物半導體層、以及與該第三氧化物半導體層接觸的第三通道保護層的第三薄膜電晶體;在該第二閘極電極及該第三閘極電極上的閘極絕緣層;在該第二氧化物半導體層上且與該第二氧化物半導體層電接觸並做為該第二薄膜電晶體的源極電極及汲極電極其中一個的第一導電層;在該第三氧化物半導體層上且與該第三氧化物半導體層電接觸並做為該第三薄膜電晶體的源極電極及汲極電極其中一個的第二導電層;及第三導電層,該第三導電層包含第一部分、第二部分及第三部分,該第一部分在該第二氧化物半導體層上且與該第二氧化物半導體層電接觸並做為該第二薄膜電晶體的該源極電極及該汲極電極其中另一個,該第二部分在該第三氧化物半導體層上且與該第三氧化物半導體層電接觸並做為該第三薄膜電晶體的該源極電極及該汲極電極其中另一個,該第三部分通過設置於該閘極絕緣層中的接觸孔與該第二閘極電極直接接觸。 2.如申請專利範圍第1項的顯示裝置,其中其厚度薄於該第三氧化物半導體層的厚度且其導電率高於該第三氧化物半導體層的導電率的第四氧化物半導體層設置在該第二導電層和該第三氧化物半導體層之間或在該第三導電層和該第三氧化物半導體層之間。 3.如申請專利範圍第1或2項的顯示裝置,其中該第二薄膜電晶體是耗盡型電晶體,並且該第三薄膜電晶體是增強型電晶體。 4.如申請專利範圍第1或2項的顯示裝置,其中該第一氧化物半導體層、該第二氧化物半導體層以及該第三氧化物半導體層包含銦、鎵及鋅。 5.如申請專利範圍第1或2項的顯示裝置,其中該第一氧化物半導體層、該第二氧化物半導體層以及該第三氧化物半導體層包含銦、鎵、鋅及一金屬,該金屬不同於銦、鎵及鋅。 6.如申請專利範圍第1或2項的顯示裝置,其中該第一氧化物半導體層、該第二氧化物半導體層以及該第三氧化物半導體層包含表示為InMO3(ZnO)m(m>0)的材料,其中M包含鎵及一金屬,該金屬不同於銦、鎵及鋅。 7.如申請專利範圍第2項的顯示裝置,其中該第四氧化物半導體層包含銦、鎵及鋅。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統