半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE
申請人· 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD. 臺中市潭子區大豐路3段123號 TW


專利信息

專利名稱 半導體裝置
公告號 I517328
公告日 2016/01/11
證書號 I517328
申請號 2013/03/07
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 李孟宗 LEE, MENG TSUNG; 賴顗喆 LAI, YI CHE; 邱世冠 CHIU, SHIH KUANG
申請人 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD. 臺中市潭子區大豐路3段123號 TW
代理人 陳昭誠
優先權
參考文獻 TW201042741A; TW201225762A; US2009/0239336A1; US2011/0133333A1
審查人員 黃尹珊

專利摘要

一種半導體裝置包括:基板,係具有相對之第一表面與第二表面、及複數貫穿該第一表面與該第二表面之導電通孔;絕緣層,係形成於該基板之第一表面上,並外露出該些導電通孔之端部;以及緩衝層,係形成於該些導電通孔之端部周緣之絕緣層上。藉此,本發明可提高該半導體裝置之信賴性及產品之良率。


專利範圍

1.一種半導體裝置,其包括:基板,係具有相對之第一表面與第二表面、及複數貫穿該第一表面與該第二表面之導電通孔;絕緣層,係形成於該基板之第一表面上,並外露出該些導電通孔之端部;以及緩衝層,係形成於該些導電通孔之端部周緣之絕緣層上。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,復包括複數個導電凸塊,係形成於該些導電通孔之端部上及該些端部周緣之緩衝層上。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,復包括至少一半導體元件,係嵌埋於該基板內,並具有閘極、二閘極側壁、源極區及汲極區,該二閘極側壁分別形成於該閘極之兩側,該源極區及該汲極區分別連接該二閘極側壁。 4.如申請專利範圍第3項所述之半導體裝置,復包括至少二導電體,係形成於該基板內,並分別將該源極區及該汲極區電性連接至該導電通孔。 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,復包括凸塊底下金屬層,係形成於該些導電通孔之端部上及該些端部周緣之緩衝層上。 6.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,復包括線路重佈層,係形成於該絕緣層上、該些導電通孔之端部上及該些端部周緣之緩衝層上。 7.如申請專利範圍第6項所述之半導體裝置,復包括凸塊底下金屬層,係形成於該線路重佈層上。 8.如申請專利範圍第5或7項所述之半導體裝置,復包括複數個導電凸塊,係形成於該凸塊底下金屬層上。 9.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,復包括凸塊底下金屬層,係形成於該些導電通孔之端部上,並形成於該絕緣層與該些端部周緣之緩衝層之間,且該緩衝層外露出該凸塊底下金屬層之一部分。 10.如申請專利範圍第9項所述之半導體裝置,復包括複數個導電凸塊,係形成於該緩衝層及該凸塊底下金屬層之外露表面上。 11.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中,該緩衝層復形成於該絕緣層之周緣上。 12.一種半導體裝置,其包括:基板,係具有相對之第一表面與第二表面、及複數貫穿該第一表面與該第二表面之導電通孔;絕緣層,係形成於該基板之第一表面上,並外露出該些導電通孔之端部;線路重佈層,係形成於該些導電通孔之端部及該絕緣層上;介電層,係形成於該絕緣層與該線路重佈層上,並具有外露出該線路重佈層之一部分的介電層開孔;以及緩衝層,係形成於該介電層開孔周緣之介電層上。 13.如申請專利範圍第12項所述之半導體裝置,復包括凸塊底下金屬層,係形成於該線路重佈層之外露表面上及形成於該緩衝層與介電層之間,且


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統