矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構及其製造方法 CHIP STRUCTURE WITH TSV HAVING ARC EXTENDED OPENING AND ITS FABRICATING METHOD
申請人· 力成科技股份有限公司 POWERTECH TECHNOLOGY INC. 新竹縣湖口鄉新竹工業區大同路26號 TW; 聚成科技股份有限公司 MACROTECH TECHNOLOGY INC. 新竹市科


專利信息

專利名稱 矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構及其製造方法
公告號 I517330
公告日 2016/01/11
證書號 I517330
申請號 2014/02/25
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 林煜祥 LIN, YU HSIANG; 邱朝順 CHIU, CHAO SHUN
申請人 力成科技股份有限公司 POWERTECH TECHNOLOGY INC. 新竹縣湖口鄉新竹工業區大同路26號 TW; 聚成科技股份有限公司 MACROTECH TECHNOLOGY INC. 新竹市科
代理人 許慶祥
優先權
參考文獻 TW201342525; US6509267B1; US2013/023875A1; US2002/0111013A1
審查人員 簡信裕

專利摘要

揭示一種矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構及其製造方法。內連墊設置於半導體基板之主動面。貫穿孔由背面貫穿半導體基板,以連通至內連墊,貫穿孔在其開口處形成有一環形缺口。硬罩絕緣環設置於貫穿孔之環形缺口,硬罩絕緣環具有一圓弧面。介電內襯包覆該貫穿孔之孔壁與該硬罩絕緣環,更順著圓弧面而延伸至背面上。藉以消除習知介電內襯在矽穿孔開孔之懸突孔緣,同時能增進介電內襯與電鍍種子層延伸至貫穿孔孔壁之階梯覆蓋能力。


專利範圍

1.一種矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構,包含:一半導體基板,係具有一主動面與一背面;至少一內連墊,係設置於該主動面;一貫穿孔,係由該背面貫穿該半導體基板,以連通至該內連墊,該貫穿孔在其開口處係形成有一環形缺口,該貫穿孔之平均孔徑係介於10~70微米;一硬罩絕緣環,係設置於該貫穿孔之該環形缺口,該硬罩絕緣環係具有一圓弧面;一介電內襯,係包覆該貫穿孔之孔壁與該硬罩絕緣環,該介電內襯係更順著該圓弧面而延伸至該背面上;以及一填孔金屬,係填滿該貫穿孔並導通至該內連墊。 2.依據申請專利範圍第1項所述之矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構,其中該填孔金屬係具有一突出於該背面之晶背凸塊。 3.依據申請專利範圍第1項所述之矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構,其中該貫穿孔之孔壁係為一傾斜壁,該貫穿孔之孔壁與該貫穿孔之孔底水平面的空隙夾角係介於90~102度,以使該貫穿孔之開口為擴大狀。 4.依據申請專利範圍第1項所述之矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構,其中該貫穿孔之孔壁係為一垂直壁,該貫穿孔之孔壁與該貫穿孔之孔底水平面的空隙夾角係為90度,該貫穿孔之開口之圓弧擴大區域係由該硬罩絕緣環之該圓弧面所提供。 5.依據申請專利範圍第1、2、3或4項所述之矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構,其中該硬罩絕緣環之該圓弧面係具有20~90度之圓弧導角。 6.依據申請專利範圍第1、2、3或4項所述之矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構,其中該半導體基板之該背面上係形成有一晶背保護層,該硬罩絕緣環之厚度係大於該晶背保護層之厚度,並且該硬罩絕緣環之該圓弧面係由該晶背保護層之外表面銜接至該貫穿孔之孔壁。 7.依據申請專利範圍第1、2、3或4項所述之矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構,其中該硬罩絕緣環係為TEOS(tetraethylorthosilicate,四乙基正矽酸鹽)反應形成之氧化層。 8.依據申請專利範圍第1、2、3或4項所述之矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構,其中該環形缺口之深度係佔該半導體基板由該背面至該主動面之厚度之三分之一至十分之一。 9.一種矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構之製造方法,包含步驟為:提供一半導體基板,係具有一主動面與一背面,至少一內連墊係設置於該主動面;對準於該內連墊,半蝕刻該半導體基板,以形成一缺口凹陷在該背面;形成一硬罩絕緣層於該背面上以及該缺口凹陷內;部份蝕刻該硬罩絕緣層,以形成在該缺口凹陷內周緣


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
201533875 矽穿孔具有圓弧擴大口之晶片結構及其製造方法 力成科技股份有限公司 POWERTECH TECHNOLOGY INC. 新竹縣湖口鄉新竹工業區大同路26號 TW; 聚成科技股份有限公司 MACROTECH TECHNOLOGY INC. 新竹市科
I467602 具有可著色表面之磁鐵結構及其製造方法 吳泓志 新北市新莊區新樹路268巷31號 TW; 范姜正良 新北市新莊區新樹路268巷31號 TW; 吳宜儒 新北市新莊區新樹路268巷31號 TW
I358797 具有功率放大器之晶片模組及其製作方法 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC. 高雄市楠梓加工出口區經三路26號 TW
518700 具有凸塊之晶片結構及其製造方法 日月光半導體製造股份有限公司 高雄市楠梓加工出口區經三路二十六號
200913174 具有功率放大器之晶片模組及其製作方法 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC. 高雄市楠梓加工出口區經三路26號
200832454 具有可著色表面之磁鐵結構及其製造方法 吳泓志 臺北縣新莊市新樹路268巷31號 范姜正良 臺北縣新莊市新樹路268巷31號 吳宜儒 臺北縣新莊市新樹路268巷31號
I261888 具凸塊之晶片結構及其製造方法 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC. 高雄市楠梓加工出口區經三路26號
516167 在中介層中設有重分佈電路之晶片結構及其製作方法 威盛電子股份有限公司 台北縣新店巿中正路五三五號八樓
200719417 具凸塊之晶片結構及其製造方法 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC. 高雄市楠梓加工出口區經三路26號
201537718 同軸多芯矽穿孔晶片結構及其製造方法 力成科技股份有限公司 POWERTECH TECHNOLOGY INC. 新竹縣湖口鄉新竹工業區大同路26號 TW
I460794 具有較低接觸電阻的MOS結構及其製造方法 格羅方德半導體公司 GLOBALFOUNDRIES US INC. 美國 US
I456702 具有埋入式字元線的DRAM結構及其製造方法與IC結構及其製造方法 南亞科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION 桃園縣龜山鄉華亞科技園區復興三路669號 TW
I431739 具有重佈線路層之晶片結構及其製法 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD. 臺中市潭子區大豐路3段123號 TW
I334208 具有環狀支撐物的凸塊結構及其製造方法 百慕達南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES (BERMUDA) LTD. 百慕達 BM
359638 具有層疊式零件之棘輪機構及其製造方法 史奈普昂工藝公司 美國
201447168 具有陶瓷基板的LED料帶結構及其製造方法 一詮精密工業股份有限公司 I-CHIUN PRECISION INDUSTRY CO., LTD. 新北市新莊區新北產業園區五工五路17號 TW
201411944 具有三操作頻帶的天線結構及其製造方法 智易科技股份有限公司 ARCADYAN TECHNOLOGY CORP. 新竹市科學園區園區二路9號4樓 TW
201248786 具有埋入式字元線的DRAM結構及其製造方法與IC結構及其製造方法 南亞科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION 桃園縣龜山鄉華亞科技園區復興三路669號 TW
201214639 具有重佈線路層之晶片結構及其製法 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD. 臺中市潭子區大豐路3段123號 TW

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統