超薄型晶圓級扇出封裝構造 ULTRA-THIN WAFER LEVEL FAN-OUT PACKAGE
申請人· 力成科技股份有限公司 POWERTECH TECHNOLOGY INC. 新竹縣湖口鄉新竹工業區大同路26號 TW


專利信息

專利名稱 超薄型晶圓級扇出封裝構造
公告號 I517334
公告日 2016/01/11
證書號 I517334
申請號 2012/12/10
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 曾吉生 TSENG, CHI SHENG; 周建瑋 CHOU, CHIEN WEI
申請人 力成科技股份有限公司 POWERTECH TECHNOLOGY INC. 新竹縣湖口鄉新竹工業區大同路26號 TW
代理人 許慶祥
優先權
參考文獻 TW410984; TW200952140A; US2010/0140771A1
審查人員 陳瑩真

專利摘要

揭示一種超薄型晶圓級扇出封裝構造,包含一薄膜、一重配置線路層以及一晶片。薄膜之表面形成有黏著層。重配置線路層貼附於黏著層並包含複數個扇出線路與複數個外接墊。晶片之微接點接合至扇出線路之內端。外接墊對稱地分配在晶片之外側邊,由薄膜之外表面至晶片背面之垂直距離形成為一封裝厚度,不大於晶片接合高度之二點五倍。較佳地,該薄膜與黏著層為可剝離,使由重配置線路層之上表面至晶片背面之垂直距離形成為一更小封裝厚度,不大於上述晶片接合高度之一點五倍。


專利範圍

1.一種超薄型晶圓級扇出封裝構造,包含:一薄膜,其表面係形成有一黏著層;一重配置線路層,係貼附於該黏著層,該重配置線路層係包含複數個扇出線路與複數個外接墊,該些扇出線路之外端係連接至該些外接墊;以及一晶片,係具有複數個微接點與一背面,該些微接點係接合至該些扇出線路之內端;其中該些外接墊係對稱地分配在該晶片之外側邊,該些外接墊之接合面係朝向由該晶片之該背面水平延伸之平面,由該薄膜之外表面至該晶片之該背面之垂直距離係形成為一第一封裝厚度,其係不大於由該重配置線路層至該晶片之該背面之一晶片接合高度之二點五倍;其中該薄膜係為可剝離,由該重配置線路層之上表面至該晶片之該背面之垂直距離係形成為一第二封裝厚度,其係不大於上述晶片接合高度之一點五倍。 2.依據申請專利範圍第1項之超薄型晶圓級扇出封裝構造,其中該黏著層係為感光性暫時黏膠。 3.依據申請專利範圍第1項之超薄型晶圓級扇出封裝構造,其中該些扇出線路係由一阻障層、一導電電鍍層以及一接合層所組成。 4.依據申請專利範圍第3項之超薄型晶圓級扇出封裝構造,其中該阻障層係相對遠離該晶片。 5.依據申請專利範圍第3項之超薄型晶圓級扇出封裝構造,其中該些扇出線路係為獨立排列之裸線型態且不覆蓋銲罩材料。 6.依據申請專利範圍第3項之超薄型晶圓級扇出封裝構造,其中該接合層係為圖案化,該重配置線路層係更包含一線隙填充介電材料,係形成於該些扇出線路之間。 7.依據申請專利範圍第1項之超薄型晶圓級扇出封裝構造,其中該重配置線路層係不包含有電鍍連接線。 8.依據申請專利範圍第1項之超薄型晶圓級扇出封裝構造,另包含有一填充膠體,係形成於該重配置線路層與該晶片之間。 9.依據申請專利範圍第1項之超薄型晶圓級扇出封裝構造,另包含有複數個銲球,係接合至該些外接墊之接合面。 10.依據申請專利範圍第1項之超薄型晶圓級扇出封裝構造,另包含有複數個銲料,係形成於該些外接墊之接合面。 11.依據申請專利範圍第1項之超薄型晶圓級扇出封裝構造,另包含有一被動元件,係接合於該重配置線路層並且不超出該晶片之該背面。 12.一種超薄型晶圓級扇出封裝構造,包含:一薄膜,其表面係形成有一黏著層;一重配置線路層,係貼附於該黏著層,該重配置線路層係包含複數個扇出線路與複數個外接墊,該些扇出線路之外端係連接至該些外接墊;以及一晶片,係具有複數個微接點與一背面,該些微接點係接合至該些扇


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