半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME
申請人· 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW


專利信息

專利名稱 半導體裝置及其製造方法
公告號 I517402
公告日 2016/01/11
證書號 I517402
申請號 2013/08/30
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 張睿鈞 CHANG, JUI CHUN; 張雄世 CHANG, HSIUNG SHIH
申請人 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權
參考文獻 TW201001619A; CN101533826B; US2005/0032327A1; US2011/0133269A1
審查人員 皮欣霖

專利摘要

本發明揭露一種半導體裝置,包括一基板,其具有一主動區及位於主動區內的一場板區。至少一溝槽式閘極結構位於基板內,其中場板區位於溝槽式閘極結構的一第一側。至少一源極摻雜區位於溝槽式閘極結構的一第二側的基板內,其中第二側相對於第一側,且源極摻雜區鄰接於溝槽式閘極結構的一側壁。一汲極摻雜區位於主動區的基板內,其中場板區位於汲極摻雜區與至少一溝槽式閘極結構之間,且從一上視方向來看,溝槽式閘極結構的長度的延伸方向垂直於汲極摻雜區的長度的延伸方向。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包括:一基板,具有一主動區及位於該主動區內的一場板區;至少一溝槽式閘極結構,位於該基板內,其中該場板區位於該至少一溝槽式閘極結構的一第一側;至少一源極摻雜區,位於該至少一溝槽式閘極結構的一第二側的該基板內,其中該第二側相對於該第一側,且該至少一源極摻雜區鄰接於該至少一溝槽式閘極結構的一側壁;以及一汲極摻雜區,位於該主動區的該基板內,其中該場板區位於該汲極摻雜區與該至少一溝槽式閘極結構之間,且從一上視方向來看,該至少一溝槽式閘極結構的長度的延伸方向垂直於該汲極摻雜區的長度的延伸方向。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該至少一源極摻雜區的深度等於或大於該至少一溝槽式閘極結構的深度。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該半導體裝置的閘極通道寬度為該至少一溝槽式閘極結構中的一閘極電極層的深度。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該至少一溝槽式閘極結構為一長條狀柱體,且該柱體的一底面具有橢圓形、圓角矩形、矩形或多邊形之外型。 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該半導體裝置包括複數溝槽式閘極結構及對應的複數源極摻雜區,且其中該等溝槽式閘極結構彼此間隔排列,且該等源極摻雜區彼此間隔排列。 6.如申請專利範圍第5項所述之半導體裝置,其中該等溝槽式閘極結構之間具有相同的間距,且每一溝槽式閘極結構與該汲極摻雜區之間具有相同的間距,且其中該等源極摻雜區之間具有相同的間距。 7.如申請專利範圍第5項所述之半導體裝置,其中該等溝槽式閘極結構之間具有不同的間距,且每一溝槽式閘極結構與該汲極摻雜區之間具有相同的間距,且其中該等源極摻雜區之間具有不同的間距。 8.如申請專利範圍第5項所述之半導體裝置,其中該等溝槽式閘極結構具有相同的外型。 9.如申請專利範圍第5項所述之半導體裝置,其中該等溝槽式閘極結構具有不同的外型。 10.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該至少一溝槽式閘極結構包括:一介電層,順應性地位於該基板內的一溝槽內;以及一閘極電極層,位於該介電層上,且填滿該溝槽。 11.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,更包括:一場氧化層,位於該場板區的該基板上;以及一場板電極,位於該場氧化層上。 12.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置,其中該半導體裝置更包括至少一摻雜區,位於該至少一溝槽式閘極結構的該第一側的該基板


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統