電漿腔室中用於基板夾持之設備與方法 APPARATUS AND METHOD FOR SUBSTRATE CLAMPING IN A PLASMA CHAMBER
申請人· 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國


專利信息

專利名稱 電漿腔室中用於基板夾持之設備與方法
公告號 200836291
公告日
證書號
申請號 2007/10/04
國際專利分類號
公報卷期 06-17
發明人 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 BALASUBRAMANIAN, GANESH;班莎阿米 BANSAL, AMIT;裘可艾勒Y JUCO, ELLER Y.;亞尤伯摩哈德 AYOUB, MOHAMAD;金亨俊 KIM, HYUNG-JOON;加納基拉曼卡希克 JANAKIRAMAN, KARTHIK;拉提沙德哈 RATHI, SUDHA;帕西迪尼斯 PADHI, DEENESH;西蒙斯馬丁傑 SEAMONS, MARTIN JAY;希發拉馬奎斯南菲斯維斯沃倫 SIVARAMAKRISHNAN, VISWESWAREN;金柏涵 KIM, BOK HOEN;阿巴雅提亞彌爾 AL-BAYATI, AMIR;惠蒂德瑞克R WITTY, DEREK R.;姆薩德希肯 M' SAAD, HICHEM;巴瑞西尼可夫安東 ANTON, BARYSHNIKOV;程秋 CHAN, CHIU;劉書安 LIU, SHUANG
申請人 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國
代理人 蔡坤財;李世章
優先權 美國 60/828,108 20061004 美國 60/892,430 20070301
參考文獻
審查人員

專利摘要

本發明大致上提供用以監測與維持一電漿反應器中基板之平坦度的方法與設備。本發明之特定實施例係提供一種用以處理一基板之方法,其至少包含:將基板定位在一靜電夾具上;施加一RF功率於靜電夾具中之一電極以及一反向電極之間,其中反向電極係設置成平行於靜電夾具;施加一DC偏壓至靜電夾具中之電極,以夾持靜電夾具上之基板;以及測量靜電夾具之一虛擬阻抗。


專利範圍

1.一種用以處理一基板之方法,其至少包含:將該基板定位在一靜電夾具上;施加一RF功率於該靜電夾具中之一電極以及一反向電極之間,其中該反向電極係設置成平行於該靜電夾具;施加一DC偏壓至該靜電夾具中之該電極,以夾持該靜電夾具上之該基板;以及測量該靜電夾具之一虛擬阻抗。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法,更包含根據經測量之該靜電夾具之虛擬阻抗,而調整施加至該靜電夾具之該電極的DC偏壓。 3.如申請專利範圍第1項所述之方法,更包含將該靜電夾具之虛擬阻抗與該基板之平坦度關聯。 4.如申請專利範圍第3項所述之方法,更包含計算虛擬阻抗歷經一時段的斜率。 5.如申請專利範圍第4項所述之方法,更包含當虛擬阻抗之斜率為負值時,增加施加至該靜電夾具之DC偏壓。 6.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中測量虛擬阻抗的步驟包含測量該靜電夾具之電壓與電流。 7.如申請專利範圍第6項所述之方法,其中使用連接至該反向電極之VI探針來測量電壓與電流。 8.一種用以在一電漿製程期間監測一基板之方法,其至少包含:將該基板定位在具有第一與第二平行電極之一電漿產生器中,其中該基板被定位在該第一與第二平行電極之間且實質上平行於該第一與第二平行電極;施加一RF功率於該電漿產生器之該第一與第二平行電極之間;以及藉由測量該電漿產生器之一特性來監測該基板。 9.如申請專利範圍第8項所述之方法,更包含施加一DC偏壓至該第一平行電極,以直接地或間接地固定該基板於該第一平行電極上。 10.如申請專利範圍第8項所述之方法,其中該特性為阻抗。 11.如申請專利範圍第10項所述之方法,其中使用連接至該電漿產生器之VI探針來測量阻抗。 12.如申請專利範圍第10項所述之方法,更包含將經測量之該電漿產生器之虛擬阻抗與該基板之平坦度關聯。 13.如申請專利範圍第12項所述之方法,更包含計算經測量之虛擬阻抗歷經一時段的斜率,其中一負斜率顯示基板平坦度的減少。 14.如申請專利範圍第13項所述之方法,更包含施加一足夠的夾持電壓至該第一平行電極,以獲得希望的基板平坦度。 15.一種用以處理一基板之設備,其至少包含:一靜電夾具,其包含一第一電極,該第一電極與一DC電源供應器連接,其中該靜電夾具具有一支撐表面用以支撐其上之基板;一反向電極,其設置成實質上平行於該靜電夾具之該支撐表面,其中該反向電極隔開該靜電夾具一距離,該基板被定位在該靜電夾具


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統