非平面電晶體及其製造方法 NON-PLANAR TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF
申請人· 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US


專利信息

專利名稱 非平面電晶體及其製造方法
公告號 I517395
公告日 2016/01/11
證書號 I517395
申請號 2012/09/17
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 喬許 薩哈遜 JOSHI, SUBHASH M.; 哈頓朵夫 麥可 HATTENDORF, MICHAEL
申請人 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US
代理人 林志剛
優先權 世界智慧財產權組織 PCT/US11/54329 20110930
參考文獻 US2007/0057325A1
審查人員 陳建仲

專利摘要

本說明係關於在非平面電晶體內形成源極/汲級結構,其中從非平面電晶體移除鰭片間隔物以從非平面電晶體鰭片形成源極/汲級結構,或以適當材料來取代非平面電晶體鰭片以形成源極/汲極結構。


專利範圍

1.一種方法,包含:在一基板上形成一非平面電晶體鰭片;在該非平面電晶體鰭片上形成一非平面電晶體閘極;在該非平面電晶體閘極和該非平面電晶體鰭片上共形地沉積一介電材料層;及從毗連該非平面電晶體閘極之側壁的該介電材料層之部分本質上同時地形成非平面電晶體閘極間隔物,並本質上同時地移除毗連該非平面電晶體鰭片的該介電材料層,其中一閘極介電層形成在該非平面電晶體鰭片與該非平面電晶體閘極之間。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中從毗連該非平面電晶體閘極之側壁的該介電材料層之部分本質上同時地形成非平面電晶體閘極間隔物,並本質上同時地移除毗連該非平面電晶體鰭片的該介電材料層包含:在最接近該非平面電晶體閘極之上部分的該介電材料層之部分上形成一髓蓋結構;及方向地蝕刻毗連該非平面電晶體鰭片的該介電材料層之部分。 3.如申請專利範圍第2項所述之方法,其中在該介電材料層之部分上形成該髓蓋結構包含:在該介電材料層上形成一犧牲層;使該犧牲層凹以暴露部分的該介電材料層;改變該介電材料層之暴露部分的蝕刻特性;移除該犧牲層;及移除該介電材料層的未改變部分。 4.如申請專利範圍第3項所述之方法,其中改變該介電材料層之暴露部分的蝕刻特性包含離子摻雜該介電材料層之暴露部分。 5.如申請專利範圍第4項所述之方法,更包含韌煉該介電材料層之離子摻雜部分。 6.如申請專利範圍第1項所述之方法,更包含形成毗連該非平面電晶體閘極的一源極/汲極結構。 7.如申請專利範圍第6項所述之方法,其中形成一源極/汲極結構包含以一摻雜物植入部分的該非平面電晶體鰭片。 8.如申請專利範圍第7項所述之方法,其中以一摻雜物植入部分的該非平面電晶體鰭片包含以一P型摻雜物植入部分的該非平面電晶體鰭片。 9.如申請專利範圍第7項所述之方法,其中以一摻雜物植入部分的該非平面電晶體鰭片包含以一N型摻雜物植入部分的該非平面電晶體鰭片。 10.如申請專利範圍第6項所述之方法,其中形成一源極/汲極結構包含移除部分的該非平面電晶體鰭片並以一源極/汲極結構代替之。 11.如申請專利範圍第10項所述之方法,其中替換該源極/汲極結構包含磊晶形成一含矽的源極/汲極結構。 12.一種方法,包含:在一基板上形成一非平面電晶體鰭片;在該非平面電晶體鰭片上形成一非平面電晶體閘極;在該非平面電晶體閘極和該非平面電晶體鰭片上沉積一介電材料層;從毗連該非平面電晶體閘極的該介電


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
I269358 具有應變增進遷移率之整塊非平面電晶體及其製造方法 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國
201543575 具內縮閘極端面凹切口的非平面電晶體及其製造方法 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
201330267 非平面電晶體及其製造方法 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US
200535979 具有應變增進遷移率之整塊非平面電晶體及其製造方法 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國
I474481 高增益常數β雙極性接面電晶體及其製造方法 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行路16號 TW
I440177 具有表面防護之雙極性接面電晶體及其製造方法 立錡科技股份有限公司 RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION 新竹縣竹北市台元街20號5樓 TW
I414022 橫向雙極性接面電晶體及其製造方法 聯發科技股份有限公司 MEDIATEK INC. 新竹市新竹科學工業園區篤行一路1號 TW
I412120 橫向雙極性接面電晶體及其製造方法 聯發科技股份有限公司 MEDIATEK INC. 新竹市新竹科學工業園區篤行一路1號 TW
I250640 雙載子接面電晶體及其製造方法 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 韓國
I241025 雙載子接面電晶體及其製造方法 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 韓國
201508916 側向雙載子接面電晶體及其製造方法 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW
201436008 異質接面電晶體及其製造方法 首爾半導體股份有限公司 SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. 南韓 KR
201240080 具有表面防護之雙極性接面電晶體及其製造方法 立錡科技股份有限公司 RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION 新竹縣竹北市台元街20號5樓 TW
201125120 高增益常數β雙極性接面電晶體及其製造方法 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行路16號 TW
201041123 橫向雙極性接面電晶體及其製造方法 聯發科技股份有限公司 MEDIATEK INC. 新竹市新竹科學工業園區篤行一路1號 TW
201032276 橫向雙極性接面電晶體及其製造方法 聯發科技股份有限公司 MEDIATEK INC. 新竹市新竹科學工業園區篤行一路1號 TW
201011910 多晶矽射極雙接面電晶體及其製造方法與雙載子,互補式金氧半導體,擴散金氧半導體裝置及其製造方法 東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD. 南韓 KR
200527674 具有電荷轉移感應能障壁之氮化物異質接合面電晶體及其製造方法 克立公司 CREE, INC. 美國
200501395 雙載子接面電晶體及其製造方法 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 韓國

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統