用於基材鰭式場效電晶體之汲極延伸金氧半導體裝置 DRAIN EXTENDED MOS DEVICE FOR BULK FINFET TECHNOLOGY
申請人· 英特爾德國公司 INTEL DEUTSCHLAND GMBH 德國 DE


專利信息

專利名稱 用於基材鰭式場效電晶體之汲極延伸金氧半導體裝置
公告號 I517399
公告日 2016/01/11
證書號 I517399
申請號 2013/05/17
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 雪法斯特法 玫安 SHRIVASTAVA, MAYANK; 古森納 哈羅德 GOSSNER, HARALD
申請人 英特爾德國公司 INTEL DEUTSCHLAND GMBH 德國 DE
代理人 林志剛
優先權 美國 13/540,762 20120703
參考文獻 TW200947608A; JP2004-128185A; JP2009-267021A
審查人員 吳爾軒

專利摘要

若干有關FinFET之態樣,其包含半導體鰭,半導體鰭係配置在半導體基板之上且橫向延伸於源極區與汲極區之間。淺溝渠隔離(STI)區橫向包圍半導體鰭的下方部分,以及半導體鰭的上方部分保持在STI區上。閘極電極橫貫於半導體鰭之上,用以在導電性閘極電極下的半導體鰭中界定通道區。擊穿阻擋區可在半導體鰭的下方部分中,延伸於源極區與通道區之間。汲極延伸區可在半導體鰭的下方部分中,延伸於汲極區與通道區之間。同時,揭示其他裝置及方法。


專利範圍

1.一種半導體裝置,係設置在半導體基板上,該裝置包含:淺溝渠隔離(STI)區,係設置在該半導體基板之上;半導體鰭,係設置在該STI區之內,該半導體鰭延伸於源極區與汲極區之間,且包含第一部分及第二部分,該第一部分及該第二部分係由該STI區的表面所界定;閘極電極,其橫貫於該半導體鰭之上,用以在該閘極電極下的該半導體鰭中界定通道區;第一擊穿阻擋區,係設置在該源極區之下,且在該通道區下延伸於該半導體鰭的該第二部分中;以及汲極延伸區,係在該閘極電極與該汲極區之間被設置於該半導體鰭的該第二部分之中。 2.如申請專利範圍第1項之裝置,其中該第一擊穿阻擋區及該汲極延伸區係在該閘極電極下的接面區會合。 3.如申請專利範圍第1項之裝置,進一步包含:本質或微摻雜半導體區,係設置在該等源極與汲極區間之該半導體鰭的該第一部分中。 4.如申請專利範圍第3項之裝置,其中該本質或微摻雜半導體區具有第一端及第二端,其中該第一端終止於該閘極電極之下面,且該第二端連接至該汲極區。 5.如申請專利範圍第3項之裝置,其中該本質或微摻雜半導體區具有第一端及第二端,其中該第一端終止於該閘極電極之下面,且該第二端終止於該汲極延伸區之上,以使與該汲極區分隔開。 6.如申請專利範圍第5項之裝置,其中在該第二端與該閘極電極之間的距離係大於在該閘極電極下的該通道區之長度。 7.如申請專利範圍第3項之裝置,進一步包含:閘極氧化物,用以分離該閘極電極與該本質或微摻雜區。 8.如申請專利範圍第3項之裝置,進一步包含:虛擬閘極,係形成於該汲極延伸區與該本質或微摻雜半導體區二者之上,該虛擬閘極係配置在該閘極電極與該汲極區之間。 9.如申請專利範圍第8項之裝置,進一步包含:隔離區,在該虛擬閘極與該閘極電極之間,其中該隔離區係配置用以畫分該本質或微摻雜區成為在該閘極電極下的第一部件及在該虛擬閘極之下的第二部件。 10.如申請專利範圍第1項之裝置,其中第二擊穿阻擋佈植物係使用以在該半導體基板上的低電壓電晶體中,與第二擊穿阻擋區域同時形成該裝置的該汲極延伸區。 11.如申請專利範圍第1項之裝置,其中該源極區、該汲極區、及該汲極延伸區具有第一導電類型;且其中該第一擊穿阻擋區具有第二導電類型,該第二導電類型係與該第一導電類型相反。 12.如申請專利範圍第1項之裝置,其中該源極區、該汲極區、及該汲極延伸區係n型;且其中該第一擊穿阻擋區係p型。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統